首先什么是高低邊開(kāi)關(guān)？ 關(guān)于高低邊開(kāi)關(guān)在汽車中應(yīng)用非常廣泛，例如車燈控制、氣囊驅(qū)動(dòng)、繼電器控制等，代表性的廠家有ST、英飛凌等，高低邊開(kāi)關(guān)即高低邊驅(qū)動(dòng)，其中高邊或者低邊均相對(duì)于負(fù)載來(lái)說(shuō)，如圖1負(fù)載在
2022-12-09 14:13:32
19850 
電路中，晶體管常常被用來(lái)當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。晶體管用作開(kāi)關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式：高邊（high side）和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管（BJT）或者場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。
2023-02-16 16:00:316851 
NMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 09:18:0311320 
了保護(hù)功能的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，迎來(lái)了樂(lè)觀的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)。 高邊開(kāi)關(guān)也叫高邊驅(qū)動(dòng)（HSD），位于電源和負(fù)載之間，主要作用是調(diào)整功率、驅(qū)動(dòng)負(fù)載。與高邊開(kāi)關(guān)相對(duì)應(yīng)的還有低邊開(kāi)關(guān)，也就是低邊驅(qū)動(dòng)（LSD），位于負(fù)載和地之間，設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單
2024-06-03 07:20:006899 
要求。之前我們?cè)?jīng)介紹過(guò)高邊開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景以及汽車應(yīng)用的需求情況，那這一篇文章就來(lái)介紹一下同樣不可或缺的低邊開(kāi)關(guān)。 ? 高低邊實(shí)際上是形容器件使用在電源和負(fù)載之間相對(duì)位置的關(guān)系，高邊開(kāi)關(guān)顧名思義，是應(yīng)用于電源正極和負(fù)載之
2025-02-28 00:09:002628 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，類比半導(dǎo)體宣布推出全新第二代高邊開(kāi)關(guān)芯片HD80012，單通道內(nèi)阻低至1.2mΩ。HD80012還內(nèi)置電池反接保護(hù)和輸入電源過(guò)壓保護(hù)電路，無(wú)需外圍增加TVS和防反二極管
2025-07-06 05:46:005659 在智能BMS應(yīng)用中，客戶往往面臨比較多的痛點(diǎn)，其一是低邊MOSFET作開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì)將GND分開(kāi)，做不到連續(xù)性；其二是在使用高邊MOSFET作開(kāi)關(guān)時(shí)其驅(qū)動(dòng)變得較為復(fù)雜。
傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案有以下幾種
2024-03-07 22:01:45
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護(hù)電路的低導(dǎo)通電阻線路開(kāi)關(guān)用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當(dāng)
2021-04-19 07:57:47
低邊和高邊電流監(jiān)測(cè)器的架構(gòu)和應(yīng)用是什么
2021-03-11 07:39:28
SOT-23/SC-59 marking/標(biāo)記 SA 快速開(kāi)關(guān)/邏輯電平兼容 最大源漏極電壓Vds Drain-Source Voltage100V最大柵源極電壓Vgs(±) Gate-Source
2019-11-13 11:00:58
電壓太高就浪費(fèi)驅(qū)動(dòng)能量了。下圖是一個(gè)高壓MOSFET的跨導(dǎo)曲線，可以看到驅(qū)動(dòng)電壓高于9V時(shí)MOSFET的Rds_on就基本不變了。b, 關(guān)于IGBT，gate的輸入特性和MOSFET是類似的，一般建議
2016-11-28 13:38:47
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了通過(guò)減少音頻爆破音的可能性來(lái)加強(qiáng)語(yǔ)音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說(shuō)是擁有終端電阻,提供緩慢開(kāi)啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
INA226低邊連接時(shí)負(fù)載輸出是否可以接-30V電壓？INA226雙向電流管理是什么意思？
2024-09-14 08:37:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮
2012-12-18 15:37:14
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2012-11-12 15:40:55
主要特點(diǎn)：工作電壓范圍：1.8V到5.5V / 低的導(dǎo)通阻抗：典型值2.5Ω / 低的導(dǎo)通阻止抗平坦度 / -3dB寬帶：200MHz / 低功耗 / 快的開(kāi)啟和關(guān)斷時(shí)間 / 封裝：TSSOP20
2019-07-29 11:41:49
MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，進(jìn)一步降低了開(kāi)關(guān)損耗。
當(dāng) VCC 低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，UVLO 電路工作，可有效防止芯片的誤動(dòng)作。設(shè)計(jì)中 的 EN 引腳可以使芯片進(jìn)入低靜態(tài)電流狀態(tài)， 并獲得較長(zhǎng)的電池壽命
2025-03-07 09:27:56
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開(kāi)關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過(guò)下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
本文設(shè)計(jì)了一種低導(dǎo)通損耗的USB 電源開(kāi)關(guān)電路。該電路采用自舉電荷泵為N 型功率管提供足夠高的柵壓， 以降低USB 開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通損耗。在過(guò)載情況下， 過(guò)流保護(hù)電路能將輸出電流限制在0. 3 A?！ ?
