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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)?SiC專用驅(qū)動(dòng)支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下)

瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)?SiC專用驅(qū)動(dòng)支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下)

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富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(二):碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問(wèn)題探討

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2015-06-12 09:51:237452

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2025-12-18 16:35:545803

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SiC MOSFET:經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

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2019-07-30 15:15:17

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SiC46x是什么?SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)?SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
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X5231LED手電筒驅(qū)動(dòng)專用IC

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λ/4 單阜天線采用單線(0.8-1.6),應(yīng)該避免使用線?

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2015-07-16 11:00:30

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器

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2020-04-24 18:08:05

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用

項(xiàng)目名稱:風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),目前正在從事風(fēng)電機(jī)組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā),是一個(gè)國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目,也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59

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項(xiàng)目名稱:全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年的學(xué)習(xí)和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng),通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34

SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)

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具有典型的7A源/灌電流驅(qū)動(dòng)能力的SiC功率開(kāi)關(guān)

在太陽(yáng)能光伏(PV)和能量存儲(chǔ)應(yīng)用中,存在功率密度增加以及始終存在的提高效率需求的趨勢(shì)。該問(wèn)題的解決方案以碳化硅(SiC)功率器件的形式出現(xiàn)。 ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器是單通道器件,在25 V工作電壓(VDD至VSS)具有典型的7A源/灌電流驅(qū)動(dòng)能力
2020-05-27 17:08:24

如何使用電流源極驅(qū)動(dòng)器BM60059FV-C驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET和IGBT?

在開(kāi)啟時(shí)提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明,在高負(fù)載范圍和低開(kāi)關(guān)速度(《5V/ns),SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)方法相比,導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中,dv/dt 通常限制為 5V/ns,電流源驅(qū)動(dòng)器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47

如何改良SiC器件結(jié)構(gòu)

:201911217030 .7),申請(qǐng)人為上海電子科技有限公司?!   D1 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)形成流程圖  圖1示是此專利提出的一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)形成方法的流程圖,通過(guò)以上流程可以在襯底上生成第一介質(zhì)層,并對(duì)第一
2020-07-07 11:42:42

應(yīng)用全SiC模塊應(yīng)用要點(diǎn):專用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果

作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn),本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上,介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43

QX5247降壓恒流高效率亮度LED驅(qū)動(dòng)

銷售及方案解決,提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源,保障客戶利益,為客戶提供全方面服務(wù)。一、產(chǎn)品概述 QX5247 是一款降壓、恒流、高效率的高亮度 LED 驅(qū)動(dòng)器。QX5247 特別適合寬
2020-01-17 10:04:25

深愛(ài)半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

空間、降低研發(fā)生產(chǎn)成本,在小型家電中實(shí)現(xiàn)能效、空間與成本的優(yōu)化平衡。 突破能效瓶頸,駕馭小型化浪潮!面對(duì)家電與工業(yè)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域對(duì)高效率、極致緊湊、超強(qiáng)可靠性與成本控制的嚴(yán)苛需求,深愛(ài)半導(dǎo)體重磅推出
2025-07-23 14:36:03

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

和圖4所示。圖3所示,該原理圖顯示了使用雙極性柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)如何實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)。如上所述,這種雙極性柵極驅(qū)動(dòng)電壓不是強(qiáng)制性的,但它有助于最小化米勒效應(yīng),并產(chǎn)生更好的可控開(kāi)關(guān)。因此
2023-02-24 15:03:59

美甲燈殺菌燈專用升壓恒壓驅(qū)動(dòng)芯片!

美甲燈殺菌燈專用升壓恒壓驅(qū)動(dòng)芯片! 2.5V~5.0V輸入升壓芯片外圍超簡(jiǎn)單!可鋰電池供電消費(fèi)電子產(chǎn)品專用升壓芯片 低功耗 PFM DC-DC 升壓芯片 概述 AP8105 系列產(chǎn)品是一種高效率、低
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2010-04-20 09:25:2847

為何使用SCALE門極驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET?

