200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響

我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進到多薄而不影響性能？這是我們幾十年來一直在追問的問題，同時我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——...

2026-02-11 標簽：SiC襯底碳化硅 306 0

從襯底到外延：碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

碳化硅襯底和外延片是半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構成，但在功能定位、制備工藝及應用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與...

2025-09-03 標簽：晶圓襯底碳化硅 2.2k 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理 在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標簽：晶體SiC襯底 5.5k 0

碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些

碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術...

2023-02-03 標簽：SiC襯底碳化硅 6.3k 0

一文詳解襯底偏壓技術

隨著集成電路工藝尺寸的不斷降低，靜態(tài)功耗在總功耗中所占的比例越來越大，甚至是主要位置（65nm工藝下，某些情況下靜態(tài)功耗占總功耗的50%）。 在實際的電...

2023-01-19 標簽：集成電路CMOS工藝 1.2萬 0

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標簽：多晶硅蝕刻襯底 1.7k 0

研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標簽：晶圓襯底鍍膜 2.6k 0

可控硅保護器件制作方法與應用——錯位觸發(fā)原理詳解

該項技術創(chuàng)新結合了至少一個插指單元，每個單元的核心組件包括：襯底及在襯底一表面上生成的外延層；第一N型阱區(qū)和P型阱區(qū)，分別在外延層內形成；第一N+區(qū)和第...

2024-05-20 標簽：可控硅保護器件襯底 1.1k 0

華潤微電子（重慶）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布

此項發(fā)明主要涉及在襯底上構建外延疊層，并在此基礎上制備柵極、漏極和源極；同時，在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層，并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。

2024-04-13 標簽：GaN襯底華潤微電子 1.4k 0

2023年國內主要碳化硅襯底供應商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天...

2024-01-08 標簽：SiC襯底碳化硅 5.7k 0

華為新增多條芯片封裝專利信息

該專利提出了一種全新的封裝結構，由第一芯片搭配第一混合鍵合結構制成。這種結構能有效地連接不同芯片，提升芯片間信號傳輸性能。具體而言，混合鍵合結構包含第一...

2023-12-21 標簽：芯片封裝襯底 1.2k 0

華為一種裸芯片、芯片和電子元件專利獲得授權

據(jù)專利概述內容顯示，此項專利屬于微電子技術領域。其設計是由襯底、有源層、波導層及緩沖結構疊加組成。其中，有源層介于襯底與波導層之間，波導層為脊波導結構，...

2023-12-11 標簽：華為波導微電子 1.9k 0