今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
2025-08-29 14:38:01
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碳化硅 (SiC) 是一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，將在許多應(yīng)用中取代硅 (Si)。將 SiC 用于電動(dòng)汽車 (EV) 的想法誕生于努力提高此類車輛的效率和續(xù)航里程，同時(shí)降低整車的重量和成本，從而提高控制電子設(shè)備的功率密度。
2022-07-27 14:37:233167 
。Wolfspeed 將為梅賽德斯-奔馳供應(yīng)碳化硅器件，賦能其未來(lái)電動(dòng)汽車平臺(tái)，為其動(dòng)力總成帶來(lái)更高效率。梅賽德斯-奔馳部分汽車線的新一代動(dòng)力總成系統(tǒng)將采用 Wolfspeed 半導(dǎo)體。 ? ? 梅賽德斯-奔馳采購(gòu)
2023-01-06 15:03:40843 
本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新
2025-02-19 11:35:411716 
德?tīng)柛？萍纪瞥鰳I(yè)界領(lǐng)先800伏碳化硅逆變器，將電動(dòng)汽車充電時(shí)間減半
2019-09-20 14:55:532585 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
隨著電動(dòng)汽車的火熱發(fā)展，充電樁和車載充電器的方案已經(jīng)成為市場(chǎng)的熱點(diǎn)。 此類應(yīng)用中，其輸入電壓大都是三相交流輸入，經(jīng)過(guò)三相PFC后，直流母線電壓會(huì)高到7，800V， 如此高的直流母線電壓給后級(jí)
2018-10-17 16:55:50
，增加電流會(huì)導(dǎo)致線束問(wèn)題，反過(guò)來(lái)又增加了車輛重量。增加電壓到400V或更高才是可行的解決方案。采用電力電子器件的寬帶隙解決方案 - 碳化硅（SiC），即可在高壓下有效地傳輸電力。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體
2019-03-11 06:45:02
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
?！ OM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節(jié)省15%成本 加快上市等于減少了時(shí)間成本 半導(dǎo)體廠商通常都通過(guò)參考設(shè)計(jì)為其器件提供廣泛的支持。對(duì)于上面提到的OBC應(yīng)用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開(kāi)關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
92%的開(kāi)關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)一步簡(jiǎn)化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無(wú)反向恢復(fù)電流? 溫度無(wú)關(guān)開(kāi)關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢(shì)：?基本上
2021-11-06 09:26:20
對(duì)比 我們采用雙脈沖的方法來(lái)比較一下基本半導(dǎo)體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
。雖然碳化硅組件可望成為推動(dòng)電力設(shè)備由機(jī)械轉(zhuǎn)向電子結(jié)構(gòu)的重要推手，但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應(yīng)用市場(chǎng)，其實(shí)是電動(dòng)汽車。電動(dòng)汽車應(yīng)用之所以對(duì)碳化硅組件的需求如此殷切，主要原因在于可實(shí)現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0）的時(shí)候，T2為主開(kāi)關(guān)管。 當(dāng)T2開(kāi)通時(shí)，電感L儲(chǔ)能，電流
2023-02-28 16:48:24
場(chǎng)效應(yīng)管（Si MOSFET）以前從未考慮過(guò)的應(yīng)用而變得更具有吸引力?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET越來(lái)越多用于千瓦級(jí)功率水平應(yīng)用，涵蓋如通電源，和服務(wù)器電源，和快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車電池充電器市場(chǎng)等領(lǐng)域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
器件包括主開(kāi)關(guān)MOSFET：C3M0065100K； 輸出碳化硅二極管：C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET：C2M1000170D方案能廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)汽車充電、通信
2016-08-05 14:32:43
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
/混合動(dòng)力汽車半導(dǎo)體領(lǐng)袖，緊跟市場(chǎng)趨勢(shì)，提供全面的高性能方案，包括超級(jí)結(jié)SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門極驅(qū)動(dòng)器、電流檢測(cè)放大器、快恢復(fù)二極管，滿足電動(dòng)汽車充電樁市場(chǎng)需求并推動(dòng)創(chuàng)新。
2019-08-06 06:39:15
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
碳化硅（SiC） MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT和汽車功率模塊（APM）等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案，以專知和經(jīng)驗(yàn)支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能，加快開(kāi)發(fā)周期。本文將主要介紹針對(duì)主流功率等級(jí)的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，國(guó)內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，在國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件制造商中率先完成了質(zhì)量管理體系---汽車行業(yè)生產(chǎn)件與相關(guān)服務(wù)件的組織實(shí)施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
直流快充，三相交流輸入需要經(jīng)過(guò)三相PFC整流輸出電壓為800V，因此后級(jí)隔離采用如圖6左所示復(fù)雜三電平硅方案，碳化硅MOSFET可以使電路從復(fù)雜三電平變?yōu)閮呻娖饺珮螂娐穂2]，減小開(kāi)關(guān)器件數(shù)量；(2
2016-08-25 14:39:53
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導(dǎo)體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET?！ ?、通用型驅(qū)動(dòng)核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對(duì)于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
。由于直流充電樁采用三相四線制供電，可以提供足夠的功率，輸出的電壓和電流調(diào)整范圍大，可以實(shí)現(xiàn)快充的要求。 二、解決方案： 直流充電樁要實(shí)現(xiàn)快充功能，輸出電流大，因此采用三相交流電（380V）供電，本方案采用高性價(jià)比的MOS管，輸出搭配碳化硅肖特基二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">充電器的特點(diǎn)如下：
