flash存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換成鐵電存儲(chǔ),應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
保存.鐵電儲(chǔ)存器不需要定時(shí)更新, 調(diào)電后數(shù)據(jù)卻能夠繼續(xù)保存, 速度快而且不容易寫(xiě)壞. 鐵電儲(chǔ)存器就是根據(jù)該原理設(shè)計(jì)而成.2鐵電儲(chǔ)存器的典型應(yīng)用2.1鐵電存儲(chǔ)器在電表存儲(chǔ)中的應(yīng)用2.1.1概述 在
2014-04-25 11:05:59
于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過(guò)程。Ramtron公司的鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)?shù)某墒?。最初?b class="flag-6" style="color: red">鐵電存儲(chǔ)器采用兩晶體管/兩電容器(2T/2C)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致元件體積相對(duì)過(guò)大。最近隨著鐵
2011-11-19 11:53:09
于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過(guò)程。Ramtron公司的鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)?shù)某墒臁Ｗ畛醯?b class="flag-6" style="color: red">鐵電存儲(chǔ)器采用兩晶體管/兩電容器(2T/2C)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致元件體積相對(duì)過(guò)大。最近隨著鐵
2011-11-21 10:49:57
摘要：介紹鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808為例說(shuō)明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
的非易失性存儲(chǔ)器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開(kāi)發(fā)板來(lái)為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
我們公司是代理富士通鐵電存儲(chǔ)器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_(kāi)始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類(lèi)型的客戶(hù)，都普遍很少用，只是有一些對(duì)產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
電存儲(chǔ)器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問(wèn)題，同時(shí)又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。鐵電存儲(chǔ)器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專(zhuān)利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲(chǔ)器
2019-04-28 09:57:17
proteus 可以仿真鐵電存儲(chǔ)器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
用一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器可取代原MCU需配置的2~3個(gè)不同的存儲(chǔ)器，統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)使用戶(hù)在成本和靈活性上獲益。這種集
2021-11-10 08:28:08
介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說(shuō)明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說(shuō)明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
摘要：RAMTRON公司生產(chǎn)的并行接口高性能鐵電存儲(chǔ)器FM1808是NV-SRAM的理想替代產(chǎn)品。文中介紹了FM1808的性能特點(diǎn)、引腳功能和工作原理，同時(shí)重點(diǎn)介紹了鐵電存儲(chǔ)器的
2006-03-24 13:01:42
2072 
鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)
2008-01-30 09:13:505083 
帶RTC的I2C總線(xiàn)鐵電存儲(chǔ)器芯片-FM31256
FM31256是一種基于I2C總線(xiàn)、采用鐵電體技術(shù)的多功能存儲(chǔ)芯片。除了非易失存儲(chǔ)器外，該器件還具有實(shí)時(shí)時(shí)鐘、低電壓
2009-03-29 15:16:103892 
鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)
?
1 鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來(lái)越大，讀寫(xiě)速度
2009-10-25 09:59:5013010 
的寫(xiě)入次數(shù)、并為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度（允許其通過(guò)軟件變更來(lái)完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū)）。 鐵電存儲(chǔ)器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多：非易失性，寫(xiě)入速度快，無(wú)限次寫(xiě)入，最關(guān)鍵是用一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器可取代原MCU需配置的2~3個(gè)不同的存儲(chǔ)器，統(tǒng)一
2020-11-17 16:33:39982 富士通型號(hào)MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來(lái)形成非易失性存儲(chǔ)單元。能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)，而無(wú)需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:001522 
應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:413841 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:462230 
用一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器可取代原MCU需配置的2~3個(gè)不同的存儲(chǔ)器，統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)使用戶(hù)在成本和靈活性上獲益。這種集
