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DDR3模塊設(shè)計(jì) - 對(duì)DDR3讀寫狀態(tài)機(jī)進(jìn)行設(shè)計(jì)與優(yōu)化并對(duì)DDR3利用率進(jìn)行了測試與分析

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2014-07-24 11:11:216350

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2015-04-07 15:52:1013985

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基于Arty Artix-35T FPGA開發(fā)板的DDR3和mig介紹

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2018-06-21 04:01:01

ddr3一般上電多久后可對(duì)其進(jìn)行讀寫操作?

先用spartan6對(duì)ddr3進(jìn)行讀寫操作,想知道ddr3一般上電多久后可對(duì)其進(jìn)行讀寫操作?求大神解答,感謝!
2014-06-14 16:13:45

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FPGA如何對(duì)引腳進(jìn)行分塊?是由VCC的電壓不同進(jìn)行自行設(shè)計(jì)分塊?還是每個(gè)塊的引腳都是固定的?在進(jìn)行DDR3與FPGA的硬件連接時(shí),由FPGA的芯片手冊(cè)得采用SSTL_15電壓標(biāo)準(zhǔn),即VDDQ
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2021-05-06 15:34:33

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2019-05-27 05:00:02

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針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
2016-02-23 11:37:230

針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)

針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì),要認(rèn)證看
2016-12-16 21:23:410

華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒

華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120

基于協(xié)議控制器的DDR3訪存控制器的設(shè)計(jì)及優(yōu)化

基于協(xié)議控制器的DDR3訪存控制器的設(shè)計(jì)及優(yōu)化_陳勝剛
2017-01-07 19:00:3916

Xilinx DDR3控制器接口帶寬利用率測試(三)

描述:在此項(xiàng)測試中,每個(gè)Bank只訪問一次,接著依次訪問其它Bank。DDR3有限制在一定時(shí)間內(nèi)可以輸入的Bank打開指令個(gè)數(shù),即在一定時(shí)間內(nèi)只允許輸入最多4個(gè)Bank打開命令。
2017-02-11 01:46:304698

PL與CPU通過DDR3進(jìn)行數(shù)據(jù)交互的應(yīng)用設(shè)計(jì)

和PL端的Master IP核,共同訪問操作一個(gè)Slave端即DDR3 Controllor。 本次實(shí)驗(yàn)就是構(gòu)建一個(gè)這樣的驗(yàn)證系統(tǒng)。當(dāng)然了在真正的工程系統(tǒng)中,還需要設(shè)計(jì)良好的讀寫同步,防止競爭沖突,這就屬于系統(tǒng)設(shè)計(jì)層面的了,本實(shí)驗(yàn)依靠按鈕觸發(fā)有用戶來進(jìn)行讀寫同步。
2017-09-15 16:35:0125

構(gòu)建SoC系統(tǒng)中PL讀寫DDR3

  構(gòu)建SoC系統(tǒng),畢竟是需要實(shí)現(xiàn)PS和PL間的數(shù)據(jù)交互,如果PS與PL端進(jìn)行數(shù)據(jù)交互,可以直接設(shè)計(jì)PL端為從機(jī),PS端向PL端的reg寫入數(shù)據(jù)即可,本節(jié)研究如何再實(shí)現(xiàn)PL端對(duì)DDR3讀寫操作。
2017-09-18 11:08:5523

ddr3讀寫分離方法有哪些?

DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品,DDR3讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝,管腳露在芯片兩側(cè)的,測試起來相當(dāng)方便;但是,DDRII和III就不一樣了,
2017-11-06 13:44:109412

ddr3ddr4的差異對(duì)比

DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì),各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5155968

ddr4和ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:2332469

SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對(duì)比及其特點(diǎn)分析

DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4928010

基于FPGA的DDR3用戶接口設(shè)計(jì)技術(shù)詳解

的應(yīng)用背景,設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)了適用于該背景的控制狀態(tài)機(jī),對(duì)控制時(shí)序作了詳盡的分析。系統(tǒng)測試結(jié)果表明,該設(shè)計(jì)滿足大容量數(shù)據(jù)的高速率存儲(chǔ)和讀取要求。
2017-11-17 14:26:4326092

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲(chǔ)管理的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個(gè)端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)沖突,設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲(chǔ)管理系統(tǒng)。DDR3存儲(chǔ)器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器,只需通過用戶接口信號(hào)就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:257989

基于FPGA的DDR3協(xié)議解析邏輯設(shè)計(jì)

針對(duì)采用DDR3接口來設(shè)計(jì)的新一代閃存固態(tài)盤(SSD)需要完成與內(nèi)存控制器進(jìn)行通信與交互的特點(diǎn),提出了基于現(xiàn)場可編程門陣列( FPGA)的DDR3協(xié)議解析邏輯方案。首先,介紹了DDR3內(nèi)存工作原理
2017-12-05 09:34:4410

FPGA如何與DDR3存儲(chǔ)器進(jìn)行正確的數(shù)據(jù)對(duì)接?

