的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至 150mm 以上，其 SmartSiC? 晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 ? 首批200mm SmartSiC?襯底誕生于 Soitec與CEA-Leti
2022-05-06 13:48:42
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制造、下游模塊封裝等領(lǐng)域，頻繁傳來這些領(lǐng)域產(chǎn)能擴充的消息。 ? 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，成本占比最高的部分是襯底，碳化硅襯底的產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此，襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的風向標。此前電子發(fā)燒友
2023-02-20 09:13:0189428 摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:382489 
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于
2023-04-06 16:19:012204 
晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時對器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，在電子領(lǐng)域中具有重要地位。高質(zhì)量碳化硅晶體
2024-01-23 09:42:207620 
法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布與應(yīng)用材料公司啟動聯(lián)合項目，展開對新一代碳化硅襯底的研發(fā)。
2019-11-19 14:44:481151 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，成本占比最高的部分是襯底，碳化硅襯底的產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此，襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的風向標。 ? 本土碳化硅供應(yīng)商份額增長
2023-12-12 01:35:002680 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地，進入試產(chǎn)階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:005497 
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓?！ 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長16.1%。碳化硅（SiC）的應(yīng)用碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應(yīng)用最廣
2021-01-12 11:48:45
上，對介電常數(shù)要求嚴格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無法滿足他們的要求，需要一種性能更好的升級產(chǎn)品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應(yīng)汽車需求而特別開發(fā)的產(chǎn)品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
：Anode Metal 外延層：N- drift（輕摻雜），主要作用是承擔反向耐壓 襯底層：N+（重摻雜），呈電阻特性，不具備電壓耐受能力 陰極金屬：Cathode Metal 圖（2）碳化硅
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
用于電機驅(qū)動領(lǐng)域的優(yōu)勢，尋找出適合碳化硅功率器件的電機驅(qū)動場合，開發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實驗室初步用于無感控制驅(qū)動技術(shù)中，為了進一步測試功率器件性能，為元器件選型和實驗驗證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運而生，如碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計人
2023-03-14 14:05:02
芯片以充分開發(fā) SiC 的高溫性能。此外，還有 EMI 濾波器集成，溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運用到碳化硅封裝設(shè)計當中。3.2 散熱技術(shù)散熱技術(shù)也是電力電子系統(tǒng)設(shè)計的一大重點和難點
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā)，引爆了對第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，今天我們首先
2021-07-29 11:01:185164 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521 設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進材料領(lǐng)域?qū)＜颐罓柹_成戰(zhàn)略合作，攜手為電動汽車市場開發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17972 （SiC） 器件的高良率。KLA 公司是工藝控制和先進檢測系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。 ? Soitec 利用其獨特的專利技術(shù) SmartSiC? 生產(chǎn)碳化硅優(yōu)化襯底，助力提升電力電子設(shè)備的性能以及電動汽車
2022-07-22 11:50:361261 
意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預(yù)計2023年開始投產(chǎn)，以實現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:551480 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應(yīng)用對碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:045801 ? ? 雙方達成協(xié)議，將針對采用 Soitec 技術(shù)生產(chǎn) 200mm 碳化硅（ SiC ）襯底進行驗證 Soitec 關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)賦能電動汽車轉(zhuǎn)型，助力工業(yè)系統(tǒng)提升能效 ? 2022 年 12
2022-12-05 14:09:42929 
前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對比了切片、薄化、拋光加工工藝機理，指出了加工過程中的關(guān)鍵影響因素和未來發(fā)展趨勢。
2023-01-11 11:05:552737 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:355708 技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達成協(xié)議。意法半導(dǎo)體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:171392 碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:482002 進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113177 
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計、制造、封測等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。
2023-03-22 15:38:522668 全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:042505 本文作者： 安森美汽車主驅(qū)功率模塊 ??????????????????產(chǎn)品線 經(jīng)理 Bryan Lu 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買
2023-03-30 22:15:012956 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:486510 
來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:203965 
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約 70%
2023-06-26 11:30:561557 
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計和制造工藝有著極高的要求，
2023-07-10 10:49:091795 
SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，通過溫場的控制在籽晶表面生 長出碳化硅晶體。