2011-09-20 10:42:46
如果不添加自舉電路，舉例如下：如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅(qū)動(dòng)電壓也為12V，那么當(dāng)MOS在導(dǎo)通瞬間，Soure極電壓會(huì)升高為Drink減壓減去一個(gè)
2021-07-05 06:08:43
=transparent]Drain-Source voltageVDSS-30V[/tr][tr=transparent]Gate-Source voltageVGSS+/-12V[/tr]產(chǎn)品特性[tr
2018-05-15 22:37:38
為什么L298n的輸出端本來(lái)是一邊高一邊低的，接上直流電機(jī)后，兩端的電壓就變了，就在跳動(dòng)，0到4.3之間跳動(dòng)：
2014-08-09 14:53:58
1、單端正激式單端：通過(guò)一只開(kāi)關(guān)器件單向驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器.正激：其脈沖變壓器的原/副邊相位關(guān)系確保在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器原邊時(shí)，變壓器副邊同時(shí)對(duì)負(fù)載供電。該電路的最大問(wèn)題是：開(kāi)關(guān)管T交替工作于
2021-11-04 07:00:00
有一個(gè)參數(shù)Gate-Source Voltage 正負(fù)12，是表示開(kāi)啟電壓最大閾值是12V嗎還有，下面第二個(gè)紅色框里又說(shuō)最大閾值是1.4V。不是很懂這個(gè)意思，望指點(diǎn)
2019-04-11 12:18:46
的發(fā)生，會(huì)在同步整流IC中配置一種控制電路，使兩邊的開(kāi)關(guān)不能同時(shí)導(dǎo)通，即兩邊的開(kāi)關(guān)先關(guān)斷之后再相應(yīng)的進(jìn)行開(kāi)通。 圖片中的紅色電壓到底是哪里的電壓呢？ 不太理解，，這個(gè)死區(qū)時(shí)間指的是 兩個(gè)MOS要在這個(gè)時(shí)間段內(nèi)同時(shí)關(guān)閉嗎？
2022-08-11 09:58:13
在開(kāi)關(guān)電源里MOS導(dǎo)通時(shí)D—S之間的電壓為什么接近于0呢？
2023-05-16 14:29:20
在ADC0804和單片機(jī)之間用了光耦，程序沒(méi)問(wèn)題， 但是光耦有問(wèn)題，Proteus里沒(méi)有TLP521, 用線性光耦或4N25替代時(shí)， 均出現(xiàn)原邊導(dǎo)通，次邊無(wú)法拉低的情況，看看光耦能不能這么用。
不知這是我光耦接法的問(wèn)題還是Proteus的問(wèn)題？ 謝謝大家！
2025-01-13 06:23:46
。電阻R1根據(jù)輸入電壓選擇，根據(jù)GB要求所選電阻值將輸入電壓控制在55%-70%之間動(dòng)作。即（55%-70%）U=（13.2V-16.8V），在13.2V以下完全截止，16.8V以上完全導(dǎo)通。假設(shè)光耦
2021-01-27 07:00:00
。電阻R1根據(jù)輸入電壓選擇，根據(jù)GB要求所選電阻值將輸入電壓控制在55%-70%之間動(dòng)作。即（55%-70%）U=（13.2V-16.8V），在13.2V以下完全截止，16.8V以上完全導(dǎo)通。假設(shè)光耦
2022-05-09 11:41:38
"低邊誤導(dǎo)通"或 "dv/dt 引起的導(dǎo)通", 是同步降壓轉(zhuǎn)換器中一種常見(jiàn)的潛在危險(xiǎn)。 本設(shè)計(jì)注釋深入探討如何防止這種情況的發(fā)生。
2018-08-27 13:51:13
低成本、超小占用空間方案設(shè)計(jì)基本都是采用PSR原邊反饋反激式，通過(guò)原邊反饋穩(wěn)壓省掉電壓反饋環(huán)路（TL431和光耦）和較低的EMC輻射省掉Y電容，不僅省成本而且省空間，得到很多電源工程師采用。教您如何PSR原邊反饋開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的“獨(dú)特”方法？
2019-01-15 14:32:57
我想用6個(gè)NMOS + 3個(gè)驅(qū)動(dòng)IC來(lái)搭橋. 有一個(gè)問(wèn)題不是太確定. 低邊NMOS的G極驅(qū)動(dòng)電壓如果大于D極,是否會(huì)有問(wèn)題? 比如低邊NMOS導(dǎo)通時(shí), D極電壓有8V, 但是 G極有16V. 這樣會(huì)
2024-04-12 08:04:17
開(kāi)關(guān)應(yīng)用在電動(dòng)工具中，引入高邊驅(qū)動(dòng)方案，除了避免傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)的固有缺點(diǎn)，同時(shí)具有可控強(qiáng)、導(dǎo)通時(shí)間可調(diào)整、支持多包并聯(lián)、短路保護(hù)、體積小等優(yōu)點(diǎn)。如圖2所示，高邊驅(qū)動(dòng)IC會(huì)產(chǎn)生高出電池包12V的電壓，通過(guò)
2022-11-04 07:45:32