、QDR,當(dāng)然,還有DDR3 UDIMM插槽。因此,我們所要做的就是通過Quartus軟件來下載一個(gè)簡單設(shè)計(jì),F(xiàn)PGA進(jìn)行簡單的數(shù)據(jù)寫入讀回。   我們還采用了一些測試設(shè)備來幫助進(jìn)行演示,Nexus
2018-06-22 05:00:009489

簡述 Cyclone 10 GX DDR3 設(shè)計(jì)的步驟

Cyclone 10 GX DDR3 示例設(shè)計(jì)的步驟
2018-06-20 00:12:006906

關(guān)于期貨行情數(shù)據(jù)加速處理中基于FPGA的DDR3六通道讀寫防沖突設(shè)計(jì)詳解

期貨行情數(shù)據(jù)加速處理中基于FPGA的DDR3六通道UI接口讀寫防沖突設(shè)計(jì),簡化了DDR3多通道讀寫的復(fù)雜度,隨著有效數(shù)據(jù)周期的提升,最高端口速率可達(dá)5.0 GB/s以上,帶寬利用率
2018-08-01 15:25:113972

基于Digilent介紹DDR3和mig

我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量,封裝,速度等級(jí)等信息。
2019-03-03 11:04:152626

DDR3DDR4的設(shè)計(jì)與仿真學(xué)習(xí)教程免費(fèi)下載

DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì),與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000

iMX6平臺(tái)的DRAM接口高階應(yīng)用指南DDR3的資料說明

本文意在介紹如何使用i.MX6 系列微處理器設(shè)計(jì)和初始化DDR3。本文將涉及原理圖及PCB 布線設(shè)計(jì)規(guī)則、DDR3 腳本(初始化代碼)生成工具、DDR3 板級(jí)校準(zhǔn)和壓力測試工具等內(nèi)容。
2020-05-11 17:04:0080

DDRDDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDRDDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了:一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì),二、DDR電路的信號(hào)完整性,三、DDR Layout Guide,四、DDR設(shè)計(jì)建議,六、DDR design checklist,七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000

DDR3備受輕薄本板載內(nèi)存青睞 DDR3有何優(yōu)勢(shì)

從成本的角度來看,DDR3也許的確要比DDR4低一些,所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:235268

Zynq構(gòu)建SoC系統(tǒng)深度學(xué)習(xí)教程之PL與CPU通過DDR3進(jìn)行數(shù)據(jù)交互

 通過之前的學(xué)習(xí),CPU可以讀寫DDR3了,PL端的Master IP也可以讀寫DDR3了,那二者就可以以DDR3為紐帶,實(shí)現(xiàn)大批量數(shù)據(jù)交互傳輸。
2020-07-27 08:00:0016

安捷倫科技推DDR3協(xié)議調(diào)試和測試套件,具備最齊全的行業(yè)功能

近日,安捷倫科技公司推出目標(biāo)應(yīng)用為板級(jí)或嵌入式存儲(chǔ)器應(yīng)用的DDR3協(xié)議調(diào)試和測試套件,由硬件和軟件的組成。據(jù)說該套件是業(yè)界首個(gè)功能最齊全的DDR3測試工具,包含業(yè)界最快的(2.0-Gtransfer
2020-08-30 10:06:011315

用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)

用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013

關(guān)于Virtex7上DDR3測試例程詳解

這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3測試例程,Vivado也提供了一個(gè)DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復(fù)雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡單的程序就可以進(jìn)行DDR3測試。
2021-05-02 09:05:004229

DDR4相比DDR3的變更點(diǎn)

POD模式;? 增加ACT_n控制指令為增強(qiáng)數(shù)據(jù)讀寫可靠性增加的變更點(diǎn)主要有:? DBI;? Error Detection;1 電源變化DDR3DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-06 20:36:0030

DDR3內(nèi)存或退出市場三星等大廠計(jì)劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長達(dá)15年,因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái),即便退出市場也不會(huì)
2022-04-06 12:22:566223

Virtex7上DDR3測試例程

??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3測試例程,Vivado也提供了一個(gè)DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復(fù)雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡單的程序就可以進(jìn)行DDR3測試。
2022-08-16 10:28:583160

FPGA學(xué)習(xí)-DDR3

一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:055150

關(guān)于DDR3設(shè)計(jì)思路分享

DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38936

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:473

基于AXI總線的DDR3讀寫測試

本文開源一個(gè)FPGA項(xiàng)目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測試》,如果在某些項(xiàng)目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:377275

基于FPGA的DDR3讀寫測試

本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:193353

DDR3DDR4的技術(shù)特性對(duì)比

摘要:本文將對(duì)DDR3DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:106051

闡述DDR3讀寫分離的方法

DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:561889

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:0013839

如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3DDR4內(nèi)存區(qū)別

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:2211362

三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4

,DDR5內(nèi)存已成為市場主流,逐步取代DDR4內(nèi)存。值得注意的是,消費(fèi)級(jí)平臺(tái)已不再支持DDR4,這使得DDR4內(nèi)存開始加速向DDR3目前所占據(jù)的利基市場轉(zhuǎn)移。 若三大內(nèi)存原廠真的決定停產(chǎn)DDR3DDR4,這無疑將對(duì)內(nèi)存市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。一方面,這將促使現(xiàn)有DDR3DDR4內(nèi)存庫存
2025-02-19 11:11:513465

AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧

的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124

DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:014

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