chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品

電子工程師 ? 來源:國(guó)星光電 ? 作者:國(guó)星光電 ? 2021-04-22 11:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

第三代半導(dǎo)體Central issue

2020年10月,國(guó)星光電成功舉辦了首屆國(guó)星之光論壇,論壇上國(guó)星光電宣布將緊抓國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇,迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期,國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品,在新的賽道上邁出了堅(jiān)實(shí)的步伐。

01

新賽道 開新局

第三代半導(dǎo)體是國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃的重要發(fā)展方向。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體除了具備較大的禁帶寬度之外,還具有高導(dǎo)熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優(yōu)良的物理和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)。

風(fēng)乘國(guó)家“十四五”對(duì)半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的規(guī)劃,國(guó)星光電在“三代半封測(cè)”領(lǐng)域大力布局,在傳承“LED封測(cè)”高可靠性的品質(zhì)管理體系基礎(chǔ)上,致力于打造高可靠性及高品質(zhì)優(yōu)勢(shì)的“專業(yè)三代半功率封測(cè)企業(yè)”。

02

新方向 創(chuàng)新品

目前,國(guó)星光電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)形成了3大產(chǎn)品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。國(guó)星光電打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測(cè)企業(yè),堅(jiān)定高性能、高可靠性、高品質(zhì)的產(chǎn)品路線。

●SiC功率器件

國(guó)星光電SiC功率器件小而輕便,反向恢復(fù)快、抗浪涌能力強(qiáng)、雪崩耐壓高,擁有優(yōu)越的性能與極高的工作效率。目前該領(lǐng)域已形成了2條SiC功率器件拳頭產(chǎn)品線:SiC-MOSFET、SiC-SBD;擁有4種封裝結(jié)構(gòu)(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可廣泛應(yīng)用于大功率電源、充電樁等工業(yè)領(lǐng)域。

●GaN-DFN器件

國(guó)星光電的GaN-DFN器件具有更高的臨界電場(chǎng)、出色導(dǎo)通電阻、更低的電容等優(yōu)勢(shì),使其尤適用于功率半導(dǎo)體器件,降低節(jié)能和系統(tǒng)總成本的同時(shí),工作頻率更高,具有極高的功率密度和系統(tǒng)效率,可極大地提升充電器、開關(guān)電源等應(yīng)用的充電效率,廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等。

●功率模塊

國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體功率模塊,采用自主創(chuàng)新的架構(gòu)及雙面高效散熱設(shè)計(jì),具有優(yōu)越的電性能和熱性能,雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等優(yōu)勢(shì),其功率密度大,產(chǎn)品體型小,可廣泛應(yīng)用于各種變頻器逆變器的工業(yè)領(lǐng)域,滿足系統(tǒng)開發(fā)人員對(duì)空間的嚴(yán)格要求。模塊產(chǎn)品可根據(jù)特殊功能需求進(jìn)行模塊化定制開發(fā)。

03

“星”速度 見實(shí)效

為做好技術(shù)儲(chǔ)備積累,滿足市場(chǎng)需求,2020年國(guó)星光電便啟動(dòng)了組建功率器件實(shí)驗(yàn)室及功率器件產(chǎn)線的工作。目前,國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體新品已正式推出,其中,TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段,并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的摸底測(cè)試驗(yàn)證工作。TO-247-3L的性能達(dá)到1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L達(dá)到1200V、13A、160mΩ。

與此同時(shí),公司產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機(jī)構(gòu),正在依據(jù)AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有關(guān)車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試。

未來,在國(guó)家“十四五”規(guī)劃的偉大藍(lán)圖下,國(guó)星光電定將持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化,為國(guó)家戰(zhàn)略安全、為第三代半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化貢獻(xiàn)力量。

原文標(biāo)題:重磅 | 國(guó)星光電推出第三代半導(dǎo)體系列新產(chǎn)品

文章出處:【微信公眾號(hào):國(guó)星光電】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    338

    文章

    30599

    瀏覽量

    263394
  • 國(guó)星光電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    379

    瀏覽量

    19305
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?507次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?351次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?195次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

    2025年12月4日,深圳高光時(shí)刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?997次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場(chǎng)開拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?505次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1392次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的次重要演進(jìn),其目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?727次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1145次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    ,涵蓋了從材料生長(zhǎng)到質(zhì)量控制的多個(gè)環(huán)節(jié)。外延生長(zhǎng)監(jiān)測(cè):確保高質(zhì)量材料基礎(chǔ)外延生長(zhǎng)是第三代半導(dǎo)體材料制備的核心環(huán)節(jié)之。碳化硅和氮化鎵通常通過化學(xué)氣相沉積(CVD)
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?702次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1236次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

    作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.
    的頭像 發(fā)表于 06-11 08:59 ?2817次閱讀
    新潔能<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>第三代</b>40V Gen.3 SGT MOSFET<b class='flag-5'>系列產(chǎn)品</b>

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅(SiC),它們?cè)陔娏﹄娮印⑸漕l和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2365次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出第三代超結(jié)MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?864次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)