)的雙脈沖測試軟件 (WBG-DPT) 包含一種專為雙脈沖測試設(shè)計的新型消偏技術(shù)。這種新穎的方法與傳統(tǒng)方法截然不同,并且 速度顯著提升,可以將測試時間縮短數(shù)小時 。 該技術(shù)適用于使用FET(場效應(yīng)晶體管)或IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的功率轉(zhuǎn)換器
2025-06-25 17:17:02
1543 
雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。
2020-12-21 14:58:07
9335 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容,因此請結(jié)合上一篇
2020-12-21 14:25:45
10373 
通常情況下,為了測試器件的動態(tài)特性,我們都會搭建一個通用的雙脈沖測試平臺。測試平臺的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測功率器件和驅(qū)動電路。雙脈沖測試電路的原理為半橋電路,如圖1所示。
2022-04-17 09:16:30
7931 雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:58
3082 雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時,這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)
2022-10-12 15:31:13
3901 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測試,建立了 一種準(zhǔn)確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響 IGBT 開關(guān)損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:51
4187 IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制
2023-04-19 09:27:11
1891 通常我們對某款IGBT的認(rèn)識主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的,而實際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個性化的,往往會有所不同,因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。
2023-11-24 16:16:05
6340 
通過雙脈沖測試,可以得到IGBT的各項開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:42
16069 
利用IGBT雙脈沖測試電路,改變電壓及電流測量探頭的位置,即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測量與評估。
2023-11-24 16:52:10
2667 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測試方法,為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案,并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:57
1161 
? ? 揚杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測試更好的表征SiC MOS動態(tài)能力? ? 引言 隨著碳化硅(SiC)MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展,SiC MOS相比于Si IGBT的高頻應(yīng)用潛力得到越來越多工程師
2025-12-02 09:36:22
2300 
雙脈沖測試就是給被測器件兩個脈沖作為驅(qū)動控制信號,如圖1所示。第一個脈沖相對較寬,以獲得一定的電流。
2021-09-23 14:43:31
9641 
有些是不能直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測試,對IGBT的性能進(jìn)行更為準(zhǔn)確的評估。雙脈沖測試的主要功能如下:1、測量IGBT的各項動態(tài)參數(shù)(td>r、Eon、td off、tf、Eoff 等
2019-09-11 09:49:33
各位好,想請教下雙脈沖測試的幾個參數(shù)問題。項目所用IGBT是1200V 75A的單管,開關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測試,有幾個疑問:(1)測試時的最大電流是按額定75A來,還是150A
2019-11-06 20:47:30
有沒有大佬幫忙分析下,做雙脈沖測試的時候,第一個脈沖在關(guān)斷的時候,馬上要關(guān)完了,結(jié)果驅(qū)動出現(xiàn)了震蕩,導(dǎo)致管子立馬又開了,然后電流激增,直接就炸管了,這是什么問題啊,圖上是波形和驅(qū)動電路,求指導(dǎo)
2025-03-06 16:45:31
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容:— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測試雙脈沖測試步驟— 六并聯(lián)短路測試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33
https://mp.weixin.qq.com/s/5zWSxhNFF19kqCKUh7B4zg上述視頻鏈接包含了以下四個方面內(nèi)容:— 雙脈沖測試要點回顧— 短路的分類與安全工作區(qū)— 短路測試方法— 測試注意事項講師PPT見附件。
2020-06-28 10:48:45
`如圖請問英飛凌IGBT參數(shù)頻率參數(shù)里最大最小值分別是什么意義`
2017-08-30 13:05:50
視頻講解雙脈沖基本原理及意義,點擊下方鏈接在線觀看https://mp.weixin.qq.com/s/8BZ8b-Y6yDbRn6uQASV9iA
2020-06-24 14:18:57
https://mp.weixin.qq.com/s/C2PfLBXd7n2YDJ0ht9loow上述視頻講述了以下四方面內(nèi)容。- NPC I型三電平2種應(yīng)用方式- NPC I型三電平拓?fù)溥\行狀態(tài)- NPC I型三電平雙脈沖測試方法- NPC I型三電平短路測試方法講師PPT見附件
2020-06-28 10:40:04
...
1
T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法
由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要,T型三電平應(yīng)用越來越廣,我們開發(fā)了IGBT7 1200V 62mm共發(fā)射極模塊,最大規(guī)格電流為800A
2024-05-08 23:11:59
https://mp.weixin.qq.com/s/iYQy1ayfMAz7JKcHgS3kgQ上述為視頻鏈接,主要講一下四個問題。講師PPT見附件。— T型三電平拓?fù)涞乃姆N結(jié)構(gòu)— T型三電平拓?fù)溥\行狀態(tài)— T型三電平雙脈沖測試方法— T型三電平短路測試
2020-06-28 10:28:23
pspice中怎么得到雙脈沖測試信號?可否通過軟件自帶的信號源得到?