2020-07-02 15:50:49
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用?？蓮V泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛(ài)好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
E3M0120090J通過(guò)推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴(kuò)展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；業(yè)內(nèi)首個(gè)汽車認(rèn)證；業(yè)界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用
2022-05-22 10:54:29
C3M0065100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對(duì)電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)等快速開(kāi)關(guān)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。1000 V 碳化硅 MOSFET 通過(guò)
2022-05-22 22:19:10
C3M0065100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對(duì)電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)等快速開(kāi)關(guān)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。1000 V 碳化硅 MOSFET 通過(guò)
2022-05-23 18:20:10
C3M0120100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對(duì)電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)等快速開(kāi)關(guān)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。1000 V 碳化硅 MOSFET 通過(guò)
2022-05-23 20:57:39
C3M0120100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對(duì)電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)等快速開(kāi)關(guān)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。1000 V 碳化硅 MOSFET 通過(guò)
2022-05-23 21:05:47
C3M0021120D是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化的器件，可用于 UPS 等大功率應(yīng)用；電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)；開(kāi)關(guān)電源；太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)；電動(dòng)汽車充電；高壓 DC/DC
2022-05-23 21:30:45
C3M0021120K是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化的器件，可用于 UPS 等大功率應(yīng)用；電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)；開(kāi)關(guān)電源；太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)；電動(dòng)汽車充電；高壓 DC/DC
2022-05-23 21:43:24
E3M0075120K為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級(jí)碳化硅 MOSFET。通過(guò)推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴(kuò)展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；業(yè)內(nèi)首個(gè)汽車認(rèn)證
2022-05-24 21:52:50
E3M0075120D為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級(jí)碳化硅 MOSFET。通過(guò)推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴(kuò)展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；業(yè)內(nèi)首個(gè)汽車認(rèn)證
2022-05-24 21:59:02
對(duì)于大功率應(yīng)用，如電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度和更低的通態(tài)電阻。
2017-11-01 11:47:51
42 科銳（Nasdaq: CREE）旗下Wolfspeed于近日宣布推出E-系列碳化硅（SiC）半導(dǎo)體器件。這一新型產(chǎn)品家族針對(duì)電動(dòng)汽車EV和可再生能源市場(chǎng)，能夠?yàn)檐囕d汽車功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、非車載充電、太陽(yáng)能逆變器和其它戶外應(yīng)用提供目前最高的功率密度和長(zhǎng)期可靠性。
2018-08-30 15:32:045412 保護(hù)功能的充電樁對(duì)于實(shí)現(xiàn)以盡可能短的充電時(shí)間續(xù)航更遠(yuǎn)的里程至關(guān)重要。常用的半導(dǎo)體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅（SiC）。安森美半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過(guò)
2020-01-01 17:02:009515 
作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 碳化硅器件在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用介紹說(shuō)明。
2021-06-10 10:51:0875 通用汽車于近日宣布達(dá)成一項(xiàng)戰(zhàn)略供應(yīng)商協(xié)議，約定 Wolfspeed 為通用汽車的未來(lái)電動(dòng)汽車計(jì)劃開(kāi)發(fā)并提供碳化硅（SiC）功率器件解決方案。
2021-10-11 15:27:361086 
碳化硅還減小了電動(dòng)汽車車載充電器和電池管理解決方案的尺寸，最近導(dǎo)致它們集成到 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和配電單元中。
2022-05-16 15:21:502993 電動(dòng)汽車 (EV) 以及更普遍的電動(dòng)汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時(shí)間。長(zhǎng)期以來(lái)，電動(dòng)汽車一直被認(rèn)為是弱點(diǎn)之一，充電時(shí)間逐漸縮短，采用快速充電等先進(jìn)解決方案，只需幾分鐘。直接
2022-08-03 09:20:213260 
對(duì)基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長(zhǎng)，以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量，從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應(yīng)用范圍從電動(dòng)汽車和充電站到智能電網(wǎng)以及工業(yè)和航空電力系統(tǒng)。
2022-08-08 09:34:321759 