2023-08-04 11:32:131765 
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651 中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進行特殊開發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:366818 
碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:40
3 當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:081964 
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長碳化硅外延片，制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411 
1月23日，山東有研硅半導(dǎo)體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》，該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢，創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:571705 作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴大，能顯著提升續(xù)航能力與充電效率，并降低整車成本。
2024-04-11 09:28:06901 近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作，共同推動碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠，利用Soitec的SmartSiC技術(shù)生產(chǎn)碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:201194 近日，汽車電子領(lǐng)域的佼佼者意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團宣布了一項重要合作。雙方已簽署碳化硅（SiC）器件的長期供應(yīng)協(xié)議，標志著雙方在原有合作基礎(chǔ)上，對碳化硅器件的聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471234 一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn)
修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個關(guān)鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)量。然而，修邊過程中由于機械應(yīng)力、熱應(yīng)力以及
2024-12-23 16:56:37487 
一、碳化硅襯底TTV控制的重要性
碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點厚度最高點與最低點之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本，以及最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。因此，在碳化硅襯底
2024-12-26 09:51:54465 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質(zhì)量的精準把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394 在當今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細微
2025-01-14 10:23:10400 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熔點、高熱導(dǎo)率和化學穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料，其生產(chǎn)過程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:001981 一、引言
隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286 多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121953 
）的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期：Wolfspeed（原CREE）曾長期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場，其物理氣相傳輸法（PVT）生長技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對優(yōu)勢。2018年特斯拉采用碳化硅后，Wolfspeed市值一度飆升，但此后因技術(shù)迭代緩慢、成本高企及中國企業(yè)的競爭，市值暴
2025-03-05 07:27:051295 
引言
在碳化硅襯底加工過程中，切割進給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。
量化關(guān)系分析
切割機
2025-06-12 10:03:28537 
碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度均勻性提供了新思路，對推動碳化硅襯底加工技術(shù)
2025-06-13 10:07:04524 超薄碳化硅襯底（
2025-07-02 09:49:10483 01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性能
2025-07-15 15:00:19961 
摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準確性與可靠性，為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30659 提供理論與技術(shù)支持。
引言
隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴苛，晶圓總厚度變化（TTV）作為關(guān)鍵質(zhì)量指標，其精確測量至關(guān)重要。激光干涉法
2025-08-12 13:20:16778 ，為半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定運行提供支持。
引言
在碳化硅半導(dǎo)體制造過程中，TTV 厚度測量數(shù)據(jù)是評估襯底質(zhì)量的關(guān)鍵依據(jù)。然而，受測量設(shè)備性能波動、環(huán)境變化、樣品特性
2025-08-14 13:29:381027 本文通過對比國產(chǎn)與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異，深入分析兩者的性價比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機構(gòu)選購測量設(shè)備提供科學依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31707 摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程，深入探究表面粗糙度對測量結(jié)果的影響機制，通過理論分析與實驗驗證，揭示表面粗糙度與測量誤差的關(guān)聯(lián)，為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測量方法、提升測量準確性提供
2025-08-18 14:33:59454 摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標準化操作
2025-08-20 12:01:02552 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標準化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401083 摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的邊緣效應(yīng)問題，深入分析其產(chǎn)生原因，從樣品處理、測量技術(shù)改進及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法，旨在提高 TTV 測量準確性，為碳化硅半導(dǎo)體制造提供可靠
2025-08-26 16:52:101093 摘要
本文聚焦碳化硅襯底晶圓總厚度變化（TTV）厚度測量技術(shù)，剖析其在精度提升、設(shè)備小型化及智能化測量等方面的最新發(fā)展趨勢，并對未來在新興應(yīng)用領(lǐng)域的拓展及推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的前景進行展望，為行業(yè)技術(shù)
2025-09-01 11:58:10840 碳化硅襯底長期供貨協(xié)議。ST還與三安合資建設(shè)碳化硅器件工廠，并由三安配套供應(yīng)碳化硅襯底。 ? 另一方面產(chǎn)能擴張速度也較快，今年以來國內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)能逐步落地，多家廠商的擴產(chǎn)項目都在2023年實現(xiàn)量產(chǎn)或是在產(chǎn)能爬坡過程中。與之
2024-01-08 08:25:345166 
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