2021-11-05 17:35:5918 的功耗。鐵電存儲(chǔ)器是一種具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度，功耗低等優(yōu)點(diǎn)的高性能和高可靠性存儲(chǔ)器。 本篇文章鐵電存儲(chǔ)器代理商英尚微電子介紹關(guān)于使用其他存儲(chǔ)芯片的常見(jiàn)問(wèn)題和解決方案。 狀態(tài)：使用EEPROM 問(wèn)題：由于寫(xiě)耐久性規(guī)范的限制，難以更頻
2021-11-11 16:24:092080 數(shù)據(jù)。MB85RC04V使用的非易失性存儲(chǔ)單元的讀/寫(xiě)壽命提高到至少1012個(gè)周期，在數(shù)量上明顯優(yōu)于其他非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品。MB85RC04V鐵電存儲(chǔ)器在寫(xiě)入存儲(chǔ)器后不需要輪詢(xún)序列，例如閃存或E2PROM的情況。 特點(diǎn) ?位配置：512字×8位 ?兩線(xiàn)串行接口：完全由兩個(gè)端口控制：串行時(shí)鐘（SCL）和串行
2022-01-18 16:48:462001 拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:522081 鐵電存儲(chǔ)器稱(chēng)FRAM或FeRAM，F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:143282 
在基于LORA的采集系統(tǒng)中，先通過(guò)傳感器采集信息，并將信息進(jìn)行放大等調(diào)理后，傳輸?shù)街骺豈CU，最后主控MCU通過(guò)LORA的無(wú)線(xiàn)傳輸方式傳輸?shù)胶蠖?，拍字?jié)的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）設(shè)備PB85RS128就可應(yīng)用其中
2022-12-14 14:51:131015 國(guó)芯思辰接觸的一個(gè)客戶(hù)在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個(gè)小的存儲(chǔ)器件用來(lái)存儲(chǔ)少量的數(shù)據(jù)。此前該客戶(hù)使用進(jìn)口的富士通MB85RS128B，現(xiàn)需要一個(gè)與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國(guó)產(chǎn)器件用作國(guó)產(chǎn)化備選方案
2022-12-20 16:23:041227 PB85RS128鐵電存儲(chǔ)器是不需要備用電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:321441 在門(mén)禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě)”、“高擦寫(xiě)耐久性”的特點(diǎn)（100萬(wàn)次寫(xiě)入周期、長(zhǎng)達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時(shí)效）。
2023-03-01 14:03:55943 可編程序控制器簡(jiǎn)稱(chēng)PLC，在各個(gè)產(chǎn)業(yè)企業(yè)中普遍使用，PLC與觸摸屏結(jié)合具有操作簡(jiǎn)潔、界面舒服美觀(guān)、編程容易懂、抗干擾能力強(qiáng)等特征。PLC的主機(jī)部分由中央處理器(CPU)、輸入/輸出接口(I/0接口
2023-04-10 17:14:421021 的指令，通過(guò)數(shù)字式或模擬式的輸入輸出來(lái)控制各種類(lèi)型的機(jī)械設(shè)備或生產(chǎn)過(guò)程。 PLC的主機(jī)部分由中央處理器、輸入/輸出接口(I/0接口)通信、擴(kuò)展接口、儲(chǔ)存器、設(shè)備接口和電源等部分構(gòu)成。其中，基于京微齊力FPGA HME-M7和舜銘存儲(chǔ)鐵電存
2023-04-19 09:47:161424 
PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無(wú)污染。
2023-04-20 11:29:57740 PLC的主機(jī)部分由中央處理器、輸入/輸出接口（I/0接口）通信、擴(kuò)展接口、儲(chǔ)存器、設(shè)備接口和電源等部分構(gòu)成。其中，基于京微齊力FPGA HME-M7和舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC的PLC系統(tǒng)已成為最佳解決方案。
2023-05-06 14:32:442081 
鐵電存儲(chǔ)器硬件接線(xiàn)圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，讀寫(xiě)速度較慢，存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫(xiě)后容易損壞，無(wú)法滿(mǎn)足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求，故此，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫(xiě)，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫(xiě)操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21675 
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿(mǎn)足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:411614 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性?xún)?yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶(hù)的青睞。
2023-06-01 10:57:52630 
使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿(mǎn)足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲(chǔ)器都無(wú)法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48653 
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:121014 
在數(shù)據(jù)采集中，某些變化緩慢的直流信號(hào)，需要長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)測(cè)記錄信號(hào)變化;用性能可靠的移動(dòng)存儲(chǔ)器接在工作現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行數(shù)據(jù)自動(dòng)記錄采集，待采集完成后取回并接到計(jì)算機(jī)讀取分析，是解決這類(lèi)問(wèn)題的最佳辦法。本文介紹的移動(dòng)數(shù)據(jù)采集器，關(guān)鍵在于解決移動(dòng)時(shí)掉電數(shù)據(jù)保持問(wèn)題以及在大容量的存儲(chǔ)空間保證足夠的分辨率和記錄時(shí)長(zhǎng)。
2023-06-15 10:05:431101 
