Intel首次采用10nm工藝的第三代可擴展至強“Ice Lake-SP”已經(jīng)推遲到2021年第一季度,將會和AMD 7nm工藝、Zen3架構的的第三代霄龍正面對決,無論規(guī)格還是性能都討不到什么便宜。
B站網(wǎng)友“結城安穗-YuuKi_AnS”曝光了Ice Lake-SP的一顆工程樣品,隸屬于至強銀牌4300系列,14核心28線程,17MB二級緩存(每核心獨享1.25MB),21MB三級緩存(平均每核心1.5MB),基準頻率2.0GHz,最高睿頻4.0GHz,但實際運行中全核頻率只有1.8-2.0GHz,熱設計功耗165W。
雖然是一顆工程樣品,但這樣的頻率確實有點沒法看,而同樣是早期樣品的霄龍7763基準已達2.45GHz,加速則為3.55GHz。
二代可擴展至強沒有14核心,與之最接近的是12核心至強銀牌4214,頻率2.2-3.2GHz,但熱設計功耗只有85W,另外新版至強銀牌4214R頻率提至2.4-3.5GHz,熱設計功耗也不過100W。
難道10nm真的如此弱雞,頻率沒上去,功耗卻控制不住了?只能期待正式版還有大招了。
責任編輯:pj
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
intel
+關注
關注
19文章
3510瀏覽量
191613 -
頻率
+關注
關注
4文章
1588瀏覽量
62303 -
10nm
+關注
關注
1文章
164瀏覽量
30551
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
輕薄、AI、數(shù)日續(xù)航、性能強勁,第三代英特爾酷睿Ultra新品重磅上市
今日,英特爾在上海舉辦了第三代英特爾酷睿Ultra處理器新品分享會。作為全球首款基于Intel 18A工藝打造的計算平臺,第三代英特爾酷睿 Ultra處理器家族以卓越性能、領先顯卡表現(xiàn)
探索TPA2008D2:第三代5 - V Class - D音頻功放的卓越性能
探索TPA2008D2:第三代5 - V Class - D音頻功放的卓越性能 在音頻功放的領域中,TI的TPA2008D2脫穎而出,成為了第三代5 - V Class - D音頻功放的杰出代表
行業(yè)快訊:第三代半導體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊:第三代半導體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
Cadence公司成功流片第三代UCIe IP解決方案
為推動小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮,Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(UCIe)IP 解決方案,在臺積電先進的 N3P 工藝上實現(xiàn)了業(yè)界領先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構成:核心
發(fā)表于 12-25 09:12
開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基礎,將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術的一次重要演進,其目標不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導體推出的第三代
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
芯科科技第三代無線開發(fā)平臺SoC的三大領先特性
Silicon Labs(芯科科技)第三代無線開發(fā)平臺SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無線產(chǎn)品開發(fā)趨勢,該系列產(chǎn)品升級了三大功能特性:可擴展性、輕松
第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域
隨著電子技術的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)
隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進程,將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于將負極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
Intel第三代可擴展至強“Ice Lake-SP”性能曝光
評論