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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)>

緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)專區(qū),有豐富的緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)應(yīng)用知識(shí)與緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)資料,可供緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)行業(yè)人群學(xué)習(xí)與交流。

亞太地區(qū)多數(shù)中小企業(yè)正擁抱AI——但數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)依然嚴(yán)峻

亞太地區(qū)多數(shù)中小企業(yè) 正擁抱 AI ——但數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)依然嚴(yán)峻 作者:Stefan Mandl,西部數(shù)據(jù)全球銷售與市場(chǎng)營銷副總裁 ? 德勤2025年研究報(bào)告顯示,在整個(gè)亞太地區(qū),中小企業(yè)(SMBs)正在加速擁...

2026-03-30 標(biāo)簽:AI云存儲(chǔ)數(shù)據(jù)安全西部數(shù)據(jù) 451

東芝完成12盤片堆疊驗(yàn)證,40TB硬盤穩(wěn)步推進(jìn) 東芝從技術(shù)驗(yàn)證走向到工程實(shí)現(xiàn)

東芝完成12盤片堆疊驗(yàn)證,40TB硬盤穩(wěn)步推進(jìn) 東芝從技術(shù)驗(yàn)證走向到工程實(shí)現(xiàn)

東芝硬盤在中國市場(chǎng)建立了近線硬盤(Nearline HDD)產(chǎn)線并成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在硬盤產(chǎn)品的研發(fā)中積累了豐富的先進(jìn)設(shè)計(jì)與分析技術(shù),此次12盤片堆疊技術(shù)的突破,正是在現(xiàn)有10盤片3.5英寸[2]近線硬...

2026-03-13 標(biāo)簽:東芝硬盤存儲(chǔ) 1596

曙光云發(fā)布“HME內(nèi)存聚變技術(shù)”

當(dāng)下,內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)格迎來狂飆式上漲,這讓無數(shù)數(shù)字化項(xiàng)目陷入“預(yù)算超支”與“配置縮水”的兩難境地。在硬件成本居高不下的當(dāng)下,如何用有限預(yù)算交付達(dá)標(biāo)的算力,成為眾多企業(yè)亟待解決...

2026-02-08 標(biāo)簽:云計(jì)算內(nèi)存HME中科曙光 60805

SK海力士發(fā)布2025財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告 刷新歷史最高年度業(yè)績(jī)

SK海力士發(fā)布2025財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告 刷新歷史最高年度業(yè)績(jī)

HBM等面向AI的存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)化與高附加值產(chǎn)品擴(kuò)展戰(zhàn)略奏效,年度和季度業(yè)績(jī)均創(chuàng)下了歷史新高 - ?2025財(cái)年全年?duì)I收為97.1467萬億韓元,營業(yè)利潤為47.2063萬億韓元,凈利潤為42.9479萬億韓元 - ?...

2026-01-28 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器SK海力士HBM 2592

深耕閃存技術(shù)35年 閃迪以創(chuàng)新引領(lǐng)極速存儲(chǔ)時(shí)代

深耕閃存技術(shù)35年 閃迪以創(chuàng)新引領(lǐng)極速存儲(chǔ)時(shí)代

把時(shí)間撥回到上世紀(jì)80年代,個(gè)人PC的興起對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了全新要求,也預(yù)示著一場(chǎng)深刻變革的到來。當(dāng)時(shí)間演進(jìn)至1988年,在存儲(chǔ)技術(shù)的關(guān)鍵分水嶺上,“高密度非易失性存儲(chǔ)”正從實(shí)驗(yàn)室走...

2025-12-11 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)閃迪 1987

FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析

FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析

FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析 在電子工程領(lǐng)域,非易失性存儲(chǔ)器的選擇對(duì)于系統(tǒng)的性能和可靠性至關(guān)重要。今天,我們將深入探討FM24CL04B這款4 - Kbit(512 × 8)串行(I2C)F - RA...

2025-12-10 標(biāo)簽:F-RAM鐵電存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器F-RAM鐵電存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 2361

慧榮科技宣布推出SM8388,業(yè)界領(lǐng)先的高能效PCIe Gen5企業(yè)SSD主控芯片

慧榮科技宣布推出SM8388,業(yè)界領(lǐng)先的高能效PCIe Gen5企業(yè)SSD主控芯片

?全球NAND閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技(NasdaqGS:SIMO),今日宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的節(jié)能型PCIe Gen5、8通道企業(yè)SSD主控芯片SM8388,專為高性能、低功耗、較低成本以及大容量QLC企業(yè)SSD而設(shè)計(jì),可...