在機(jī)械工程車(chē)上，儀表盤(pán)可以實(shí)時(shí)顯示車(chē)輛運(yùn)行信息，指示車(chē)輛運(yùn)行狀態(tài)，還具有故障報(bào)警、倒車(chē)影像等功能，能幫助駕駛員更好的操控工程車(chē)輛完成任務(wù)，由于儀表盤(pán)實(shí)時(shí)更新的信息比較多，需要用到鐵電存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
2022-08-19 14:08:111166 
藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上，主控自帶的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)往往不夠用，這時(shí)候就需要外掛存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲(chǔ)，本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128C在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備中進(jìn)
2022-09-19 14:00:421566 
音頻電話(huà)會(huì)議需記錄會(huì)議中的重要信息，所以其用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)模塊的存儲(chǔ)器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話(huà)會(huì)議的簡(jiǎn)略框圖，該方案中存儲(chǔ)模塊采用拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件可替換賽普拉斯
2022-09-30 15:36:331237 128C，支持SPI和百萬(wàn)次讀寫(xiě)周期，-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節(jié)的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM，該鐵電存儲(chǔ)器用于智能照明燈有如
2022-11-17 14:37:321465 
PB85RS128C是國(guó)產(chǎn)128KbFRAM，其運(yùn)行電流為5mA，低功耗模式下電流在10μA以?xún)?nèi)，滿(mǎn)足汽車(chē)鑰匙對(duì)存儲(chǔ)器的功耗要求。應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：?在供電方面，拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)
2022-11-23 10:25:541343 
舞臺(tái)音響是一種用于舞臺(tái)演出的音響設(shè)備，舞臺(tái)音響通常會(huì)采用外掛小容量的器件來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此就要求存儲(chǔ)器具有安全、可靠的特性。下圖為舞臺(tái)音響的原理框圖，在本方案中，存儲(chǔ)采用拍字節(jié)的鐵電存儲(chǔ)器(FRAM
2022-11-25 09:27:521449 
的PB85RS128，該款鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）采用標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口進(jìn)行通信，包含128Kb內(nèi)存容量。無(wú)線(xiàn)耳機(jī)的基本原理框圖在無(wú)線(xiàn)耳機(jī)中使用PB85RS128，會(huì)帶來(lái)
2022-11-29 10:25:591306 
隨著國(guó)產(chǎn)芯片的崛起，國(guó)內(nèi)終端工廠(chǎng)對(duì)于國(guó)產(chǎn)化的需求也在不斷增加。國(guó)芯思辰接觸的一個(gè)工程師在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個(gè)小的存儲(chǔ)器件用來(lái)存儲(chǔ)少量的數(shù)據(jù)。此前該項(xiàng)目使用進(jìn)口的富士通
2022-12-02 15:01:311312 
存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫(xiě)入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:251320 
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:031132 氨氣檢測(cè)儀可以快速測(cè)定在工業(yè)燃燒、農(nóng)業(yè)養(yǎng)殖以及日常生活中氨氣濃度，檢測(cè)儀提供的數(shù)據(jù)，包括多采樣點(diǎn)的氨氣濃度值、采樣通道和時(shí)間報(bào)警信息以及檢測(cè)儀系統(tǒng)自身的參數(shù)信息等。
2023-07-13 09:06:50943 
DSP控制器是將實(shí)時(shí)處理能力和控制器外設(shè)功能結(jié)合在一起 , 為控制系統(tǒng)的應(yīng)用提供了一個(gè)理想的解決方案。一般情況下, 采用24xDSP及以上系列的控制器就能實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)數(shù)字化的單芯片控制。但當(dāng)系統(tǒng)功能
2023-07-13 09:12:421041 
，同時(shí)，外接計(jì)算機(jī)亦可通過(guò)串口通信數(shù)據(jù)線(xiàn)將儀器中的規(guī)程讀出及刪除。在規(guī)程存儲(chǔ)中，需要采用目前比較先進(jìn)的非易失性鐵電存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)規(guī)程數(shù)據(jù)。
2023-07-20 09:28:481011 國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-09-06 10:25:541258 
PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:0415 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:158 電存儲(chǔ)器SF25C20在燃?xì)獗碇械膽?yīng)用，兼容MB85RS2MT
2024-04-07 09:45:421003 
鐵電存儲(chǔ)器SF25C20兼容MB85RS2MT應(yīng)用于醫(yī)療血氧儀
2024-04-30 09:28:39908 國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20兼容MB85RS2MT廣泛用于邊緣計(jì)算
2024-05-10 09:30:46995 國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)在公交IC卡中的應(yīng)用
2024-06-19 09:45:121101 鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)在新能源汽車(chē)BMS中應(yīng)用
2024-06-25 09:49:09925 鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）在電機(jī)控制中應(yīng)用