請(qǐng)教一下大神LED5000內(nèi)部低邊開(kāi)關(guān)的作用是什么呢？
2023-01-06 07:54:55
反饋端為5V，藍(lán)色是反饋電壓，黃色是反饋電流（二極管后），紅色是變壓器原邊開(kāi)關(guān)管DS電壓，使用VIPER100芯片，輸入為220V。DS導(dǎo)通時(shí)，5V電壓振蕩過(guò)大，希望能調(diào)節(jié)在4.5V~5.5V之間，請(qǐng)高手指教
2015-07-17 16:15:27
7637測(cè)試中主要波形，本實(shí)例中主要分析繼電器斷開(kāi)后高邊開(kāi)關(guān)吸收的能量，以VNQ7050為例：第一步：開(kāi)關(guān)導(dǎo)通過(guò)程中存儲(chǔ)的能量,此時(shí)電感電壓上正下負(fù)：負(fù)載電流：存儲(chǔ)能量：時(shí)間常數(shù)：第二步：開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，繼電器
2022-12-22 18:48:54
本文介紹一款單片高速(fSW高達(dá)100kHz)四通道低邊開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品能夠驅(qū)動(dòng)任何類型的負(fù)載(阻性負(fù)載、感性負(fù)載和容性負(fù)載)，開(kāi)關(guān)一側(cè)連接電源電壓(Vcc)。
2019-08-01 08:13:02
一，產(chǎn)品簡(jiǎn)介
HDGK-III高壓開(kāi)關(guān)動(dòng)作試驗(yàn)儀是武漢華頂電力根據(jù)電網(wǎng)公司生產(chǎn)輸電[2004]40號(hào)文件要求制訂的，在《預(yù)防交流高壓開(kāi)關(guān)事故措施
2021-11-08 14:33:00
2N7000 2N7002 NDS7002A UnitsVDSS Drain-Source Voltage 60 VVDGR Drain-Gate Voltage (RGS < 1 M?) 60 VVGSS Gate-Source Voltage
2008-07-09 13:00:35
125 the “Total Gate Chargevs. Gate-Source Voltage” graph from the MOSFET’s datasheet. The calculation proceeds as follows:
2009-12-03 13:39:5229 高邊開(kāi)關(guān)的熱分析
首先定義一下高邊開(kāi)關(guān):[high side switch]HSD，剛開(kāi)始接觸這個(gè)東西覺(jué)得不太明白，其實(shí)就是一個(gè)帶Logic驅(qū)動(dòng)的Mosfet?！ 「?b class="flag-6" style="color: red">邊開(kāi)關(guān)的作用在于
2009-11-21 10:53:111450 TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 高邊和低邊電流檢測(cè)技術(shù)分析
當(dāng)代電子系統(tǒng)中的電源管理可以通過(guò)高效的電源分配優(yōu)化系統(tǒng)效率。電流檢測(cè)是電源管理的關(guān)鍵技術(shù)之一，它不僅有助于保持理想的電壓
2010-01-04 11:04:267224 
新唐科技股份有限公司推出低導(dǎo)通阻抗(RDSON)并具緩啟動(dòng)與關(guān)閉輸出放電的電源開(kāi)關(guān)– NCT3521U/U-2。此電源開(kāi)關(guān)具備輸
2010-12-23 09:14:411923 該電路采用自舉電荷泵為N 型功率管提供足夠高的柵壓， 以降低USB開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通損耗。
2011-09-22 18:03:381875 
有源箝位變壓器的高邊或低邊調(diào)整技術(shù)
2011-10-14 18:13:4939 MOSFET開(kāi)關(guān)管工作的最大占空比Dmax: 式中：Vor為副邊折射到原邊的反射電壓，當(dāng)輸入為AC 220V時(shí)反射電壓為135V; VminDC為整流后的最低直流電壓; VDS為MOSFET功率管導(dǎo)通時(shí)D與S極間電壓，一般取
2012-08-02 13:37:5227785 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:582190 英飛凌推出具備出色保護(hù)功能并能輕松調(diào)節(jié)斜率的HITFET?+低邊
開(kāi)關(guān)產(chǎn)品家族，首款產(chǎn)品BTF3050TE現(xiàn)已批量供應(yīng).
2015-04-28 13:59:082561 不同于市場(chǎng)上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開(kāi)關(guān)，集合了頂級(jí)FETIP與系統(tǒng)級(jí)保護(hù)功能。
