在幾個月就能歷經一輪“生死劫”的前沿科技產業(yè)，變化本就是主旋律。步入2020年，黑天鵝齊飛，諸多新變量的引入，使存儲業(yè)者面臨更多不確定性。

　　回顧存儲產業(yè)上半年，一些事件值得回味，一些變動指向未來，全球半導體觀察帶您梳理觀察重點。

　　國產存儲“芯”勢力

　　國產替代預期催化，半導體成為上半年科技主題基金重倉焦點股，可謂風頭十足。高景氣度持續(xù)下，細分賽道龍頭公司也紛紛迎來高速增長拐點。

　　作為國內最大、全球第四大NOR芯片供貨商，兆易創(chuàng)新開年不久便見識了半導體資本狂潮。2月13日，兆易創(chuàng)新股票漲幅超9%，股價創(chuàng)歷史新高，總市值達到1020.73億元，成為國內第六家市值破千億的半導體公司。

　　不過，一些投資人直呼“過熱”并提醒當下靜態(tài)估值可能偏高，市場也很快發(fā)出“入場需謹慎”的信號。

　　國產存儲制造在今年取得的突破，普通人也能感受得到。能買到國產固態(tài)硬盤SSD和內存條的消費者開始體會，“國產存儲替代”趨勢著實摸得著。

　　4月13日，紫光集團旗下的長江存儲宣布其128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功。9月10日，長江存儲宣布推出兩款消費級固態(tài)硬盤SSD產品。

　　值得一提的是，長江存儲布局多項專利，技術幾乎都是自主研發(fā)。長江存儲獨有的Xtacking架構可以在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，使NAND擁有更高的I/O接口速度，實現(xiàn)更高的存儲密度以及更小的芯片面積。

　　進入5月，多款搭載長鑫存儲10納米級DDR4芯片的內存條上市，首款中國芯的光威弈PRODDR4內存條由深圳嘉合勁威制造。中國自主研發(fā)的DRAM芯片終于投入市場，內存芯片產業(yè)史又寫下一筆。

　　長鑫存儲不僅研發(fā)出19納米工藝的DRAM芯片，填補了國產空白，更是打通了從設計到生產制造的全流程。

　　國際內存芯片市場在迎來中國玩家后，未來將看到更多中國面孔。紫光集團重返DRAM賽場，兆易創(chuàng)新等國內企業(yè)也已入局。

　　國際廠商激戰(zhàn)升級，DRAM進入EUV時代

　　2020年一季度，伴隨DRAM價格回暖，存儲龍頭廠商的交鋒也顯得更為激烈。

　　目前，三星電子、SK海力士和美光科技占據全球DRAM市場超過九成的份額。其中，居于前兩位的三星和SK海力士，都將在DRAM生產中導入極紫外光光刻設備EUV技術。

　　最先跨入EUV時代的自然是三星。3月25日，三星宣布成功出貨100萬個業(yè)界首款使用EUV的10納米級DDR4DRAM模組，且已經完成了全球客戶評估。

　　三星第四代10納米（D1a）、更先進10納米的DRAM會開始使用EUV，預計2021年開始批量生產基于D1a的DDR5DRAM和LPDDR5DRAM。

　　SK海力士的相關內部人士透露，公司已開始研發(fā)第4代10納米級制程（1a）的DRAM，內部代號為“南極星”，預計將在制程中導入EUV技術。

　　2020年的變數實在太多，業(yè)內人士觀測，存儲器廠商皆不輕易擴增產能，反而以優(yōu)化制程技術的方式來增加其供應的能力。工藝提速的同時，預計基于EUV技術的存儲器生產市場競爭將會更加激烈。

　　EUV技術確有降本功效，門檻卻極高，是否采用值得再三評估。美光企業(yè)副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用EUV計劃。

