3D NAND閃存高密度技術(shù)正變得越來越激進(jìn)。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量來實(shí)現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術(shù)和多值存儲(chǔ)技術(shù)（用于在一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)多個(gè)
2019-08-10 00:01:00
8135 臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 ）亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來3~4年內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)既有平衡競(jìng)局恐將被打破。
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢(shì)，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:232091 通過3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS2018）在深圳舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
，市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)，在航空航天領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴(kuò)大。??3D打印技術(shù)持續(xù)發(fā)展，市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)??3D打印技術(shù)在技術(shù)方法、制造平臺(tái)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等方面取得重要進(jìn)展，在市場(chǎng)規(guī)模方面保持快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。??3D打印
2019-07-18 04:10:28
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主，NAND閃存顆粒根據(jù)存儲(chǔ)原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06
娛樂等，未來AI實(shí)時(shí)應(yīng)用、分析、移動(dòng)性，對(duì)存儲(chǔ)要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長(zhǎng)的需求，西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND，F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲(chǔ)器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲(chǔ)器的特性進(jìn)行分割成為一個(gè)合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲(chǔ)器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲(chǔ)器，帶寬分割在高水平上，主要有3個(gè)
2018-05-17 09:45:35
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)在阻變存儲(chǔ)器微觀機(jī)制研究中取得系列進(jìn)展。
2012-04-13 09:31:301483 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 3D打印技術(shù)近年來得到普遍關(guān)注。目前，3D打印技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用已取得明顯進(jìn)展，但是3D打印技術(shù)還沒有得到全面應(yīng)用。就地學(xué)信息領(lǐng)域而言，僅在個(gè)別部門得到初步應(yīng)用。
2017-06-23 10:32:124346 技術(shù)的基礎(chǔ)上， 該公司運(yùn)用其深厚的重直整合能力，開發(fā)出X4 3D NAND技術(shù)，包括硅晶圓加工、裝置工程（在每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上提供16個(gè)不同的資料等級(jí)）、和系統(tǒng)專門技術(shù)（用于整體閃存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 無論是DRAM還是NAND Flash都處于高度壟斷，即便是有可能帶來產(chǎn)業(yè)變革機(jī)會(huì)的3D NAND產(chǎn)品，目前國(guó)際存儲(chǔ)大廠也在不斷壘高技術(shù)壁壘。但是中國(guó)在發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的道路上已經(jīng)開始發(fā)出自己的聲音.
2017-09-08 11:30:001308 解決方案方面，比較典型的應(yīng)用有 3D 手術(shù)預(yù)規(guī)劃模型、手術(shù)導(dǎo)板、3D 打印植入物，以及假肢、助聽器等康復(fù)醫(yī)療器械。在再生醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，研究人員已經(jīng)在利用生物 3D 打印技術(shù)培養(yǎng)人造器官方面取得了值得肯定的進(jìn)展。本文主要觀察了 2017 年第一季度，醫(yī)用
2017-09-22 17:35:41
9 解決方案方面，比較典型的應(yīng)用有 3D 手術(shù)預(yù)規(guī)劃模型、手術(shù)導(dǎo)板、3D 打印植入物，以及假肢、助聽器等康復(fù)醫(yī)療器械。在再生醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，研究人員已經(jīng)在利用生物 3D 打印技術(shù)培養(yǎng)人造器官方面取得了值得肯定的進(jìn)展。本文主要觀察了 2017 年第一季度，醫(yī)用 3
2017-09-24 09:23:5511 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí)，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機(jī)已無法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器的進(jìn)展鋪路…
智能手機(jī)使用者不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn)，除了提升裝置的處理
2018-06-07 07:44:001021 
NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng)，但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800 新興光纖激光技術(shù)市場(chǎng)有望在傳感和醫(yī)療領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，而激光焊接和3D打印技術(shù)的創(chuàng)新意味著材料加工仍然是中期主要的市場(chǎng)焦點(diǎn)。
2018-06-21 14:26:003028 
據(jù)報(bào)道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長(zhǎng)繆向水及其團(tuán)隊(duì)正在研制一款基于相變存儲(chǔ)器的3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù)。他估計(jì)，在這項(xiàng)技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會(huì)比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 3D NVM主要廠商產(chǎn)品路線圖近階段，3D非易失性存儲(chǔ)（NVM）領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，例如Western Digital（西部數(shù)據(jù)）收購(gòu)了SanDisk，中國(guó)政府在存儲(chǔ)領(lǐng)域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚(yáng)鑣，以進(jìn)一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
