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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局分析

各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局分析

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TPAK封裝IGBT模塊新能源電機(jī)控制器的應(yīng)用

自從特斯拉第三代電驅(qū)系統(tǒng)選用TPAK SiC模塊獲得廣泛應(yīng)用和一致好評(píng)后,國內(nèi)各大IGBT模塊封測(cè)廠家、新能源汽車主機(jī)及電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開發(fā)商也紛紛把目光投向了這個(gè)簡小精悍的半導(dǎo)體功率模塊封裝-TPAK
2023-10-18 11:49:3521969

SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,MOSFET可以反向?qū)?,即工?b class="flag-6" style="color: red">在同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計(jì)算方法。
2025-06-18 17:44:464438

Boost變換器中SiCIGBT模塊熱損耗對(duì)比研究

不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性,還直觀的體現(xiàn)了SiCIGBT兩類模塊不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢(shì)。從文中可以看出,使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:053383

一文詳解雜散電感對(duì)SiCIGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅(SiC模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:403194

Si IGBTSiC MOSFET混合器件特性解析

Si IGBT和SiCMOSFET器件不同電流下的優(yōu)異特性,一般會(huì)將的Si-IGBTSiC-MOSFET按照一定比例進(jìn)行混合并聯(lián)使用。
2025-01-21 11:03:572639

IGBT模塊有哪些特點(diǎn)和應(yīng)用呢

IGBT模塊是由哪些模塊組成的?IGBT模塊有哪些特點(diǎn)?IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢?
2021-11-02 07:39:10

IGBT模塊瞬態(tài)熱特性退化分析

的可再生能源,而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件,因此其可靠性對(duì)光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一,模塊退化過程中,熱性能變化對(duì)于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03

IGBT并聯(lián)技術(shù)分析

和驅(qū)動(dòng)回路須保持最小回路漏感及嚴(yán)格的對(duì)稱布局,模塊應(yīng)盡量靠近,并優(yōu)化均衡散熱,以提高并聯(lián)IGBT的均流效果。4)串聯(lián)均流電感:交流輸出端串聯(lián)的電感可以抑制IGBT和二極管開關(guān)過程中的電流變化率,可以大大
2015-03-11 13:18:21

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

的上限。SiC晶體管的出現(xiàn)幾乎消除了IGBT的開關(guān)損耗,以實(shí)現(xiàn)類似的導(dǎo)通損耗(實(shí)際,輕載時(shí)更低)和電壓阻斷能力,除了降低系統(tǒng)的總重量和尺寸外,還能實(shí)現(xiàn)前所未有的效率?! ∪欢?,與大多數(shù)顛覆性技術(shù)
2023-02-27 13:48:12

SiC-MOSFET體二極管特性

一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

的小型化。  另外,SiC-MOSFET能夠IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化?! ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)

,SiC-MOSFET能夠IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝),而且體
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管(Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET),組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器,就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39

SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)其1

的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息也非常有用?!皷艠O誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET+低邊
2018-11-30 11:31:17

SiC功率模塊的特征與電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

。例如,SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。關(guān)于“高速工作”,通過提高開關(guān)頻率,變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實(shí)際上有能做到原有1/10左右的例子?!案邷毓ぷ鳌笔侵溉菰S
2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

SiC-MOSFET能夠IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件概述

1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且器件制作時(shí)可以較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21

SiC器件新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望

)封裝  3D封裝技術(shù)將SiC模塊橋臂直接疊加在下橋臂,上下疊加后可以減小橋臂中點(diǎn)的連接線,該封裝技術(shù)可將模塊寄生電感降至1 nH以下。  圖2 3D封裝示意圖 ?。╝)高頻(HF)整流器 ?。╞
2023-02-27 14:22:06

IGBT模塊中氮化鋁陶瓷基板的應(yīng)用如何?