2025-11-18 標(biāo)簽:SSDPCIe主控芯片慧榮科技 59097

瀾起科技推出支持9200 MT/s速率的DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片

瀾起科技今日正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片,該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能,為下一代高性能PC、筆記本電腦及工作站提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。...

2025-11-10 標(biāo)簽:DRAM瀾起科技時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器DDR5 68225

多家存儲(chǔ)封測(cè)廠商開始計(jì)劃漲價(jià) DRAM最高上調(diào)30%,NAND上調(diào)5%-10%

AI來勢(shì)兇猛,整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與之共振,對(duì)存儲(chǔ)需求呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性上漲特征,我們看到存儲(chǔ)上市企業(yè)正陸續(xù)發(fā)布2025年第三季度財(cái)報(bào)。在這一輪的存儲(chǔ)超級(jí)周期中,存儲(chǔ)大廠三星電子、SK海力士等業(yè)...

2025-11-04 標(biāo)簽:DRAMNAND存儲(chǔ)封測(cè) 3144

DDR5設(shè)計(jì)指南(二):什么是CAMM2?

DDR5設(shè)計(jì)指南(二):什么是CAMM2?

“ ? 本文將詳細(xì)介紹 CAMM2 及其布線規(guī)范。 ? ” ? ? 什么是 CAMM2? CAMM2 的全稱是? Compression Attached Memory Module 2, 是由 JEDEC (固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)) 正式采納并發(fā)布的新一代內(nèi)存模組標(biāo)準(zhǔn)(標(biāo)準(zhǔn)代號(hào)為...

2025-10-28 標(biāo)簽:DDR5 5717

DDR5 設(shè)計(jì)指南(一):DDR5 VS LPDDR5

DDR5 設(shè)計(jì)指南(一):DDR5 VS LPDDR5

“ ?本文將詳細(xì)介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細(xì)節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5,DDR5 和之前 DDR 的比較以及 DDR5 與 LPDDR5 的差異以及 DDR...

2025-10-27 標(biāo)簽:DDR5LPDDR5 10655

西部數(shù)據(jù)擴(kuò)建系統(tǒng)集成測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,以加速客戶在持續(xù)增長(zhǎng)的 AI 和云時(shí)代取得成功

西部數(shù)據(jù)擴(kuò)建系統(tǒng)集成測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,以加速客戶在持續(xù)增長(zhǎng)的 AI 和云時(shí)代取得

位于明尼蘇達(dá)州羅切斯特的新設(shè)施將加速新一代大容量 HDD 的認(rèn)證過程,助力客戶以領(lǐng)先規(guī)模化效能快速實(shí)現(xiàn)高存儲(chǔ)密度 ? 上海,2025 年 10 月 20 日 ?– 作為 AI 驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)的支柱,西部數(shù)據(jù)(...

2025-10-22 標(biāo)簽:西部數(shù)據(jù) 1523

東芝硬盤率先完成12盤片堆疊技術(shù)驗(yàn)證 預(yù)計(jì)在2027年推出新一代40TB硬盤

東芝硬盤率先完成 12盤片堆疊技術(shù)驗(yàn)證 ? – 預(yù)計(jì)在2027年推出新一代40TB硬盤 – 日本川崎2025年10月14日 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(簡(jiǎn)稱“東芝”)成為首位[1]?成功驗(yàn)證高容量硬盤12盤...

2025-10-14 標(biāo)簽:東芝硬盤 1863

康盈半導(dǎo)體AI應(yīng)用存儲(chǔ)新品震撼發(fā)布,elexcon 2025 現(xiàn)場(chǎng)引爆行業(yè)關(guān)注

康盈半導(dǎo)體AI應(yīng)用存儲(chǔ)新品震撼發(fā)布,elexcon 2025 現(xiàn)場(chǎng)引爆行業(yè)關(guān)注

AI眼鏡等AI終端領(lǐng)域應(yīng)用產(chǎn)品:ePOP嵌入式存儲(chǔ)芯片,擁有多容量組合,如8GB+8Gb、32GB+16Gb、32GB+32Gb、64GB+16Gb、64GB +32Gb,產(chǎn)品通過了主流平臺(tái)認(rèn)證,性能優(yōu)異,順序讀取速度高達(dá)300MB/s,順序?qū)懭胨?..

