DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)

　　沒有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　100ns的讀寫存取時(shí)間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND

　　JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝

　　通過美國(guó)保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室協(xié)會(huì)(UL)認(rèn)證

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可編程非易失(NV)存儲(chǔ)器的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC DS28

Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲(chǔ)器的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC DS28E10。采用經(jīng)過業(yè)內(nèi)認(rèn)證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結(jié)合主控制器提供的可編程私鑰和隨機(jī)質(zhì)詢的命令實(shí)現(xiàn)整個(gè)認(rèn)

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Y2K兼容、非易失時(shí)鐘SRAM DS1744

　　DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字

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256k非易失、Y2K兼容時(shí)鐘RAM DS1554

　　DS1554是一個(gè)全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時(shí)器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失

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DS1220Y 16k非易失SRAM

　　DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路

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　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，

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　　DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制

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　　MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap

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　　DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照

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DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按

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DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

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DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

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　　這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨(dú)特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在

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　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路

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具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。

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DS1243Y 64K非易失SRAM

DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存。

2012-01-04 10:53:26

1584

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192

2012-01-04 11:23:28

DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器

DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器，采用CMOS電路設(shè)計(jì)，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲(chǔ)器的實(shí)際應(yīng)用問題。

2012-04-16 12:11:02

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DS1314非易失控制器,帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器

DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個(gè)CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

2012-07-19 14:21:12

1865

DS1312非易失控制器

DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

2012-07-19 14:26:37

1109

DS1218非易失控制器芯片

DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。

2012-07-19 14:28:14

1883

DS1210非易失控制器芯片

DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

2012-07-19 14:30:07

4121

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。

2013-02-19 16:53:30

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使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM

使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南

2017-01-07 21:45:57

使用非易失性計(jì)時(shí)RAM與微控制器

The nonvolatile timekeeping family of real-time clock （RTC） products provide battery-backed NV SRAM

2017-04-07 09:57:02

新型非易失存儲(chǔ)MVM數(shù)據(jù)管理

為適應(yīng)底層存儲(chǔ)架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲(chǔ)器件（NVM）的出現(xiàn)，勢(shì)必對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)帶來重大

2018-01-02 19:04:40

非易失可重復(fù)編程FPGA解決方案的應(yīng)用

事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。

2019-06-16 09:48:47

2069

關(guān)于非易失性NV-SRAM的簡(jiǎn)介，它的用途是什么

。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡(jiǎn)介在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存在大量?jī)?nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。這個(gè)名稱意義不大，因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問的。當(dāng)工程

2020-09-11 16:09:32

2230

非易失性NV-SRAM的應(yīng)用，它的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。因此將比較它需要多長(zhǎng)時(shí)間來擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)

2020-10-27 14:22:51

772

非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解

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2020-11-25 11:12:00

非易失性存儲(chǔ)器NV-SRAM的關(guān)鍵屬性是什么

NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn)，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。快速訪問：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng)，則連接到快速控制器的慢速

2020-12-18 14:44:28

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賽普拉斯NV-SRAM的解決方案，它的優(yōu)勢(shì)是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個(gè)工作范圍

2020-12-22 15:18:33

851

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器：非易失性SRAM（NVSRAM）。為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以

2021-01-11 16:44:20

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NV-SRAM是什么，它的主要特征是什么

NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器中，并

2022-06-10 15:23:01

1441

FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器

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2022-07-12 10:20:41

DS10262_超低功耗 32 位 MCU 基于 Arm? 的 Cortex?-M3、256KB 閃存、32KB SRAM、8KB EEPROM、LCD、USB、ADC、DAC

DS10262_超低功耗 32 位 MCU 基于 Arm? 的 Cortex?-M3、256KB 閃存、32KB SRAM、8KB EEPROM、LCD、USB、ADC、DAC

2022-11-23 08:32:09

STT-MRAM非易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。

2022-11-29 15:57:58

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電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

2023-01-10 14:25:59

2053

簡(jiǎn)單的非易失性門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲(chǔ)門控信號(hào)（模塊或發(fā)送）。

2023-01-12 11:30:52

1731

基于SRAM的微控制器優(yōu)化了安全性

結(jié)果表明，非易失性（NV）SRAM是用于存儲(chǔ)安全數(shù)據(jù)的最安全的存儲(chǔ)器。通過使用 DES 或三重 DES 加密內(nèi)存，可以建立加密邊界，使安全信息不被黑客滲透。通過使用防篡改反應(yīng)傳感器，可以進(jìn)一步保護(hù)

2023-03-01 16:16:28

1570

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。

2023-05-12 16:31:39

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使用XOD訪問ESP32非易失性存儲(chǔ)

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2023-06-15 14:35:41

DS1249AB-70# - (Maxim Integrated) - 存儲(chǔ)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1249AB-70#相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1249AB-70#的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1249AB-70#真值表，DS1249AB-70#管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2023-07-31 18:49:32

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。

2024-01-09 10:54:28

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DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

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DS1265AB 8M非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍

2025-02-27 09:19:54

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DS1244系列256k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC

2025-02-27 10:10:50

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DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

750

DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

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DS1249Y adi

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2025-03-10 18:34:10

DS4550 I2C和JTAG、非易失、9位、輸入/輸出擴(kuò)展器與存儲(chǔ)器技術(shù)手冊(cè)

DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)

2025-05-26 09:50:50

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