PI的SIC1182K和汽車級(jí)SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器,可提供最大峰值輸出門極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。 SCALE-2門極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓,允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。
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2022-11-14 17:17:05923

電子榮膺“2022年度硬核中國(guó)評(píng)選:年度最佳功率器件”獎(jiǎng)

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電子入選EqualOcean 2022中國(guó)新能源科技50強(qiáng)榜單

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多家產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資,電子完成數(shù)億元Pre-B輪融資

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國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)芯片電子2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A量產(chǎn)

近期,電子自主開(kāi)發(fā)的2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動(dòng)了全國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈量產(chǎn),將更有力地保障供應(yīng),滿足市場(chǎng)需求。 電子自主開(kāi)發(fā)的SiC專用·比鄰驅(qū)動(dòng)TM芯片和通用柵極
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功率半導(dǎo)體和芯片公司,電子將攜最新碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體、芯片產(chǎn)品和解決方案參展,在N5館儲(chǔ)能技術(shù)及裝備、逆變器、電源國(guó)際品牌館亮相,并期待與您共同探討未來(lái)的綠色能源發(fā)展之路。 ? 電子致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件和模塊、柵極驅(qū)動(dòng)芯片、控制芯片產(chǎn)品
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電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證(AEC-Q101)。
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電子比鄰驅(qū)動(dòng)系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
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電子正式開(kāi)發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品

堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),同時(shí)也標(biāo)志著電子碳化硅晶圓廠邁進(jìn)新的階段。 產(chǎn)品特性 電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V,
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如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)

額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此,高端設(shè)計(jì)通常選擇專用SiC 核心驅(qū)動(dòng)器,這會(huì)考慮到更快的開(kāi)關(guān)、過(guò)壓條件以及噪聲和 EMI 等問(wèn)題。他說(shuō):“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器,但你必須用額外的電路來(lái)補(bǔ)充它,通常這就是權(quán)衡?!?/div>
2023-10-09 14:21:401509

電子正式獲得IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證

10月17日,電子通過(guò)了第三方認(rèn)證機(jī)構(gòu)TUV的嚴(yán)格評(píng)審,正式獲得IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證,表明電子碳化硅(SiC)晶圓廠的制造質(zhì)量管理體系全面符合國(guó)際汽車行業(yè)質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn),為持續(xù)、穩(wěn)定量產(chǎn)高品質(zhì)的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品,提供了堅(jiān)實(shí)保障。
2023-10-31 09:14:411886

如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路?

控制的場(chǎng)效應(yīng)器件,能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開(kāi)關(guān),同時(shí)開(kāi)關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率。之前的文章中,我們介紹了 SiC MOSFET 特有的器件特性 。今天將帶來(lái)本系
2023-11-02 19:10:011454

LED陣列的高效驅(qū)動(dòng)方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED陣列的高效驅(qū)動(dòng)方案.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 11:01:361

電子全新升級(jí)雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹

近日,電子推出了一款全新升級(jí)的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504,它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點(diǎn),并將拉灌電流峰值由4A增加到5A,驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng),且上拉速度更快,也
2023-11-03 09:22:522120

SiC驅(qū)動(dòng)模塊的應(yīng)用與發(fā)展

SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì),使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:301752

SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737

電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,電子開(kāi)發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:183074

金升陽(yáng)IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì),半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大;對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源,市場(chǎng)潛力巨大。
2023-12-01 09:47:421458

電子榮獲“汽車芯片50強(qiáng)”獎(jiǎng) 展現(xiàn)技術(shù)水平

2023年11月28日,電子在北京舉辦的“向亦莊”汽車芯片大賽中脫穎而出,憑借其車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn),榮獲“汽車芯片50強(qiáng)”獎(jiǎng)項(xiàng),展現(xiàn)了電子在汽車芯片領(lǐng)域的技術(shù)水平和發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-12-01 09:56:581854

電子榮獲“汽車芯片50強(qiáng)”獎(jiǎng),展現(xiàn)技術(shù)水平

2023年11月28日,電子在北京舉辦的“向亦莊”汽車芯片大賽中脫穎而出,憑借其車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn),榮獲“汽車芯片50強(qiáng)”獎(jiǎng)項(xiàng),展現(xiàn)了電子在汽車芯片
2023-12-01 13:41:191080

電子榮登投中2023“銳公司100榜單”