關(guān)于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此應(yīng)用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系統(tǒng)成本更低，組件更少。
2022-08-09 10:06:001205 
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)，適合企業(yè) / 服務(wù)器 / 通信電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等
2022-11-11 11:31:571164 隨著對(duì)電動(dòng)汽車（EV）需求的持續(xù)增長(zhǎng)，制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù)，即碳化硅和硅，用于電力電子應(yīng)用。碳化硅（SiC）具有耐高溫、低功耗、剛性，并支持EV電力電子設(shè)備所需的更小、更薄的設(shè)計(jì)。SiC當(dāng)前應(yīng)用的示例包括車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、非車載直流快速充電器、車載電池充電器、電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和LED汽車照明。
2022-11-15 10:22:551206 ST碳化硅解決方案讓主要的汽車OEM廠商能夠領(lǐng)跑電動(dòng)汽車開(kāi)發(fā)競(jìng)賽，我們的第三代 SiC 技術(shù)確保功率晶體管達(dá)到理想的功率密度和能效，讓汽車實(shí)現(xiàn)出色的性能、續(xù)航里程和充電時(shí)間。
2022-12-15 11:51:172190 采用其他材料來(lái)代替。 而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體，與單晶硅和砷化鎵等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，具有明顯的優(yōu)勢(shì)： （1）碳化硅具有高熱導(dǎo)率（達(dá)到4.9W/cm？ K），是硅的3.3倍。 因此，碳化硅材料散熱效果好，理論上，碳化硅功率
2023-02-12 16:10:251692 使用PLECS仿真軟件建立兩者的熱模型,進(jìn)行系統(tǒng)性仿真,得到效率和結(jié)溫間的對(duì)比結(jié)果?最后通過(guò)電機(jī)對(duì)拖實(shí)驗(yàn)得出控制器應(yīng)用碳化硅MOSFET時(shí)的效率,驗(yàn)證出在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中,空調(diào)壓縮機(jī)控制器應(yīng)用碳化硅MOSFET能有更高的效率,有利于電動(dòng)汽車的熱管理?
2023-04-17 11:08:411527 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:152612 系列有源濾波器 APF 和靜止無(wú)功發(fā)生器 SVG 中采用業(yè)界領(lǐng)先的 Wolfspeed WolfPACK 碳化硅功率模塊。
2023-06-26 11:38:081470 SHINRY是全球最早實(shí)現(xiàn)碳化硅并批量交付的企業(yè)之一，開(kāi)發(fā)的碳化硅雙向OBC產(chǎn)品出貨量已過(guò)百萬(wàn)件，使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車DCF（DC/DC Converter for Fuel Cell）市場(chǎng)份額超過(guò)50%，在碳化硅器件的應(yīng)用和推廣方面具備豐富的經(jīng)驗(yàn)和市場(chǎng)基礎(chǔ)
2023-06-27 17:41:501931 
。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列針對(duì)高功率應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、高電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、測(cè)試設(shè)備、不間斷電
2023-07-06 10:35:141265 電動(dòng)汽車（EV）電池系統(tǒng)從400V到800V的轉(zhuǎn)變使碳化硅（SiC）半導(dǎo)體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15976 隨著對(duì)電動(dòng)汽車（EV）需求的持續(xù)增長(zhǎng)，制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù)，即碳化硅和硅，用于電力電子應(yīng)用。碳化硅（SiC）具有耐高溫、低功耗、剛性，并支持EV電力電子設(shè)備所需的更小、更薄的設(shè)計(jì)。SiC當(dāng)前
2023-09-27 09:48:181254 Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡(jiǎn)化了熱管理。
2023-11-20 10:24:002169 
碳化硅在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)（尤其是電動(dòng)汽車）中越來(lái)越受歡迎，但對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)仍然過(guò)于昂貴。
2024-01-29 14:46:114552 
2024年以來(lái)，包括廣汽集團(tuán)等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案，意味著碳化硅有望在充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用
2024-01-29 16:53:254054 
SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動(dòng)汽車快速充電設(shè)計(jì)的需求，具有一流的可靠性、質(zhì)量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流，可為
2024-05-15 11:20:06804 
全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
2024-10-24 10:51:362 隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及，全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291400 基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561 
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-19 16:57:201228 
Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來(lái)，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來(lái)，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過(guò)去的五年中，我們
2025-09-22 09:31:47654 Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級(jí) 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)，為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級(jí) 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電子壓縮機(jī)和加熱與冷卻系統(tǒng)等應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 展現(xiàn) Wolfspeed 在碳化硅功率解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，憑借提升的效率和性能，助力豐田全球電氣化戰(zhàn)略，推動(dòng)純電動(dòng)汽車發(fā)展。
2025-12-13 11:09:381841
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