2025-08-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)存儲(chǔ)芯片emmc康盈半導(dǎo)體AI眼鏡 31319

瀾起科技憑借在內(nèi)存接口和高速互連芯片領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新榮膺《財(cái)富》中國科技50強(qiáng)

瀾起科技憑借在內(nèi)存接口和高速互連芯片領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新榮膺《財(cái)富》中國科

近日,《財(cái)富》雜志正式發(fā)布“中國科技50強(qiáng)”榜單,瀾 起科技憑借在內(nèi)存接口和高速互連芯片領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新與全球影響力成功入選,成為中國半導(dǎo)體行業(yè)中技術(shù)實(shí)力與國際化發(fā)展兼?zhèn)涞慕?..

2025-08-25 標(biāo)簽:內(nèi)存瀾起科技MDBpcle 2676

強(qiáng)強(qiáng)合作 Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動(dòng)高帶寬閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化

Sandisk閃迪公司(NASDAQ:SNDK)正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄(Memorandum of Understanding,MOU),雙方將攜手制定高帶寬閃存(High Bandwidth Flash,HBFTM)技術(shù)規(guī)范。這項(xiàng)新興技術(shù)...

2025-08-08 標(biāo)簽:閃存SanDisk閃迪SK海力士 2269

Microchip推出Adaptec? SmartRAID 4300 系列加速器 提供安全的可擴(kuò)展 NVMe? RAID 存儲(chǔ)解決方案

Microchip推出Adaptec? SmartRAID 4300 系列加速器 提供安全的可擴(kuò)展 NVMe? RAID 存儲(chǔ)解決

采用分離式架構(gòu),充分利用主機(jī) CPU 和 PCIe??基礎(chǔ)設(shè)施,克服傳統(tǒng)存儲(chǔ)瓶頸 ? 為更好地支持服務(wù)器原始設(shè)備制造商(OEM)、存儲(chǔ)系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)客戶,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司...

2025-08-06 標(biāo)簽:microchipnvme存儲(chǔ)加速器 18945

鎧俠發(fā)布業(yè)內(nèi)首款面向生成式AI應(yīng)用的245.76 TB NVMe固態(tài)硬盤

鎧俠發(fā)布業(yè)內(nèi)首款面向生成式AI應(yīng)用的245.76 TB NVMe固態(tài)硬盤

KIOXIA LC9系列成為容量最大的PCIe 5.0企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤;采用32 Die堆疊的 BiCS FLASH QLC 3D閃存 ? 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社宣布,推出業(yè)界首款 (1) 245.76 TB (2) NVMe? 固態(tài)硬盤,擴(kuò)展其...

2025-07-28 標(biāo)簽:固態(tài)硬盤nvme鎧俠生成式AI 13782

鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲(chǔ)器開始送樣

融合現(xiàn)有存儲(chǔ)單元與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù),實(shí)現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布,其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲(chǔ)器已開始送樣 (1) 。該產(chǎn)品計(jì)劃于 2025 年...

2025-07-28 標(biāo)簽:FlaSh存儲(chǔ)器TLC鎧俠 785

兆易創(chuàng)新Flash存儲(chǔ)技術(shù)賦能AI IPC產(chǎn)業(yè)升級(jí)

兆易創(chuàng)新Flash存儲(chǔ)技術(shù)賦能AI IPC產(chǎn)業(yè)升級(jí)

在AIoT技術(shù)快速演進(jìn)的時(shí)代背景下,AI IPC行業(yè)正在經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。作為中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)的領(lǐng)軍者,兆易創(chuàng)新憑借其在NOR/NAND Flash領(lǐng)域二十年的技術(shù)沉淀和持續(xù)創(chuàng)新,正為AI IPC產(chǎn)業(yè)的技...

2025-07-14 標(biāo)簽:AIIPCFlash存儲(chǔ)兆易創(chuàng)新AIoT 2288

美光推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND的2600 NVMe SSD 兼顧出眾PCIe 4.0性能

美光推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND的2600 NVMe SSD 兼顧出眾PCIe 4.0性能

? ? 2025年7月1日,愛達(dá)荷州博伊西市 — SSD對(duì)于提升PC及客戶端設(shè)備的用戶體驗(yàn)和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)宣布,推出美光2600 NV...

2025-07-02 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)Micron美光科技nvme 1899

紫光國芯推出低功耗高性能PSRAM產(chǎn)品(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)

近日,紫光國芯自主研發(fā)的PSRAM(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布,并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela,容量覆蓋32Mb,64Mb和128Mb,采...