基板電力電子模塊技術(shù)中,主要是作為各種芯片(IGBT芯片、Diode芯片、電阻、SiC芯片等)的承載體,陶瓷基板通過表面覆銅層完成芯片部分連接極或者連接面的連接,功能近似于PCB板。氮化鋁陶瓷基板具有
2017-09-12 16:21:52

Si-MOSFET與IGBT的區(qū)別

一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26

使用隔離式IGBTSiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南

使用隔離式IGBTSiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56

SiC功率模塊介紹

功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04

SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化了散熱設(shè)計(jì)的新封裝,成功提高了額定電流。另外,與普通的同等額定電流的IGBT+FRD模塊相比,開關(guān)損耗降低了75%(芯片溫度150℃時(shí))。不僅如此,利用SiC功率元器件的優(yōu)勢(shì)–高頻驅(qū)動(dòng),不僅
2018-12-04 10:24:29

SiC功率模塊的開關(guān)損耗

降低了約60%,而第三代第二代的基礎(chǔ)又降低了約42%,與IGBT相比則開關(guān)損耗可降低約77%。如上所述,全SiC功率模塊的開關(guān)損耗大大低于同等IGBT模塊的開關(guān)損耗,而且開關(guān)頻率越高,與IGBT模塊
2018-11-27 16:37:30

內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT FRD+IGBT的車載充電器案例中 開關(guān)損耗降低67%

內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT:RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBTFRD+IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC
2022-07-27 10:27:04

如何使用電流源極驅(qū)動(dòng)器BM60059FV-C驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET和IGBT?

極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望,開發(fā)了一種測(cè)試板,其中測(cè)試了分立式IGBTSiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也另一塊板實(shí)現(xiàn),見圖3?!     D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器(頂部)和電流源驅(qū)動(dòng)器(底部)的半橋
2023-02-21 16:36:47

開關(guān)損耗更低,頻率更高,應(yīng)用設(shè)備體積更小的全SiC功率模塊

ROHM全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32

急需IGBT模塊

現(xiàn)急需FF1200R17IP5英飛凌原IGBT模塊,有誰有渠道的幫幫忙!
2020-01-12 10:47:52

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18

深愛原一級(jí)代理SIC995x系列 全系列代理

深愛原一級(jí)代理SIC995x系列 全系列代理詳細(xì)內(nèi)容低功率因素非隔離按鍵調(diào)光方案SIC995X 系列SIC9953 500VSOP7/DIP7
2021-07-22 11:10:22

電子書“IGBTSiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”

電子書“IGBTSiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”
2022-10-25 17:20:12

請(qǐng)問如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?

如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),需要考慮哪些問題?IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些?橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些?
2021-04-20 06:24:18

請(qǐng)問怎么解決IGBT模塊并聯(lián)時(shí)的降額問題?

怎么解決IGBT模塊并聯(lián)時(shí)的降額問題?
2021-04-08 06:21:04

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

ROHM全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50

驅(qū)動(dòng)功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?

請(qǐng)問:驅(qū)動(dòng)功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
2019-07-31 10:13:38

igbt模塊實(shí)物接線圖分析

 IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備;IGBT
2017-11-23 10:07:3991110

對(duì)SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹

眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí),它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一,因?yàn)樵诔霈F(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438319

何謂全SiC功率模塊?

羅姆全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691

最新SiC器件與Si IGBT的性能比較

直到最近,功率模塊市場(chǎng)仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉(zhuǎn)移和對(duì)更高性能的關(guān)注,使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用,這就帶來了 SiC 基功率器件的應(yīng)運(yùn)而生。
2019-11-08 11:41:5319657

SiC IGBT電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn),第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC
2020-03-20 15:56:284966

SiC IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢(shì)分析

SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了,大眾視野中很少會(huì)提及到SiC IGBT產(chǎn)品,并不是沒有,只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言,SiC器件的制成還有著很多難點(diǎn)需要突破和解決,下面我們就來看看SiC IGBT的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)。
2020-10-30 14:13:297177

SKM200GB12F4SIC2高速IGBT4模塊的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SKM200GB12F4SIC2高速IGBT4模塊的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
2020-12-03 08:00:004

Nexar為全球各大主機(jī)推出一個(gè)云端平臺(tái)

你有沒有想過,小小的行車記錄儀會(huì)對(duì)智能化發(fā)展起到至關(guān)重要的作用呢?日前,行車記錄儀制造商N(yùn)exar宣布為全球各大主機(jī)推出一個(gè)云端平臺(tái)。所有行車記錄儀所捕捉到的影像資料,都會(huì)被自動(dòng)上傳到云端,而云平臺(tái)中的云計(jì)算功能會(huì)自動(dòng)分析、處理這些影像資料。
2020-12-19 10:47:393283