2017-09-19 17:34:597 基于真空觸發(fā)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通機(jī)理，設(shè)計(jì)真空觸發(fā)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通特性的實(shí)驗(yàn)研究方案。在詳細(xì)分析真空觸發(fā)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通過(guò)程的基礎(chǔ)上，利用不同參數(shù)的觸發(fā)電流導(dǎo)通真空間隙來(lái)研究對(duì)真空間隙導(dǎo)通過(guò)程的影響規(guī)律：在相同主間隙電壓
2018-01-02 14:01:462 本文介紹一款單片高速（fSW高達(dá)100kHz）四通道低邊開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品能夠驅(qū)動(dòng)任何類型的負(fù)載（阻性負(fù)載、感性負(fù)載和容性負(fù)載），開(kāi)關(guān)一側(cè)連接電源電壓（Vcc）。
2019-05-18 10:40:394053 因?yàn)?Vbb ≥ VOUT，MOSFET 本征二極管反向偏壓,因此不導(dǎo)通。此時(shí)，如果微處理器斷開(kāi)高邊開(kāi)關(guān),沒(méi)有電流經(jīng)MOSFET 流向任何方向。如果微處理器閉合高邊開(kāi)關(guān)，電流則從電池流經(jīng)(傳統(tǒng)意義上)MOSFET,然后到達(dá)負(fù)載。
2019-09-23 11:28:3111562 
ST首款集成式四路低邊驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)IPS4260L能夠更好地滿足市場(chǎng)和設(shè)計(jì)需求。
2019-08-05 09:44:515196 目前在高壓開(kāi)關(guān)試驗(yàn)時(shí)，使用整流電源帶上負(fù)載后輸出電壓會(huì)有明顯跌落，其影響對(duì)開(kāi)關(guān)動(dòng)作特性是不可忽視的。
2021-09-24 14:14:271124 新唐科技股份有限公司推出低導(dǎo)通阻抗 ( RDSON) 并具緩啟動(dòng)與關(guān)閉輸出放電的電源開(kāi)關(guān) – AP2192AMPG-13 。此電源開(kāi)關(guān)具備輸出電流 2A 的能力、低導(dǎo)通阻抗 80m-ohm ，并提
2022-01-10 11:00:291 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開(kāi)啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過(guò)，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:051549 從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
MOS管的三個(gè)引腳分別是Gate（G）、Source（S）和Drain（D）。Gate（G）引腳是晶閘管的控制引腳，通過(guò)控制Gate（G）引腳的電壓來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷
2023-02-15 17:24:3225717 
降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可將輸入電壓Vin轉(zhuǎn)換為比Vin低的電壓。然而，由于Vin的波動(dòng)，Vin低于設(shè)置的Vout的情況也并非沒(méi)有。下面介紹在這種條件下可能發(fā)生的動(dòng)作。
2023-02-20 09:47:183256 
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。
2023-02-28 11:35:52745 
原廠： 潤(rùn)石科技 型號(hào)： RS2103 ? 封裝： SOT363 (SC70-6) ，SOT23-6 品類: 低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān) 應(yīng)用: [可穿戴設(shè)備] [ 電池供電設(shè)備] [信號(hào)
2023-04-07 17:59:321374 MOS類型高低邊開(kāi)關(guān)固有其優(yōu)勢(shì)，比如壓降小，損耗低，控制簡(jiǎn)易，使用場(chǎng)景也比BJT類型的高低邊開(kāi)關(guān)廣泛
2023-06-07 17:15:381710 
電子工程師在公司進(jìn)行主管分配的項(xiàng)目開(kāi)發(fā)電路設(shè)計(jì)，經(jīng)常會(huì)處理一些直流大功率負(fù)載電路，如電磁閥，電機(jī)等負(fù)載；針對(duì)這些問(wèn)題，電子技術(shù)控就給小伙伴們推薦一個(gè)低邊開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路
2023-06-18 14:14:322096 
一、概述目前在高壓
開(kāi)關(guān)試驗(yàn)時(shí),使用整流電源帶上負(fù)載后輸出
電壓會(huì)有明顯跌落,其影響對(duì)
開(kāi)關(guān)動(dòng)作特性是不可忽視的。