5月2日寬帶發(fā)展聯(lián)盟發(fā)布了第19期《中國(guó)寬帶速率狀況報(bào)告》（2018年第一季度）。報(bào)告顯示，2018年第一季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到20.15Mbit/s，已超越20Mbit/s大關(guān)，取得了標(biāo)志性成果，相比2017年第一季度同比提升達(dá)到54.9%。
2018-06-14 09:45:004373 
的平面閃存，3D存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對(duì)2D NAND來說，國(guó)際大廠在3D存儲(chǔ)器布局方面走得并不遠(yuǎn)。
2018-06-20 17:17:495087 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱，東芝存儲(chǔ)器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001863 ?由于國(guó)家政策和大基金的支持，中國(guó)大陸現(xiàn)在也把存儲(chǔ)芯片作為重點(diǎn)來抓，3D NAND也順理成章成為廣大廠商關(guān)注的重點(diǎn)，早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技（XMC）很早已經(jīng)在武漢開工建設(shè)12英寸晶圓廠
2018-10-08 15:52:39780 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 昨日，紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無到有的重大突破，也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 從2011年開始，全球開始掀起3D打印熱潮，當(dāng)前，3D打印在航空航天、汽車、醫(yī)療健康等領(lǐng)域的市場(chǎng)應(yīng)用已經(jīng)取得積極的進(jìn)展，我國(guó)3D打印產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今，呈現(xiàn)出不斷深化、不斷擴(kuò)大應(yīng)用的態(tài)勢(shì)。未來，隨著政策以及技術(shù)的支持，我國(guó)3D打印產(chǎn)業(yè)將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。
2019-02-27 09:03:1335391 
近年來，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器為
2019-03-19 15:43:0110827 
（CITE2019）上展示了企業(yè)級(jí)P8260硬盤，使用的就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存。長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，目前計(jì)劃進(jìn)展順利，沒有任何障礙。
2019-04-18 16:18:522545 根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:393096 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:573525 
閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 我國(guó)航天產(chǎn)業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域已經(jīng)步入了商業(yè)化進(jìn)程。近年來，伴隨國(guó)家大力推動(dòng)軍民融合以及“互聯(lián)網(wǎng)+航天”的產(chǎn)業(yè)升級(jí)變革，在全球新一輪工業(yè)革命的大背景下，中國(guó)航天領(lǐng)域在商業(yè)航天方面發(fā)展取得了突破性進(jìn)展。
2020-11-13 15:16:244668 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來。
2020-11-19 16:11:183722 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級(jí)技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲(chǔ)器的未來。TechInsights 是一家對(duì)包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 基礎(chǔ)前沿理論研究取得標(biāo)志性成果。在類腦智能計(jì)算、群體智能、大數(shù)據(jù)智能、跨媒體智能、自主協(xié)同控制與優(yōu)化決策、智能計(jì)算芯片與系統(tǒng)等基礎(chǔ)前沿理論研究領(lǐng)域取得明顯進(jìn)展，形成標(biāo)志性科技成果10個(gè)以上。
2020-12-11 15:41:232542 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)李傳鋒、周宗權(quán)研究組在量子存儲(chǔ)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，首次實(shí)現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲(chǔ)器。
2021-01-06 10:47:20854 在騰訊電競(jìng)2021天美電競(jìng)項(xiàng)目計(jì)劃發(fā)布會(huì)上，深圳電競(jìng)制作中心正式成立并啟用，成為騰訊云5G網(wǎng)絡(luò)方案在電競(jìng)領(lǐng)域的一次標(biāo)志性落地。
2021-02-26 12:23:122241 人駕駛汽車和機(jī)器人，在現(xiàn)實(shí)世界中導(dǎo)航和運(yùn)作，并在移動(dòng)設(shè)備上創(chuàng)建改進(jìn)的增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)。 最近，計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域開始在 3D 場(chǎng)景理解方面取得良好進(jìn)展，包括用于移動(dòng) 3D 目標(biāo)檢測(cè)、透明目標(biāo)檢測(cè)等的模型，但由于可應(yīng)用于 3D 數(shù)據(jù)的可用工
2021-03-30 13:58:071967 
我們國(guó)家在3D打印技術(shù)方面是一直有研究的。就在近日，山東省增材制造工程技術(shù)研究中心蘭紅波教授團(tuán)隊(duì)在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)噴射微3D打印及應(yīng)用研究方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)研究成果發(fā)表在《Advanced Materials》（SCI影響因子：27.398）上。
2021-04-23 15:28:441345 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構(gòu)，存儲(chǔ)密度隨時(shí)間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:352730 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國(guó)品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者。__
2022-12-05 17:07:381876 存儲(chǔ)單元中，電荷的存儲(chǔ)層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無結(jié)型 (Junctionless， JL)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 在3D實(shí)現(xiàn)方面，存儲(chǔ)器比邏輯更早進(jìn)入實(shí)用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲(chǔ)單元的三維堆疊，以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D（三維）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對(duì)NAND Flash優(yōu)點(diǎn)的詳細(xì)闡述，并簡(jiǎn)要探討與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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