ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。

采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低

組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品。與此同時，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。

“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現(xiàn)更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron 10mΩ（typ）的、SiC-SBD內(nèi)置型全SiC功率模塊。下圖為與現(xiàn)有產(chǎn)品的關(guān)系示意圖。

BSM180D12P3C007的開關(guān)損耗與IGBT模塊相比大幅降低，比ROHM現(xiàn)有的IGBT模塊產(chǎn)品也低42%。這非常有望進一步實現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。

全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴充

下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了新產(chǎn)品。今后，ROHM將會繼續(xù)擴充并完善產(chǎn)品陣容。

.tbl_wrap th,
.tbl_wrap td{
text-align: center;
vertical-align: middle;
line-height:1.7 !important;
}

品名	絕對最大額定(Tj=25°C)	RDS (ON) (mΩ)	封裝	熱敏電阻	內(nèi)部電路圖
VDS (V)	ID (A) (Tc= 60°C)	Tj (°C)	Tstg (°C)	Visol (V) (AC1min.)
NEW BSM080D12P2C008 (2G. DMOS)	1200	80	-40 to +175	-40 to +125	2500	34	C type	無
BSM120D12P2C005 (2G. DMOS)	120	20
NEW BSM180D12P3C007 (3G.UMOS)	180	10
NEW BSM120C12P2C201 (2G.DMOS)	120	20
NEW BSM180D12P2E002 (2G.DMOS)	180	10	E type	有
BSM300D12P2E001 (2G. DMOS)	300	7.3

由ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊

重點必看

開關(guān)損耗更低，頻率更高，應(yīng)用設(shè)備體積更小

審核編輯黃宇