開(kāi)關(guān)動(dòng)作電源采用了先進(jìn)的補(bǔ)償技術(shù)和最新的電子元器件，帶有多種保護(hù)功能，性能優(yōu)越?？朔藥?/div>
2021-11-16 17:19:541084 
目前在高壓開(kāi)關(guān)試驗(yàn)時(shí),使用整流電源帶上負(fù)載后輸出電壓會(huì)有明顯跌落,其影響對(duì)開(kāi)關(guān)動(dòng)作特性是不可忽視的。開(kāi)關(guān)動(dòng)作電源采用了先進(jìn)的補(bǔ)償技術(shù)和最新的電子元器件，帶有多種保護(hù)功能，性能優(yōu)越?？朔藥ж?fù)載后
2021-11-17 18:17:00981 
側(cè)電路的高邊開(kāi)關(guān)和適用于下側(cè)電路的低邊開(kāi)關(guān)，各種配置有各自適用的電路設(shè)計(jì)。 如下圖左側(cè)所示，對(duì)于電源電壓固定且配置了各種負(fù)載的電路，例如在汽車等電池固定電壓、車身GND接地的環(huán)境下，輸出容易發(fā)生短路，檢測(cè)異常狀態(tài)適合使用容
2023-07-05 17:05:317462 
開(kāi)關(guān)電源原副邊Y電容 開(kāi)關(guān)電源原副邊Y電容是常見(jiàn)的一種電源濾波電容，主要作用是降低開(kāi)關(guān)電源輸出端的噪聲和波動(dòng)，保證電源輸出的穩(wěn)定性和可靠性。本篇文章將從開(kāi)關(guān)電源的原理入手，詳細(xì)介紹開(kāi)關(guān)電源原副邊Y
2023-08-27 16:43:275040 原邊反饋開(kāi)關(guān)電源原理? 開(kāi)關(guān)電源是一種經(jīng)常應(yīng)用于電子設(shè)備中的高效率電源，它能夠?qū)⑤斎?b class="flag-6" style="color: red">電壓轉(zhuǎn)換為符合設(shè)備需求的輸出電壓。在開(kāi)關(guān)電源中，原邊反饋是一種常用的控制電路，它通過(guò)對(duì)變壓器原邊電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，來(lái)
2023-08-29 10:20:055079 igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開(kāi)關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底、N型漏源
2023-10-19 17:08:0226499 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
如何改善原邊反饋反激架構(gòu)的輸出電壓調(diào)整率？ 原邊反饋反激架構(gòu)是一種常用于開(kāi)關(guān)電源的控制方式，它具有高效率、精準(zhǔn)的輸出電壓調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)。然而，由于其固有的響應(yīng)時(shí)間限制，導(dǎo)致輸出電壓調(diào)整率比較低。本文將
2023-11-24 14:20:332692 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《低輸入電壓、雙負(fù)載開(kāi)關(guān)，帶受控導(dǎo)通TPS22960數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:46:480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小型、低輸入電壓、低rON負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22934數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:05:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小型，低輸入電壓低，低R導(dǎo)通負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22924D數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:23:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小型、低輸入電壓、低RON負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22908數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:29:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小型、低輸入電壓、低rON負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22906數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:59:300 NMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2024-04-10 11:45:0112611 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的高效低邊N通道控制器LM3478數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-15 10:18:470 在H橋電路中，高