2024-07-01 10:00:341471 國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20可兼容MB85RS2MT用于電力監(jiān)測(cè)儀
2024-07-04 09:59:32992 替代MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20用于打印機(jī)耗材
2024-08-16 09:57:161317 
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20( MB85RS2MT)用于輸液泵和呼吸機(jī)
2024-09-25 09:33:48970 鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫(xiě)能力和非易失性存儲(chǔ)特性的存儲(chǔ)技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)主要體現(xiàn)在其獨(dú)特的材料構(gòu)成、工作原理、物理結(jié)構(gòu)以及所展現(xiàn)出的優(yōu)越性能上。
2024-09-29 15:18:541757 鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)市場(chǎng)中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技術(shù)一樣，鐵電存儲(chǔ)器也有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2024-09-29 15:21:003410 鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器，它們?cè)诠ぷ髟怼?b class="flag-6" style="color: red">性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 鐵電存儲(chǔ)器SF25C20應(yīng)用于風(fēng)量監(jiān)控系統(tǒng)，替換MB85RS2MT
2024-11-28 10:04:13809 
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128(MB85RS128)用于振動(dòng)檢測(cè)設(shè)備
2024-12-11 09:56:33893 
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF24C512(MB85RS512)用于數(shù)字壓力校驗(yàn)表
2024-12-13 09:58:481057 
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF24C512(MB85RS512)工廠(chǎng)自動(dòng)化系統(tǒng)機(jī)器人HMI中的應(yīng)用
2024-12-20 09:56:531155 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些？
2025-01-10 09:12:15905 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢(shì)顯著
2025-02-07 09:29:33909 
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451305 性鐵電存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20助聽(tīng)器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676 
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128電壓檢測(cè)儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36720 多軸控制器可使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26589 
器必須具有如下三方面的功能：1、寫(xiě)入速度快，能及時(shí)記錄數(shù)據(jù)，2、能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)，3、能記錄數(shù)據(jù)發(fā)生的準(zhǔn)確時(shí)刻。使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫(xiě)入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問(wèn)題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問(wèn)題就將迎刃而解。將國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
耗盡導(dǎo)致設(shè)備故障；本文推薦使用FRAM PB85RS2MC用于CT掃描機(jī)控制系統(tǒng)，它具有很多無(wú)可超越的優(yōu)點(diǎn)，包括快速寫(xiě)入、耐久性、低功耗和耐輻射性，能夠替代SRAM
2023-08-11 11:18:20
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用，鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫(xiě)入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有這類(lèi)內(nèi)存才能夠可靠而無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲(chǔ)器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無(wú)論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫(xiě)入耐久度PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
的系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)。 其中鐵電存儲(chǔ)器可使用國(guó)芯思辰PB85RS2MC，憑借高速讀寫(xiě)功能，記錄儀可以實(shí)時(shí)在線(xiàn)記錄現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)，并可以通過(guò)以太網(wǎng)通信方式與上位機(jī)進(jìn)行
2023-11-15 10:34:19
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫(xiě)操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)存儲(chǔ)要求的是國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
存儲(chǔ)中，鐵電存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門(mén)禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車(chē)記錄儀、工業(yè)儀器等等。國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
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