氧化

氧化過程的作用是在晶圓表面形成保護膜。它可以保護晶圓不受化學雜質影響、避免漏電流進入電路、預防離子植入過程中的擴散以及防止晶圓在刻蝕時滑脫。

氧化過程的第一步是去除雜質和污染物，需要通過四步去除有機物、金屬等雜質及蒸發(fā)殘留的水分。清潔完成后就可以將晶圓置于800至1200攝氏度的高溫環(huán)境下，通過氧氣或蒸氣在晶圓表面的流動形成二氧化硅（即“氧化物”）層。氧氣擴散通過氧化層與硅反應形成不同厚度的氧化層，可以在氧化完成后測量它的厚度。

干法氧化和濕法氧化

根據氧化反應中氧化劑的不同，熱氧化過程可分為干法氧化和濕法氧化，前者使用純氧產生二氧化硅層，速度慢但氧化層薄而致密，后者需同時使用氧氣和高溶解度的水蒸氣，其特點是生長速度快但保護層相對較厚且密度較低。

除氧化劑以外，還有其他變量會影響到二氧化硅層的厚度。首先，晶圓結構及其表面缺陷和內部摻雜濃度都會影響氧化層的生成速率。此外，氧化設備產生的壓力和溫度越高，氧化層的生成就越快。在氧化過程，還需要根據單元中晶圓的位置而使用假片，以保護晶圓并減小氧化度的差異。