邊和
低邊的概念描述了
開(kāi)關(guān)器件相對(duì)于負(fù)載或地的連接方式。這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)通常用于描述
開(kāi)關(guān)器件（如晶體管、MOSFET等）在電路中的位置以及它們?nèi)绾慰刂齐娏髁飨颉?/div>
2024-05-11 17:23:265569 阻和快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。它由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。 MOS驅(qū)動(dòng)芯片
2024-07-14 10:56:431858 升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的最大輸出電流不僅僅取決于低邊開(kāi)關(guān)的電流容量。升壓比、轉(zhuǎn)換效率和電感紋波電流等因素會(huì)導(dǎo)致最大輸出電流大大低于低邊開(kāi)關(guān)的電流容量。
2024-07-17 14:22:49974 
饋電開(kāi)關(guān)欠壓保護(hù)動(dòng)作是指當(dāng)電網(wǎng)電壓低于設(shè)定值時(shí)，饋電開(kāi)關(guān)會(huì)自動(dòng)斷開(kāi)，以保護(hù)用電設(shè)備不受電壓過(guò)低的影響。解決饋電開(kāi)關(guān)欠壓保護(hù)動(dòng)作的問(wèn)題，需要從多個(gè)方面進(jìn)行分析和處理。 一、饋電開(kāi)關(guān)欠壓保護(hù)動(dòng)作的原因
2024-07-22 10:50:243482 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當(dāng)柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時(shí)，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 原邊恒流開(kāi)關(guān)電源芯片U7575功率損耗小U7575YLB開(kāi)關(guān)電源的工作原理是利用開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)周期性地切換電路，控制輸出的電壓或電流。一次開(kāi)關(guān)周期包括開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和截止兩個(gè)階段。在連續(xù)模式下，開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)
2025-01-02 16:20:011232 
MAX14919/MAX14919A四通道低邊開(kāi)關(guān)是一款工業(yè)保護(hù)開(kāi)關(guān)，每通道具有140mΩ（典型值）導(dǎo)通電阻(R ~ON~ )，集成±1kV/42Ω浪涌保護(hù)功能，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健運(yùn)行。
2025-05-21 10:31:001032 
MAX14912/MAX14913具有八個(gè)640mA智能高邊開(kāi)關(guān)，也可配置為推挽式驅(qū)動(dòng)器，用于高速開(kāi)關(guān)。從輸入到高邊/低邊驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)的傳輸延遲為1μs (最大值)。每個(gè)高邊驅(qū)動(dòng)器在TA = 125°C、500mA負(fù)載電流時(shí)的導(dǎo)通電阻低至230mΩ (最大值)。
2025-05-21 14:03:18841 
~ = +125°C時(shí)，具有165mΩ (最大)低導(dǎo)通電阻。驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載時(shí)，高邊開(kāi)關(guān)的輸入至輸出傳輸延遲為2μs (最大)。推挽式操作的PWM/PPO控制中，開(kāi)關(guān)頻率達(dá)100kHz，可驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)電纜?？蓪⒍鄠€(gè)高邊開(kāi)關(guān)并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)較高驅(qū)動(dòng)電流。器件具有較寬的10V至36V電源輸入范圍。
2025-05-21 14:12:19831 
開(kāi)關(guān)電源中原邊反饋和副邊反饋的區(qū)別
2025-08-05 10:59:311067 已全部加載完成
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