近兩年來(lái),電子快速推出了過(guò)百款產(chǎn)品,其中既有高品質(zhì)、高可靠的車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET,也有成為業(yè)界創(chuàng)新標(biāo)桿的碳化硅專用驅(qū)動(dòng)芯片和模擬PFC控制芯片,現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏與儲(chǔ)能、充電樁、通信與工業(yè)電源等領(lǐng)域,幾乎涵蓋電能“發(fā)、儲(chǔ)、輸、配、用”所有環(huán)節(jié)。
2023-12-10 16:02:192310

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)

報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57995

SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求

SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新興的功率半導(dǎo)體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:491695

碳化硅(SiC)廠商電子獲得環(huán)境與職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證

“)的碳化硅(SiC)晶圓廠,繼獲得ISO9001質(zhì)量管理體系與ITAF16949汽車行業(yè)質(zhì)量管理認(rèn)證之后,再獲2項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,表明公司的管理體系在持續(xù)完善,體現(xiàn)了公司對(duì)環(huán)境保護(hù)、員工健康安全保護(hù)的責(zé)任與承諾,并將助力公司健康、持續(xù)發(fā)展。 未來(lái),電子將持續(xù)改
2023-12-25 10:14:131597

電子榮獲2項(xiàng)電源行業(yè)配套品牌獎(jiǎng)

目前瞻電子已發(fā)布量產(chǎn)過(guò)百款碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括碳化硅(SiC) MOSFET,SBD和SiC模塊產(chǎn)品,電壓平臺(tái)涵蓋650V-1700V,而且規(guī)格齊全、封裝多樣。2023年電子
2023-12-25 18:42:341302

電子推出第二代650V車規(guī)級(jí)TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用

近日,電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝,具有體積較小,安裝簡(jiǎn)便,損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:243320

意法半導(dǎo)體與致科技就SiC達(dá)成合作!

今日(1月18日),意法半導(dǎo)體在官微宣布,公司與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致科技合作,為致科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:161639

電子完成股份改制,變更公司名稱,聚焦碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展

上海電子科技有限公司為順應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營(yíng)發(fā)展的需求,近期已順利完成股份改制,并獲得上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局的核準(zhǔn)。此次改制后,公司名稱正式變更為上海電子科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“電子”)。同時(shí),電子也進(jìn)行了公司注冊(cè)地址的變更,以適應(yīng)公司未來(lái)的發(fā)展和業(yè)務(wù)需求。
2024-03-07 09:28:332412

電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認(rèn)證

在科技不斷進(jìn)步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當(dāng)下,高效、穩(wěn)定且符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的電子元器件成為市場(chǎng)的迫切需求。上海電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱“電子”)憑借其深厚的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體技術(shù)積累,成功開(kāi)發(fā)
2024-03-07 09:37:272118

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司電子完成股份改制

2024年3月5日,上海電子科技有限公司為了適應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營(yíng)發(fā)展需要,已經(jīng)順利完成股份改制,并獲得上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn),公司名稱正式變更為:上海電子科技股份有限公司,同時(shí)也變更公司
2024-03-07 09:39:121906

電子兩款SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

Ω規(guī)格的IV2Q06060D7Z,均成功通過(guò)了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。這一認(rèn)證標(biāo)志著電子SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)滿足了汽車行業(yè)對(duì)高可靠性、高性能的嚴(yán)格要求,為新能源汽車市場(chǎng)的高效發(fā)展注入了新的活力。
2024-03-07 09:43:181605

電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

3月8日,電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:381469

電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

近日,電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748

電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664

電子推出一款車規(guī)級(jí)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,電子正式推出一款車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562

電子將攜SiC器件及驅(qū)動(dòng)芯片參展CIAS功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新大會(huì)

4月23-24日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)將于蘇州獅山國(guó)際會(huì)議中心舉行。電子將作為鉆石贊助商參展亮相,展示最新產(chǎn)品及方案,歡迎業(yè)界伙伴們蒞臨參觀和交流。
2024-04-16 09:49:551192

如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?

IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗,SiC MOSFET的導(dǎo)通壓降對(duì)門
2024-05-13 16:10:171487

電子出席德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2024展會(huì)

電子將于6月11日-13日,參加德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2024展會(huì)。
2024-05-23 14:02:041258

電子IVCR2404MP系列雙通道驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品介紹

電子開(kāi)發(fā)的2款極緊湊封裝的柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2404MP通過(guò)可靠性認(rèn)證,并正式量產(chǎn)。這兩款產(chǎn)品為24V 4A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)系列芯片IVCR2404MP,采用極緊湊的MSOP-8封裝,對(duì)比SOIC-8封裝,占用PCB面積減少49%,體積減小68%。
2024-06-22 09:43:423662

電子兩款緊湊封裝柵極驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

近日,電子傳來(lái)喜訊,其自主研發(fā)的2款極緊湊封裝的柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2404MP已成功通過(guò)可靠性認(rèn)證,并正式投入量產(chǎn)。這兩款高性能產(chǎn)品,標(biāo)志著電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一次重要突破。
2024-06-22 14:21:161986

電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證

近日,上海電子科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“電子”)基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
2024-06-24 09:13:201944

電子SiC MOSFET技術(shù)新突破,車規(guī)級(jí)產(chǎn)品正式量產(chǎn)

Ω SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)成功通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證,這一里程碑式的成果標(biāo)志著電子SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力達(dá)到了新的高度。
2024-06-24 10:05:431444

電子將參加2024慕尼黑上海電子

7月8日-10日,電子將于上海新國(guó)際博覽中心參加慕尼黑上海電子展,展示碳化硅(SiC)分立器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品,以及多種參考設(shè)計(jì)方案,歡迎各界朋友蒞臨E4館-4735展臺(tái)參觀和交流。
2024-07-03 14:43:101312

電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬(wàn)顆 產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性得到驗(yàn)證

來(lái)源:電子 近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來(lái),電子累計(jì)交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬(wàn)顆以上,其中包含近400萬(wàn)顆車規(guī)級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用在新能源汽車市場(chǎng)
2024-09-27 10:43:23908

電子邀您相約中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)

11月9日-10日,電子將赴西安參展2024 中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEEC & CPSSC 2024),展示最新的650V~3300V
2024-11-07 18:06:211389

電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求,電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn),讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效,組裝時(shí)能自動(dòng)化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201444

電子推出車規(guī)級(jí)1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用

(AEC-Q101),工作結(jié)溫高達(dá)175℃,可承受10ms高達(dá)300A浪涌電流沖擊,正向電壓(Vf)為正溫度系數(shù),有利于二極管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流平衡,且在高溫能保持穩(wěn)定運(yùn)行,保障了系統(tǒng)高效和可靠。 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 電子基于浙江SiC晶圓廠成熟SiC SBD工藝技術(shù),開(kāi)發(fā)了這4款新產(chǎn)品,延續(xù)了良好的產(chǎn)品性能和可靠性,
2024-12-02 09:07:342155

電子榮獲胡潤(rùn)全球瞪羚企業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)

1月8日晚,“北京亦莊?2025 胡潤(rùn)全球瞪羚企業(yè)大會(huì)”盛大召開(kāi)。中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體IDM廠商電子受邀出席,副總經(jīng)理曹峻現(xiàn)場(chǎng)領(lǐng)取 “胡潤(rùn)全球瞪羚” 企業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)。
2025-01-09 16:33:221031

AN-1535:ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器性能驅(qū)動(dòng)SiC功率開(kāi)關(guān)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-1535:ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器性能驅(qū)動(dòng)SiC功率開(kāi)關(guān).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-15 16:43:040

驅(qū)動(dòng)Microchip SiC MOSFET

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動(dòng)Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 13:59:122

電子完成C輪首批近十億元融資

融資的首批資金將主要用于加速產(chǎn)品和工藝的研發(fā)進(jìn)程,以及擴(kuò)大碳化硅(SiC)晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模。此外,部分資金還將用于公司的日常運(yùn)營(yíng),以確保業(yè)務(wù)的穩(wěn)健發(fā)展。 通過(guò)持續(xù)加大研發(fā)投入和擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,電子旨在進(jìn)一步提升其產(chǎn)品
2025-01-22 10:44:04668

SiC產(chǎn)業(yè)融資熱潮持續(xù),五家企業(yè)近期成功獲資

2017年成立以來(lái),電子已累計(jì)獲得超過(guò)二十億元的股權(quán)融資,并在2024年實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)份額的顯著擴(kuò)大,銷售業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)了100%以上,交付了大量SiC MOSFET、SiC SBD和驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品。
2025-01-23 14:20:001169

電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

日前,電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試,并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。
2025-03-01 09:27:101307

