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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>美光擴大在新加坡的研發(fā)業(yè)務,致力于制造3D NAND閃存

美光擴大在新加坡的研發(fā)業(yè)務,致力于制造3D NAND閃存

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2020-03-23 08:52:432863

即將量產(chǎn)第四代3D NAND存儲器 層數(shù)達到128層

光在二季度財報電話會議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃,將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型,第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011

全球首款3D QLC NAND SSD升級新固件

兩年前,發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD,型號為5210 ION系列。今天,宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級,可以作為機械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:413042

長江儲存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長江儲存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:063603

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存
2020-04-20 09:06:01776

長江存儲的技術創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報道,專注3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)媒Anandtech報道,日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176層構造。報道指出,新型176L閃存是自與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品,此后從浮柵( floating-gate)存儲單元設計轉變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:593477

全新176層堆疊閃存發(fā)布,可以輕松放入智能手機和存儲卡內(nèi)

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是、Intel閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存
2020-11-10 16:22:392315

宣布了其第五代3D NAND閃存技術

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是、Intel閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924

科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623

發(fā)布176層3D NAND閃存

的應用效能。 據(jù)了解,176層3D NAND閃存第二代替換閘(Replacement Gate)架構,是目前全球技術最為先進的NAND節(jié)點,相較前代3D NAND相比,176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:553696

科技出貨首款176層NAND 閃存性能和密度突破刷新行業(yè)紀錄

北京時間11月13日消息,內(nèi)存和存儲解決方案供應商Micron Technology(科技)宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存,一舉刷新行業(yè)紀錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565

3D NAND閃存技術未來發(fā)展趨勢分析

日前,TechInsights高級技術研究員Joengdong Choe2020年閃存峰會上作了兩次演講,詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:183722

未來的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應運而生,可以支持更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量,需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托先進工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 2020 年的閃存
2020-11-20 16:07:133095

NAND加速邊緣計算場景化落地

日前,存儲器廠商宣布,其第五代3D?NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過全新推出的176層3D?NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應用效能。
2020-11-20 17:10:122392

未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

依托先進工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:444306

第一款3D Xpoint閃存SSD銷量差

通過轉讓IM工廠股份給、將閃存業(yè)務打包出售給SK海力士等,Intel正重新梳理旗下業(yè)務,至少就閃存、SSD來看,現(xiàn)在只剩下傲騰了。 不過,傲騰的3D Xpoint芯片仍要靠猶他州的IM工廠生產(chǎn)
2020-11-29 11:54:412026

SK海力士宣布推出最新一代的3D NAND

據(jù)報道,SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹,新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后,SK hynix是第二家達到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822

不要過于關注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應運而生,可以支持更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量,需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托先進工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技術堆疊將走向何方?

發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583

通用汽車投運使用3D打印研發(fā)中心

周一的時候,通用汽車宣布底特律郊區(qū)的沃倫技術中心投放了 24 臺工業(yè) 3D 打印機。據(jù)悉,占地 15000 平方英尺的“遞增產(chǎn)業(yè)化中心”(AIC)致力于通過 3D 打印技術,徹底改變汽車的制造工藝、縮短開發(fā)時間、降低成本、以及提升品質。這些生產(chǎn)力技術將成為通用汽車推動未來研發(fā)制造的新基礎。
2020-12-15 14:23:191769

鎧俠、西數(shù)推162層3D閃存,性能提升66%

幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714

一年虧4億 宣布出售芯片工廠!

3D Xpoint技術是與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術,比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白
2021-03-19 14:25:251570

NVIDIA GPU致力于FACEGOOD加速3D數(shù)字內(nèi)容制作

發(fā)展迅猛的3D數(shù)字內(nèi)容制作企業(yè),F(xiàn)ACEGOOD(量子動力)便是其中的代表之一。 創(chuàng)建于2015年的FACEGOOD是一家專注軟件技術研究的公司,團隊成員工業(yè)軟件、計算力學與圖形學領域具有十幾年的技術積累。從2016年開始,F(xiàn)ACEGOOD致力于研發(fā)工業(yè)級的3D表情
2021-08-02 14:29:501994

廣明源研發(fā)推出紫外殺菌系列產(chǎn)品 致力于提供更安全的紫外殺菌產(chǎn)品

廣明源科技股份有限公司專注科技應用的研發(fā)制造,紫外殺菌消毒領域,廣明源研發(fā)團隊傾力推出紫外殺菌系列產(chǎn)品,致力于提供更安全的紫外殺菌產(chǎn)品,為公共消殺貢獻力量。
2021-10-12 17:50:382633

NAND閃存市場競爭愈發(fā)激烈

 3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354

制造商推動3D NAND閃存的進一步發(fā)展

  全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足,不僅體現(xiàn)在當今閃存控制器的功能上,尤其是通過 3D NAND 架構。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應用程序的不斷發(fā)展,這些苛刻應用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510

「復享光學」3D NAND多層薄膜量測的新思路

據(jù)知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道,長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn),領先于三星、、SK海力士等廠商,這也是__中國品牌半導體領域首次領先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預計2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142

基于232層3D TLC NAND閃存UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存UFS 4.0模塊能效提升25% 此前推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:211823

起訴!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090

長江存儲起訴!

長江存儲以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論:長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者,超過了。
2023-11-13 16:53:041658

8項專利被侵權!與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭科技提告,指控侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

據(jù)報道,韓國SK集團2020年斥資400億韓元收購當?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務,收購后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術開發(fā)。
2023-11-29 17:01:561777

第九代3D TLC NAND閃存技術的SSD產(chǎn)品開始出貨

知名存儲品牌近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達
2024-07-31 17:11:171680

SK海力士致力于研發(fā)超400層的NAND閃存芯片

近一年多來,DRAM芯片制造商為爭奪高帶寬內(nèi)存(HBM)市場份額,展開了激烈的研發(fā)競賽。這股競爭浪潮隨著存儲器市場的持續(xù)升溫,逐漸擴展到NAND閃存領域,特別是針對人工智能個人電腦(AI PC)及數(shù)據(jù)中心優(yōu)化的新一代產(chǎn)品,其開發(fā)步伐顯著加快。
2024-08-02 16:43:271161

新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動工

光在亞洲地區(qū)的進一步布局和擴張。 據(jù)方面介紹,該工廠將采用最先進的封裝技術,致力于提升HBM內(nèi)存的產(chǎn)能和質量。隨著AI芯片行業(yè)的迅猛發(fā)展,HBM內(nèi)存的需求也不斷增長。為了滿足這一市場需求,決定在新加坡建設這座先進的封裝工
2025-01-09 16:02:581155

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