影響igbt模塊散熱的因素有哪些?如何降低熱阻?

igbt模塊散熱的過程依次為igbt結(jié)上發(fā)生功率損耗;結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊;igbt模塊的熱傳導(dǎo)散熱器;散熱器的熱傳導(dǎo)到空氣中。
2022-03-11 11:20:179346

環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBTSiC電源模塊

搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞,預(yù)計(jì)2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBTSiC電源模塊。
2022-01-10 10:50:401092

汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品簡介

就在德國紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天,Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會(huì),PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan講解了一個(gè)汽車級(jí)IGBT/SiC(碳化硅
2022-05-17 11:56:294930

聞泰科技布局汽車市場(chǎng) 加速推進(jìn)IGBT!

日前業(yè)績上說明會(huì),聞泰科技董事長、總裁張學(xué)政表示,上市公司正在布局IGBT、SiC、GaN等產(chǎn)品,來自汽車與工業(yè)需求持續(xù)增長,成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)增長的主要?jiǎng)恿Α?/div>
2022-10-10 10:45:46788

Ameya360:SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造

一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT的尾
2023-01-12 16:35:471139

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:231562

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-Id特性,Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548

SiC功率模塊的開關(guān)損耗

SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關(guān)損耗、2)開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:221533

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522

常見IGBT模塊及原理分析

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類。
2023-02-20 17:32:259115

未來的重點(diǎn)方向:SicIGBT

IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點(diǎn),根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic MOsfet(技術(shù)更優(yōu)),MCU的供應(yīng)商是意法半導(dǎo)體,基本可以結(jié)論,SicIGBT會(huì)是未來的重點(diǎn)方向。
2023-03-24 10:18:361287

逆變器IGBT模塊的使用分析,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)

逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流,以及使用頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前,請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊的技術(shù)參數(shù)確定使用方案,計(jì)算
2023-09-20 17:49:522996

揚(yáng)杰科技新能源車用IGBTSiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約

近日,江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式,揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡稱揚(yáng)杰科技)新能源車用IGBT、碳化硅(SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。
2024-02-22 10:03:541918

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈円呀?jīng)被認(rèn)為具有較高的寄生電感。
2024-05-08 17:43:581879

日立(HITACHI)耐高壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)/碳化硅(SiC)模塊

耐高壓SiCIGBT模塊是一種集成了碳化硅(SiC)材料和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的電力電子器件。SiC材料因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率,能夠高溫和高電壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能,從而顯著提高
2024-07-09 10:55:071422

igbt模塊igbt驅(qū)動(dòng)有什么區(qū)別

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊IGBT驅(qū)動(dòng)是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個(gè)組成部分。它們許多應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽能
2024-07-25 09:15:072593

提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET的設(shè)計(jì)成功主要發(fā)生在低功率到20kW范圍內(nèi)
2024-08-19 11:31:252088

IGBTSiC封裝用的環(huán)氧材料

IGBTSiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對(duì)這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析:1.熱管理導(dǎo)熱性能:環(huán)氧樹脂需要具備良好的導(dǎo)熱性能,以有效散熱,防止器件過熱
2024-10-18 08:03:072236

激光焊錫IGBT模塊的優(yōu)勢(shì)

IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于其節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),根據(jù)其電壓可分為高壓GBT模塊、中
2024-12-13 09:13:45922

下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)

的影響 引線框架氧化對(duì)模塊分層的影響 去溢料的過程對(duì)模塊分層的影響 之前,國內(nèi)絕大多數(shù)功率器件IGBT SiC模塊廠家采用傳統(tǒng)硅膠灌封方式;隨著國內(nèi)客戶新能源車用電網(wǎng)電力風(fēng)電方面(1200V以上領(lǐng)域)對(duì)模塊封裝的要求越來越高,硅膠灌封有不足之處,
2024-12-30 09:10:562286