電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

近日,電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景,提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試。
2025-03-11 15:22:521253

中微愛(ài)通道電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片介紹

AiP6188/AiP6187是一款通道電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片;自動(dòng)模式支持驅(qū)動(dòng)兩路四相步進(jìn)電機(jī)和一路直流電機(jī);手動(dòng)模式兩路步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)通道的8個(gè)輸出口可自定義輸出時(shí)序,在此模式驅(qū)動(dòng)五路直流電機(jī)。
2025-03-13 09:59:431184

電子榮獲思格新能源“聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)”

近日,上海電子科技股份有限公司憑借與思格新能源在光儲(chǔ)充領(lǐng)域的深度合作,以及在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新,在思格2025全球供應(yīng)商大會(huì)上榮獲 “聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)”。這一獎(jiǎng)項(xiàng)不僅是對(duì)電子技術(shù)與產(chǎn)品的高度認(rèn)可,也是雙方戰(zhàn)略合作成果的有力見(jiàn)證。
2025-03-21 17:05:37908

電子邀您相約PCIM Europe 2025

電子將于2025年5月6日至8日在德國(guó)紐倫堡的PCIM Europe 2025展會(huì)上展出。我們的核心團(tuán)隊(duì)成員將在我們的展位歡迎您。
2025-04-27 10:06:21859

電力電子新未來(lái):珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊

珠聯(lián)璧合,SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來(lái) 珠聯(lián)璧合,雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅(qū)動(dòng)板重塑電力電子行業(yè)價(jià)值
2025-05-03 15:29:13628

SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新,賦能高效能源未來(lái)

BASiC Semiconductor(基本半導(dǎo)體)作為領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件及驅(qū)動(dòng)解決方案提供商,始終致力于通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的高效化與智能化。其最新推出的隔離型門極驅(qū)動(dòng)器及低邊
2025-06-19 16:51:49704

季豐電子與林眾電子電子達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

近日,上海季豐電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“季豐電子”)與上海林眾電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“林眾電子”)、上海電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“電子”)正式達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,三方將共建功率半導(dǎo)體領(lǐng)域聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,聚焦技術(shù)研發(fā)、測(cè)試分析與產(chǎn)業(yè)服務(wù),共同推動(dòng)行業(yè)技術(shù)能力提升。
2025-05-27 17:53:47878

電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——電子開(kāi)發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆,為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048

電子八周年慶典順利舉行

近日,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商——電子在浙江義烏晶圓廠(Yfab)隆重舉辦主題為 “創(chuàng)八載,無(wú)限熱愛(ài)” 的 8 周年慶典。義烏經(jīng)開(kāi)區(qū)領(lǐng)導(dǎo)、股東代表、關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商與全體人齊聚,共同見(jiàn)證浙江義烏晶圓廠(Yfab)第二期擴(kuò)建潔凈間啟用和新設(shè)備搬入的重要時(shí)刻。
2025-07-25 11:43:441321

電子榮獲上海市企業(yè)技術(shù)中心認(rèn)定

近期,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商——上海電子科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“電子”),經(jīng)多維度嚴(yán)格評(píng)審,憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新體系與產(chǎn)業(yè)化成果,被正式認(rèn)定為 “上海市企業(yè)技術(shù)中心”。這項(xiàng)市級(jí)權(quán)威認(rèn)證,標(biāo)志著公司研發(fā)創(chuàng)新能力與行業(yè)領(lǐng)先地位再上新臺(tái)階。
2025-09-12 09:27:171479

EVAL-1ED3330MC12M-SiC評(píng)估板:助力SiC柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估與設(shè)計(jì)

EVAL-1ED3330MC12M-SiC評(píng)估板:助力SiC柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估與設(shè)計(jì) 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估和設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一Infineon
2025-12-18 14:20:18275

電子接連斬獲四項(xiàng)行業(yè)重磅獎(jiǎng)項(xiàng)

近期,電子憑借在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的綜合實(shí)力,接連斬獲四項(xiàng)行業(yè)重磅獎(jiǎng)項(xiàng):在“2025行家極光獎(jiǎng)”評(píng)選中一舉拿下【年度優(yōu)秀產(chǎn)品】【第三代半導(dǎo)體年度成長(zhǎng)企業(yè)】【中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)】三項(xiàng)
2025-12-18 16:33:39327

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