2025-07-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器PSRAM紫光國芯 1735

基于ArmCortex-M內(nèi)核的MCXN947(MCX N94x)外部flash啟動(dòng)配置和燒寫

基于ArmCortex-M內(nèi)核的MCXN947(MCX N94x)外部flash啟動(dòng)配置和燒寫

MCX 產(chǎn)品系列是恩智浦憑借20多年來業(yè)界領(lǐng)先的Kinetis和LPC產(chǎn)品的實(shí)力,推出的新一代可擴(kuò)展、安全且以開發(fā)人員為中心的微控制器。MCX產(chǎn)品基于ArmCortex-M內(nèi)核,采用一系列核心技術(shù),支持廣泛的工...

2025-06-26 標(biāo)簽:FlaSh恩智浦燒寫N9432位微控制器 3325

PMIC+PLP(斷電保護(hù)):Qorvo助力AI數(shù)據(jù)中心企業(yè)級(jí)SSD高速發(fā)展

PMIC+PLP(斷電保護(hù)):Qorvo助力AI數(shù)據(jù)中心企業(yè)級(jí)SSD高速發(fā)展

作為深耕斷電保護(hù)(PLP)領(lǐng)域多年、業(yè)內(nèi)首家提供集成PLP功能的PMIC解決方案的供應(yīng)商,Qorvo憑借技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì),可助力客戶消除上述擔(dān)憂。...

2025-06-17 標(biāo)簽:SSDPMIC數(shù)據(jù)中心Qorvo閃存存儲(chǔ) 2020

瑞薩RA系列FSP庫開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南(19)使用寄存器點(diǎn)亮LED燈

瑞薩RA系列FSP庫開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南(19)使用寄存器點(diǎn)亮LED燈

野火啟明6M5開發(fā)板的LED電路圖如圖所示。圖中RA6M5芯片的P400、P403、P404引腳分別通過一個(gè)2.2 KΩ的限流電阻連接到LED1、LED2、LED3這三個(gè)用戶LED燈的陰極,LED燈的陽極連接到3.3V電源。而LED4是電源指...

2025-06-11 標(biāo)簽:ledmcu寄存器瑞薩FSP 2169

美光科技出貨全球首款基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存 突破性封裝技術(shù)

? ? 美光LPDDR5X內(nèi)存專為旗艦智能手機(jī)設(shè)計(jì),以業(yè)界領(lǐng)先的超薄封裝提供高速等級(jí)并顯著降低功耗。 2025年6月6日,愛達(dá)荷州博伊西市——美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣...

2025-06-06 標(biāo)簽:內(nèi)存封裝技術(shù)Micron美光科技LPDDR5 1819

SK海力士攜HBM4及面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合亮相2025國際電腦展

SK海力士攜HBM4及面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合亮相2025國際電腦展

SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺(tái)北國際電腦展(COMPUTEX Taipei 2025,以下簡(jiǎn)稱COMPUTEX)上,展示了其涵蓋AI服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品組合。 作為亞洲規(guī)模最大的IC...

2025-06-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SK海力士HBMHBM3EHBM4 2123

Microchip AT27LV256A-90JU 可編程只讀存儲(chǔ)器(OTP EPROM)參數(shù)特性  EDA模型與數(shù)據(jù)手冊(cè)下載

Microchip AT27LV256A-90JU 可編程只讀存儲(chǔ)器(OTP EPROM)參數(shù)特性 EDA模型與數(shù)據(jù)手冊(cè)

Microchip AT27LV256A-90JU 參數(shù)特性 EDA模型與數(shù)據(jù)手冊(cè)下載...

2025-05-30 標(biāo)簽:microchipEPROM只讀存儲(chǔ)器 1251

紫光閃芯發(fā)布企業(yè)級(jí)E5200 PCIe 5.0固態(tài)硬盤

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈加速重構(gòu)的背景下, 紫光閃芯今日正式發(fā)布紫光閃存E5200 PCIe 5.0 企業(yè)級(jí) SSD系列上市,以面向企業(yè)級(jí)創(chuàng)新的硬件架構(gòu)與顛覆性性能,為 AI 時(shí)代的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)難題提供 “中國方案...

2025-05-28 標(biāo)簽:SSDPCIe固態(tài)硬盤紫光PCIe5.0 1360

曙光存儲(chǔ)斬獲3800萬大單 曙光存儲(chǔ)FlashNexus中標(biāo)中國移動(dòng)全閃存集采

近日,在中國移動(dòng)2025年至2027年全閃存存儲(chǔ)集采項(xiàng)目中,曙光存儲(chǔ)成功斬獲3800萬元大單,成為極少數(shù)通過中國移動(dòng)全棧嚴(yán)苛測(cè)試的國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商。 產(chǎn)品性能 :頭部客戶 與全球第一 雙認(rèn)證 作為...

2025-05-26 標(biāo)簽:閃存中國移動(dòng)中科曙光 1220

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