SiC模塊封裝技術(shù)解析

較多的闡述,比如IGBT模塊可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估,功率器件IGBT模塊封裝工藝技術(shù)以及IGBT封裝技術(shù)探秘都比較詳細(xì)的闡述了功率模塊IGBT模塊從設(shè)計(jì)到制備的過程,那今天講解最近比較火的SiC模塊封裝給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 SiC近年來光伏,工業(yè)電
2025-01-02 10:20:241787

中國汽車主機(jī)海外工廠布局(國家地區(qū)/車型/產(chǎn)能)

表現(xiàn)等等;分析了上汽、奇瑞、長安、東風(fēng)、吉利、長城、比亞迪、蔚來、哪吒、小鵬等主機(jī)海外的市場(chǎng)表現(xiàn)、出海策略和海外工廠建設(shè)布局等等;分析了寧德時(shí)代、中創(chuàng)新航、弗迪
2025-01-13 16:33:001281

儲(chǔ)能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊

儲(chǔ)能變流器(PCS)中,碳化硅(SiC)功率模塊全面取代傳統(tǒng)IGBT模塊的趨勢(shì)主要源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、成本效益以及系統(tǒng)級(jí)性能提升。SiC模塊PCS中取代IGBT的核心邏輯在于:高頻高效降低系統(tǒng)
2025-02-05 14:37:121188

高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-10 09:41:151010

高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-09 20:17:291127

BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

基本股份)成本逐漸與進(jìn)口IGBT模塊持平。這推動(dòng)了國產(chǎn)SiC模塊國內(nèi)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用,加速了對(duì)進(jìn)口IGBT模塊的替代進(jìn)程。 通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電壓和電路設(shè)計(jì),可以充分發(fā)揮SiC模塊的優(yōu)勢(shì),同時(shí)避免因驅(qū)動(dòng)問題導(dǎo)致的性能下降或可靠性問題。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)
2025-02-13 19:19:52951

2025被廣泛視為SiC碳化硅電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)單管及模塊
2025-03-07 09:17:271322

國產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)

這場(chǎng)價(jià)格絞殺戰(zhàn)。以下從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)背景、國產(chǎn)SiC模塊的應(yīng)對(duì)策略及未來展望展開深度分析: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率
2025-03-21 07:00:50938

中國電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊

、經(jīng)濟(jì)、政策及挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)五大維度展開深度分析: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體
2025-03-21 08:19:15797

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊中國市場(chǎng)掀起了降價(jià)超過30%的IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn),其背后的邏輯不僅是市場(chǎng)份額爭(zhēng)奪的“回光返照
2025-03-21 13:18:121055

工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)加速跨入碳化硅(SiC模塊時(shí)代

分析: 一、技術(shù)性能優(yōu)勢(shì):SiC模塊對(duì)IGBT的全面超越 高效低損耗 SiC MOSFET的開關(guān)速度遠(yuǎn)高于IGBT,開關(guān)損耗(Eon/Eoff)降低70%-80%,且高溫下?lián)p耗呈現(xiàn)負(fù)溫度特性(隨溫度升高而下降),而IGBT高溫性能劣化明顯。例如,125kW儲(chǔ)能變流器采用SiC
2025-03-26 06:46:291092

中國電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊SiC模塊

。以下從大眾汽車尾氣排放造假事件、部分海外IGBT模塊供應(yīng)商的失效報(bào)告造假而造成的行業(yè)誠信問題切入,結(jié)合國產(chǎn)IGBT模塊SiC模塊的崛起背景,分析具體原因: 一、國外廠商的信任危機(jī):誠信問題與技術(shù)神話的破滅 大眾汽車尾氣排放造假事件的影響
2025-03-28 09:50:49713

IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導(dǎo)致國內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元,這一案例凸顯了功率半導(dǎo)體模塊可靠性測(cè)試的極端重要性。國產(chǎn)SiC
2025-03-31 07:04:501318

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

穩(wěn)定性和高功率密度,解決了IGBT模塊電鍍和高頻電源中的瓶頸問題。隨著技術(shù)成熟和成本下降,SiC將全面取代IGBT,推動(dòng)電源行業(yè)向更高效、緊湊、可靠的方向演進(jìn),實(shí)現(xiàn)顛覆性變革。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)
2025-04-12 13:23:05800

SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及

SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及,主要得益于以下幾方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-04-30 14:30:531035

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行
2025-05-18 14:52:081324

硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊
2025-05-30 16:24:03934

B3M020120H(SiC MOSFET)其替代IGBT單管的應(yīng)用價(jià)值分析

基于B3M020120H(SiC MOSFET)的技術(shù)參數(shù),以下是其替代IGBT單管的應(yīng)用價(jià)值分析,重點(diǎn)突出核心優(yōu)勢(shì)與潛在考量: 核心優(yōu)勢(shì) 高頻高效能 開關(guān)損耗極低 : 800V/55A條件下
2025-07-02 10:16:391581

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面升級(jí)替代 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-09-05 08:36:442200

62mm封裝SiC MOSFET模塊多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析

傾佳電子62mm封裝SiC MOSFET模塊多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-09-07 10:18:03770

傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因

、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力
2025-09-07 14:57:042117

傾佳電子行業(yè)洞察:碳化硅(SiC模塊加速全面取代IGBT模塊的深度剖析

傾佳電子行業(yè)洞察電力電子技術(shù)演進(jìn)的必然:碳化硅(SiC模塊加速取代絕緣柵雙極晶體管(IGBT模塊的深度剖析,SiC模塊正在加速革掉IGBT模塊的命! 傾佳電子(Changer Tech)是一家
2025-09-09 10:46:16799

傾佳電子:BMF540R12KA3碳化硅SiC模塊全面取代英飛凌FF800R12KE7 IGBT模塊的深度分析報(bào)告

傾佳電子:BMF540R12KA3碳化硅SiC模塊全面取代英飛凌FF800R12KE7 IGBT模塊的深度分析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連
2025-10-16 09:16:23434

傾佳電子SiC廚房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析

傾佳電子SiC廚房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力
2025-10-11 10:55:212710

傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命:基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊

傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命:基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子
2025-10-11 10:56:371141

傾佳電子基于SiC模塊的120kW級(jí)聯(lián)SST固態(tài)變壓器功率模塊設(shè)計(jì)與拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">分析

電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主
2025-10-22 15:50:382351

傾佳電子全面分析高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張

傾佳電子全面分析高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國
2025-11-02 12:20:381348

傾佳電子SiC碳化硅功率模塊高效水泵風(fēng)機(jī)變頻器中的應(yīng)用價(jià)值:一項(xiàng)技術(shù)分析

傾佳電子SiC碳化硅功率模塊高效水泵風(fēng)機(jī)變頻器中的應(yīng)用價(jià)值:一項(xiàng)技術(shù)分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-11-02 12:50:26193

傾佳電子SiC模塊BMF540R12KA3替代富士電機(jī) IGBT模塊 2MBI800XNE120 的綜合技術(shù)與應(yīng)用分析

傾佳電子電力電子應(yīng)用深度研究報(bào)告:基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET功率模塊 BMF540R12KA3 替代富士電機(jī) IGBT模塊 2MBI800XNE120 的綜合技術(shù)與應(yīng)用分析 傾佳電子
2025-11-20 08:20:131015

傾佳電子高速風(fēng)機(jī)變頻器從IGBTSiC模塊全面轉(zhuǎn)型的深度技術(shù)動(dòng)因分析報(bào)告

傾佳電子高速風(fēng)機(jī)變頻器從IGBTSiC模塊全面轉(zhuǎn)型的深度技術(shù)動(dòng)因分析報(bào)告 傾佳電子-楊茜-SiC碳化硅MOSFET微芯(壹叁貳 陸陸陸陸 叁叁壹叁) 傾佳電子-臧越-SiC碳化硅MOSFET微芯
2025-11-30 10:15:211316

雙脈沖測(cè)試技術(shù)解析報(bào)告:國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估

雙脈沖測(cè)試技術(shù)解析報(bào)告:國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-12-15 07:48:22466

探索GD3162:先進(jìn)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能

先進(jìn)的、具有電流隔離功能的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,主要用于xEV牽引逆變器中的SiCIGBT模塊驅(qū)動(dòng)。它通過先進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)功能,節(jié)省空
2025-12-24 14:25:02223

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