什么是氮化鎵技術

　　氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。

　　氮化鎵技術是指一種寬帶隙半導體材料，相較于傳統(tǒng)的硅基半導體，具有相對寬的帶隙。所以寬帶隙器件可以在高壓、高溫、高頻率下工作。寬帶隙半導體的特性決定了其擁有比硅材料更高的可靠性。這些優(yōu)勢能夠帶來低損耗，可降低低導阻帶來的發(fā)熱。并且可以提供高效的節(jié)能。氮化鎵技術也容許更多精簡的元件設計以及支援更小的尺寸外觀。

　　什么是氮化嫁技術:

　　1、氨化家技術是指一種寬能隙半導體材料，

　　2、相較于傳統(tǒng)的硅基半導體，氨化家能夠提供顯著的優(yōu)勢來支援功率應用:3、采用氨化家技術也容許更多精簡元件的設計以支援更小的尺寸外觀。

　　氮化緣技術可提供什么:

　　1、氨化家技術可提供高效節(jié)能:

　　2、精簡元件的設計以支援更小的尺寸外觀

　　國內氮化鎵相關上巿企業(yè)

　　1．三安光電（600703）：2020年2月，公司擬定增建包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片;高端砷化鎵LED外延、芯片;大功率氮化鎵激光器;特種封裝產(chǎn)品應用四個產(chǎn)品方向的研發(fā)、生產(chǎn)基地。

　　2．乾照光電（300102）：公司憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領域多年研發(fā)和生產(chǎn)的積累，積極布局以砷化鎵和氮化鎵材料為基礎的化合物半導體方向，投資16億元加碼半導體研發(fā)項目。

　　3．亞光科技（300123）：公司GaN功率放大器實現(xiàn)小批量量產(chǎn)，公司現(xiàn)有自研射頻芯片共計400多款，包括5G使用的低噪、功放、開關、濾波器答。

　　4．兆馳股份（002429）：2020年2月19日公司在互動平臺稱：兆馳半導體能夠獨立完成“藍寶石平片→圖案化基板PSS→LED外延片→LED芯片”整個制作流程，有氮化鎵外延片，能夠提供全面的芯片解決方案。

　　5．利亞德（300296）：2017年2月28日公告全資子公司參股美國SAPHLUX,INC.SAPHLUX公司主要生產(chǎn)半極性氮化鎵晶元。該公司通過特殊工藝，可以在藍寶石襯底上有選擇性的生長出特定晶面上的氮化鎵材料，且具有高質量，低層錯，大批量，成本基本等同于現(xiàn)有普通氮化鎵晶元的特點，是業(yè)內第一家具有商業(yè)級半極性材料生產(chǎn)能力的LED材料企業(yè)。

　　6．華峰測控（688200）：在寬禁帶半導體測試方面，公司量產(chǎn)測試技術取得了重大進展，實現(xiàn)了晶圓級多工位并行測試，解決了多個GaN晶圓級測試的業(yè)界難題，并已成功量產(chǎn)。

　　7．臺基股份（300046）：功率半導體細分市場的重要企業(yè)，跟蹤和研發(fā)以Sic（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代寬禁帶半導體材料和器件技術。