ICeGaN?助力瞻芯電子輕松升級IVCC1104參考設(shè)計平臺，在大功率應用場景下展現(xiàn)易用性和卓越可靠性

英國劍橋——Cambridge GaN Devices（CGD）是一家無晶圓氮化鎵（GaN）功率器件生產(chǎn)商，致力于開發(fā)節(jié)能高效GaN功率管和IC。該公司專利產(chǎn)品ICeGaN?通過高度的集成化極大的簡化設(shè)計流程，加速產(chǎn)品落地。近日，CGD宣布與總部位于上海的碳化硅（SiC）功率器件與IC解決方案領(lǐng)先供應商瞻芯電子（Inventchip Technology）合作，已成功完成了基于ICeGaN的2.5kW CCM模式圖騰柱無橋PFC的參考設(shè)計開發(fā)和驗證。

基于IVCC1104和ICeGaN的大功率PFC解決方案

IVCC1104作為一款模擬圖騰柱PFC控制芯片，內(nèi)置高速、精確、可靠的模擬控制器，相比于數(shù)字控制芯片，封裝更緊湊(16pin)，無需編程調(diào)試，不論搭配碳化硅(SiC)器件或氮化鎵(GaN)器件，都能大幅簡化器件選型，降低物料成本，加快電源產(chǎn)品的開發(fā)速度，還能解決一系列控制難點，保障開關(guān)電源方案的高效率、高可靠性，助力產(chǎn)品快速開發(fā)與推廣。ICeGaN? IC將柵極接口電路、保護功能與主功率管單片集成，可直接和瞻芯電子IVCR1401驅(qū)動或市售通用Si/SiC驅(qū)動芯片兼容， 無需修改任何電路可無縫替換現(xiàn)有的Si和SiC 器件，實現(xiàn)效能提升。

（圖為基于 ICeGaN? 和 IVCC1104 的 2.5kW 圖騰柱無橋 PFC參考設(shè)計）

CGD技術(shù)市場與業(yè)務拓展總監(jiān) Di Chen 表示：
“瞻芯電子現(xiàn)有的2.5kW圖騰柱PFC參考設(shè)計方案是基于TO-247封裝， 通過一塊半橋適配子板，替換為ICeGaN? P2系列的25mΩ GaN IC，在不修改驅(qū)動、控制策略、電路拓撲的情況下，即可正常運行。測試結(jié)果證明了ICeGaN? 能大幅縮短工程師學習和新品開發(fā)周期，加速GaN在大功率電源設(shè)計的導入和產(chǎn)品落地?！?br />
瞻芯電子首席技術(shù)官 葉忠博士 評價：
“ICeGaN?器件在2.5kW圖騰柱PFC中首次上電就能穩(wěn)定工作，開關(guān)波形干凈，盡管其DFN封裝需通過TO247-4適配板焊接至主功率版，且柵極驅(qū)動和驅(qū)動電源走線較長，但從空載到滿載均未發(fā)現(xiàn)異常或直通現(xiàn)象。CGD開發(fā)的ICeGaN? 性能令人印象深刻，展現(xiàn)出極強的抗噪性、易用性與高效能。”

GaN技術(shù)邁向大功率應用
GaN此前已在小功率快充設(shè)計中驗證了效率與功率密度優(yōu)勢，現(xiàn)正被服務器/數(shù)據(jù)中心電源、馬達驅(qū)動，光伏逆變器以及LED驅(qū)動制造商采用。目前眾多電動汽車廠商也在積極評估GaN在新能源車上的潛在應用，比如主驅(qū)逆變，輔驅(qū)和OBC等。ICeGaN?技術(shù)憑借已驗證的高可靠性和兼容性，尤其適合大功率場景。
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