　　DDR5稍慢，LPDDR5引領新一輪產品競爭

　　主流內存規(guī)格在今年有何進展？

　　相比量產和應用步伐稍緩的DDR5，主要運用智能手機等移動終端市場的低功耗LPDDR則進展神速，且已在終端產品領域掀起浪潮。

　　今年2月，美光宣布交付全球首款LPDDR5芯片。此后，小米10全線采用LPDDR5內存芯片，供應商為美光和三星。

　　小米搭載LPDDR5芯片消息一出，努比亞總裁倪飛緊隨其后宣布紅魔5G全系列標配LPDDR5。兩天后，Realme副總裁徐起宣布realme真我X50Pro全系標配LPDDR5。

　　從采用效果來看，根據美光提供的參數，LPDDR5相較LPDDR4整機省電5%～10%，續(xù)航延長5%～10%。

　　SK海力士計劃今年量產DDR5，三星計劃2021年基于D1a工藝大規(guī)模量產DDR5，美光1Znm制程的DDR5寄存型DIMM（RDIMM）已開始出樣。

　　TrendForce集邦咨詢表示，DDR5應用場景以計算機、服務器產品為主，但需要配合主流CPU的規(guī)格，預計到2021年的下半年才能在市場上看到一定數量的產品。

　　看趨勢

　　國產替代提速，從0到5%

　　半導體國產替代口號響亮，自給率極低的存儲器無疑有著最強音。

　　根據中國海關數據，2019年，我國進口了價值3040億美元的集成電路，超三分之一為存儲器。而在2018年，國產存儲的量產量為零。

　　DRAM和NANDFlash是最主流的存儲器產品。在DRAM領域，三家國際廠商把控全球主要市場份額。受益于長鑫存儲DRAM芯片推出，中國存儲器開始實現(xiàn)中低端領域的部分替代。

　　NANDFlash制造廠長江存儲新工廠目前有一座12英寸晶圓廠，滿產產能為10萬片/月。長江存儲計劃到年底，其位于武漢的新工廠可以月產量提高3倍，達到6萬片的規(guī)模。

　　2020的上半年，見證了不少國產存儲制造的突破進展?！度战泚喼拊u論》報道指出，中國存儲器產量的全球占比將在今年提升到5%。

　　價格罕見拉升，但壓力仍在

　　現(xiàn)貨渠道部分存儲器顆粒現(xiàn)貨價格上漲，引發(fā)市場高度關注是否會帶動存儲器產業(yè)反轉向上。TrendForce集邦咨詢表示，DRAM現(xiàn)貨價格出現(xiàn)久違漲勢，但下半年DRAM價格仍有壓力。

　　TrendForce集邦咨詢還表示，觀察目前DRAM市場，consumerDRAM僅占整體DRAM市場消耗量約8%，漲跌關鍵仍在于供需雙方的庫存水位，以及主流serverDRAM的采購動能何時回溫。

　　在datacenter與enterpriseserver業(yè)者尚未重啟新一輪補貨前，DRAM價格壓力仍在，現(xiàn)貨價格反彈可能僅是短暫效應。

　　擴產還是縮減開支？積極預測與審慎現(xiàn)實

　　2018年9月，存儲器景氣度開始下行，在去年三季度觸底并開始回暖。存儲市場顯現(xiàn)復蘇態(tài)勢后，拉高半導體產業(yè)整體預期。市場預測，自2020年，全球半導體企業(yè)將開始進行擴產，2021年半導體產業(yè)新增產能可望創(chuàng)下歷史新高。

　　但熱鬧是結構性的，或者說，新冠疫情等黑天鵝來了后，難免遭遇現(xiàn)實考量。

　　分析人士指出，COVID-19影響顯著，預計在可預見的未來將繼續(xù)對存儲器市場產生影響。考慮到市場的不確定性，為確保存儲器行業(yè)的長期健康發(fā)展，存儲器供應商必須謹慎地作出應對。

　　結語

　　不管是回顧還是展望，國產替代無疑是備受矚目的線索。EUV技術導入、DDR世代更迭、龍頭廠商激戰(zhàn)升級之外，以長江存儲、長鑫存儲、兆易創(chuàng)新為代表的本土廠商在應對本土供應難題的同時，也開始因突破性進展放出更大聲量。

　　揮別國產存儲極具里程碑意義的2020上半年，國內存儲廠商也迎來發(fā)展良機。
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