NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析
什么是SLC？

英特爾（Intel）在1997年9月最先開發(fā)成功MLC，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating Gate（閃存存儲單元中存放電荷的部分），然后利用不同電位（Level）的電荷，通過內(nèi)存儲存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。SLC架構(gòu)是0和1兩個值，而MLC架構(gòu)可以一次儲存4個以上的值，因此，MLC架構(gòu)可以有比較好的儲存密度。
與SLC比較MLC的優(yōu)勢：
簽于目前市場主要以SLC和MLC儲存為主，我們多了解下SLC和MLC儲存。SLC架構(gòu)是0和1兩個值，而MLC架構(gòu)可以一次儲存4個以上的值，因此MLC架構(gòu)的儲存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良率的優(yōu)勢。
與SLC相比較，MLC生產(chǎn)成本較低，容量大。如果經(jīng)過改進，MLC的讀寫性能應(yīng)該還可以進一步提升。與SLC比較MLC的缺點：
MLC架構(gòu)有許多缺點，首先是使用壽命較短，SLC架構(gòu)可以存取10萬次，而MLC架構(gòu)只能承受約1萬次的存取。
其次就是存取速度慢，在目前技術(shù)條件下，MLC芯片理論速度只能達到2MB左右。SLC架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
雖然與SLC相比，MLC缺點很多，但在單顆芯片容量方面，目前MLC還是占了絕對的優(yōu)勢。由于MLC架構(gòu)和成本都具有絕對優(yōu)勢，能滿足未來2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場需求。　
SLC與MLC的識別： 一、看傳輸速度比如有兩款采用Rockchip芯片的產(chǎn)品，測試時寫入速度有2、3倍優(yōu)勢的應(yīng)該是SLC，而速度上稍慢的則是MLC。即使同樣采用了USB2.0高速接口的MP3，也不能改變MLC寫入慢的缺點。
二、看FLASH型號
一般來說，以K9G或K9L為開頭型號的三星閃存則是MLC，以HYUU或HYUV為開頭型號的現(xiàn)代閃存應(yīng)是MLC。具體芯片編號以三星和現(xiàn)代為例：三星MLC芯片編號為：K9G******??? K9L*****?，F(xiàn)代MLC芯片編號為：HYUU****??? HYUV***
　　簡單總結(jié)：　　如果說MLC是一種新興的閃存技術(shù)，那么它的“新”就只體現(xiàn)在：成本低！
雖然MLC的各項指標(biāo)都落后于SLC閃存。但是MLC在架構(gòu)上取勝SLC，MLC肯定是今后的發(fā)展方向，而對于MLC傳輸速度和讀寫次數(shù)的問題已經(jīng)有了相當(dāng)多的解決方法，例如采用三星主控芯片，wear leveling技術(shù)，4bit ECC校驗技術(shù)，都可以在采用MLC芯片的時候同樣獲得很好的使用效果，其性能和使用SLC芯片的沒有什么差別，而會節(jié)省相當(dāng)多的成本.