2015-05-27 23:02:05
`一、實驗儀器及硬件1、羅氏線圈電流探頭:2、多通道示波器及高壓差分探頭:3、手工繞制的空心電感:二、雙脈沖測試實驗臺但是對于開發(fā)電力電子裝置的工程師,無須專門搭建測試平臺,直接使用正在開發(fā)中
2021-05-17 09:49:24
——測試平臺搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖,雙脈沖及多脈沖測試方案,集成強大的發(fā)生裝置,數(shù)據(jù)測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件,測試項目包含:Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評估板的user guide之后,了解其基本功能和組成電路組成,首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關(guān)特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT(雙極型晶體管),大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上,魚目混珠的產(chǎn)品太多,特別是大功率的IGBT,全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試,調(diào)門極電阻,急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-2-25 14:58 編輯
雙脈沖測試方法的意義(1) 對比不同的IGBT 的參數(shù) , 例如同 一 品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù),或者是不同品牌
2021-02-25 10:43:27
著電能轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機控制器的性能和可靠性,需要對這些功率器件進(jìn)行嚴(yán)格的測試,其中就包括雙脈沖測試。
案例簡介 雙脈沖測試可以幫助工程師評估電機控制器中功率器件的開關(guān)速度
2025-01-09 16:58:30
信號3、泰克示波器MSO5運行IGBT town 軟件進(jìn)行設(shè)定和自動測試三、測試說明:采用雙脈沖法,用信號發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。采用MSO58功率
2021-05-20 11:17:57
于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至
2025-07-16 15:14:08
全橋型IGBT脈沖激光電源
摘要:文章介紹高壓氙燈設(shè)計的IGBT脈沖式激光電源,詳細(xì)闡述了工作原理、設(shè)計方法和仿真過程,并給出實驗波形。其主電路
2009-07-27 08:41:10
1382 
提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源,系統(tǒng)由能源系統(tǒng)和脈沖產(chǎn)生回路構(gòu)成,由單片機來控制IGBT的觸發(fā),其設(shè)計輸出為方波,電壓幅值在50 100 kV可調(diào),脈沖寬度在l~10 s可調(diào),頻率在1~
2011-12-19 14:04:33
125 由于脈沖電源有斷續(xù)供電的特性,在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用,其中高壓脈沖電源是系統(tǒng)的核心組成部分。為了獲取高重復(fù)頻率、陡前沿高壓脈沖電源,文中提出了一種基于IGBT的高
2012-04-05 15:25:49
115 特性,嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā),基于雙脈沖測試原理,設(shè)計并搭建壓接式IGBT模塊的動態(tài)開關(guān)特性測試平臺。采用Ansoft Q3D軟件對測試平臺的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真,分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法,
2017-12-26 14:16:01
3 IGBT的雙脈沖測試(Double Pulse Test)-Micro_Grid,歡迎加入技術(shù)交流QQ群:電力電子技術(shù)與新能源 905724684,關(guān)注微信公眾號:電力電子技術(shù)與新能源(Micro_Grid)
2019-06-29 09:40:53
57600 
1.對比不同的IGBT的參數(shù),例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù),或者是不同品牌的IGBT的性能。
2020-01-08 08:00:00
48 來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 前言 我們說,IGBT的雙脈沖實驗和短路實驗一般都會在一個階段進(jìn)行,但是有的時候短路測試會被忽略,原因有些時候會直接對裝置直接實施短路測試,但是此時實際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:07
7995 株洲中車的“汽車用IGBT模塊”專利針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,提供了一種能同時滿足極端高低溫狀況下的汽車級IGBT模塊雙脈沖測試方法和系統(tǒng),具有測試操作簡單、成本低、系統(tǒng)集成度以及測試效率高的優(yōu)勢。
2020-11-16 10:17:41
5556 
通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中,我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性,并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:00
24 大家好,前段時間在知乎上看到有個網(wǎng)友問:“在大功率變頻器應(yīng)用中,我們常用雙脈沖測試評估器件的動態(tài)特征,在實際中有可比性嗎?”感覺這個問題提的比較好,也是作者想和大家討論的一個話題,那我們這期就來聊聊雙脈沖測試是否能夠反映器件在真實換流中的各種電應(yīng)力。
2022-04-15 09:15:02
5559 對雙脈沖測試的原理、參數(shù)解析、注意事項、測試意義等進(jìn)行詳細(xì)介紹分析
2022-05-05 16:34:09
36 一般,我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的,因此這些參數(shù)不能都可以直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測試,通過給定兩個脈沖來測試IGBT的開關(guān)特性,進(jìn)而對器件性能進(jìn)行更準(zhǔn)確的評估。
2022-06-17 17:33:01
35778 雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實驗方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路,優(yōu)化動態(tài)過程,驗證短路保護(hù)。
雙脈沖測試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用,對電壓電流探頭要求和影響測試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:11
14800 
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的主要參數(shù),更好的評估器件性能,優(yōu)化驅(qū)動設(shè)計等等。
2022-11-04 14:06:27
5433 我們開設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性,并確認(rèn)MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:08
4173 
一、雙脈沖測試。 雙脈沖測試硬件的基本框圖如上圖所示。 高壓源通過疊層母排與電容池連接,并給電容池充電。 低壓源給驅(qū)動板供電,信號發(fā)生器給驅(qū)動板發(fā)雙脈沖。 若發(fā)雙脈沖到IGBT模塊下管,則上管截止
2023-02-22 15:16:18
4 (一)IGBT雙脈沖測試的意義 對比不同IGBT的參數(shù)及性能; 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù); 評估驅(qū)動電阻是否合適; 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩; 評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:15
19 開通特性測試采用雙脈沖測試法。由計算機設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測器件的測試要求值(一般為被測器件額定電壓的1/2),設(shè)定±VGS到測試要求值,計算機控制接通開關(guān)S1,并控制輸出被
測雙
2023-02-22 14:43:33
1 用的,只能當(dāng)做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括:ton,toff,Eon,Eoff,Isc,Irr,二極管的di/dt等。
要觀測這些參數(shù),最有效的方法就是‘雙脈沖測試法’。
2023-02-22 14:25:00
5 功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動態(tài)特性參數(shù),開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機或者源表等設(shè)備直接測出,動態(tài)特性參數(shù)則可以通過電容測試平臺描繪出,最后開關(guān)特性參數(shù)則需要用到雙脈沖測試才能準(zhǔn)確測得。
2023-02-22 14:40:20
8815 ,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其
恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
2023-02-23 10:00:20
0
已全部加載完成
評論