第三代半導體Central issue

2020年10月，國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇，論壇上國星光電宣布將緊抓國產(chǎn)化機遇，迅速拓展第三代半導體新賽道。近期，國星光電正式推出一系列第三代半導體新產(chǎn)品，在新的賽道上邁出了堅實的步伐。

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新賽道 開新局

第三代半導體是國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃的重要發(fā)展方向。與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體除了具備較大的禁帶寬度之外，還具有高導熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優(yōu)良的物理和化學穩(wěn)定性等特點。

風乘國家“十四五”對半導體集成電路領(lǐng)域的規(guī)劃，國星光電在“三代半封測”領(lǐng)域大力布局，在傳承“LED封測”高可靠性的品質(zhì)管理體系基礎(chǔ)上，致力于打造高可靠性及高品質(zhì)優(yōu)勢的“專業(yè)三代半功率封測企業(yè)”。

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新方向 創(chuàng)新品

目前，國星光電在第三代半導體領(lǐng)域已經(jīng)形成了3大產(chǎn)品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。國星光電打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測企業(yè)，堅定高性能、高可靠性、高品質(zhì)的產(chǎn)品路線。

●SiC功率器件

國星光電SiC功率器件小而輕便，反向恢復快、抗浪涌能力強、雪崩耐壓高，擁有優(yōu)越的性能與極高的工作效率。目前該領(lǐng)域已形成了2條SiC功率器件拳頭產(chǎn)品線：SiC-MOSFET、SiC-SBD；擁有4種封裝結(jié)構(gòu)（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可廣泛應用于大功率電源、充電樁等工業(yè)領(lǐng)域。

●GaN-DFN器件

國星光電的GaN-DFN器件具有更高的臨界電場、出色導通電阻、更低的電容等優(yōu)勢，使其尤適用于功率半導體器件，降低節(jié)能和系統(tǒng)總成本的同時，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統(tǒng)效率，可極大地提升充電器、開關(guān)電源等應用的充電效率，廣泛應用于新能源汽車充電、手機快充等。

●功率模塊

國星光電第三代半導體功率模塊，采用自主創(chuàng)新的架構(gòu)及雙面高效散熱設(shè)計，具有優(yōu)越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等優(yōu)勢，其功率密度大，產(chǎn)品體型小，可廣泛應用于各種變頻器、逆變器的工業(yè)領(lǐng)域，滿足系統(tǒng)開發(fā)人員對空間的嚴格要求。模塊產(chǎn)品可根據(jù)特殊功能需求進行模塊化定制開發(fā)。

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“星”速度 見實效

為做好技術(shù)儲備積累，滿足市場需求，2020年國星光電便啟動了組建功率器件實驗室及功率器件產(chǎn)線的工作。目前，國星光電第三代半導體新品已正式推出，其中，TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD產(chǎn)品已經(jīng)進入了試產(chǎn)階段，并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規(guī)級標準的摸底測試驗證工作。TO-247-3L的性能達到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L達到1200V、13A、160mΩ。

與此同時，公司產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機構(gòu)，正在依據(jù)AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有關(guān)車規(guī)級和工業(yè)級標準進行認證測試。

未來，在國家“十四五”規(guī)劃的偉大藍圖下，國星光電定將持續(xù)加大第三代半導體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，為國家戰(zhàn)略安全、為第三代半導體國產(chǎn)化貢獻力量。

原文標題：重磅 | 國星光電推出第三代半導體系列新產(chǎn)品

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責任編輯：haq