chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國芯思辰 |混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1可用于DC-DC電源轉(zhuǎn)換

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-04-27 10:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

DC-DC電源變換器將一個固定的直流電壓變換為可變的直流電壓,這種技術(shù)被常應(yīng)用于無軌電車,地鐵列車,電動車的無級變速和控制,同時使上述控制獲得加速平穩(wěn),快速響應(yīng)的性能。

開關(guān)電源以其效率高、功率密度高而在電源領(lǐng)域中占主要地位,為了以更低的功耗獲得更高的速度和更佳的性能,基本半導(dǎo)體推出的混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。

這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET和高性能的碳化硅 MOSFET之間,在某些場合性價比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET,可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡,具有重要的應(yīng)用價值,特別適用于對功率密度提升有需求。

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1電器特征.png

基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用優(yōu)勢:

1、BGH75N120HF1輸出電壓1200V,連續(xù)直流電流為75A @TC=100°C。

2、BGH75N120HF1工作結(jié)溫范圍-40℃-150℃,存儲溫度-55℃-150℃。

3、BGH75N120HF1提供TO-247-3封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

4、BGH75N120HF1大幅降低了IGBT的開關(guān)損耗,適用于對功率密度提升有需求和更性價比的電源應(yīng)用場景。

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18729

    瀏覽量

    261720
  • 電源轉(zhuǎn)換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    384

    瀏覽量

    35919
  • 國芯思辰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    1184

    瀏覽量

    2140
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    不控整流后的隔離DC-DC變換必要性與碳化硅MOSFET的戰(zhàn)略價值

    本深度研究報告旨在全面剖析高功率電力電子系統(tǒng)中,在不控整流級之后引入隔離型DC-DC變換環(huán)節(jié)的架構(gòu)必要性,并深入探討碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在此類拓?fù)渲械淖兏镄?/div>
    的頭像 發(fā)表于 12-11 17:08 ?531次閱讀
    不控整流后的隔離<b class='flag-5'>DC-DC</b>變換必要性與<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的戰(zhàn)略價值

    特 | 至信微SMC40N065T4BS碳化硅MOSFET,高效能電源設(shè)計新選擇

    碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,憑借高耐壓、低損耗、耐高溫的先天優(yōu)勢,成為高壓DC/DC、車載充電、可再生能源等領(lǐng)域的"性能突破口"。作為至信微電子的合作代理商,浮
    的頭像 發(fā)表于 12-11 09:48 ?288次閱讀
    浮<b class='flag-5'>思</b>特 | 至信微SMC40<b class='flag-5'>N</b>065T4BS<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET,高效能<b class='flag-5'>電源</b>設(shè)計新選擇

    onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析

    電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET以其卓越的性能逐漸成為電子工程師的首選。今天,我們就來深入探討一下安森美(onsemi)的NTMT045N065SC1
    的頭像 發(fā)表于 12-05 14:46 ?207次閱讀
    onsemi NTMT045<b class='flag-5'>N065SC1</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET深度解析

    onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅MOSFET:汽車電子應(yīng)用的理想之選

    在汽車電子領(lǐng)域,隨著電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的快速發(fā)展,對功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性提出了更高的要求。碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的性能,成為了汽車電源系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 12-03 14:02 ?236次閱讀
    onsemi NVH4L095<b class='flag-5'>N065SC1</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET:汽車電子應(yīng)用的理想之選

    onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S:性能剖析與應(yīng)用展望

    在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角。今天,我們就來詳細(xì)剖析onsemi推出的一款碳化硅MOSFET——NVHL070N120M3S,看看它在實際應(yīng)用中究竟有哪些獨特之處。
    的頭像 發(fā)表于 12-02 10:06 ?277次閱讀
    onsemi<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET NVHL070<b class='flag-5'>N120</b>M3S:性能剖析與應(yīng)用展望

    Wolfspeed發(fā)布E4MS系列分立碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級 1200 V E4MS 系列分立碳化硅 MOSFET,基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā), 為汽車車載充電器、DC/DC
    的頭像 發(fā)表于 11-30 16:14 ?553次閱讀

    碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南

    傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:00 ?347次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) MOSFET <b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)提供的碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 10-21 10:12 ?320次閱讀
    傾佳代理的基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

    特|DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器原理與應(yīng)用分享

    ,廣泛應(yīng)用于電力管理、工業(yè)控制、汽車電子等多個領(lǐng)域。DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器的工作原理DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器通過開關(guān)模式
    的頭像 發(fā)表于 09-02 14:27 ?587次閱讀
    浮<b class='flag-5'>思</b>特|<b class='flag-5'>DC-DC</b>升壓<b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換</b>器原理與應(yīng)用分享

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1161次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應(yīng)用優(yōu)勢

    基于62mm碳化硅(SiC)模塊的大功率雙向DC-DC隔離電源

    傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體62mm碳化硅(SiC)模塊,可以設(shè)計一個大功率雙向DC-DC隔離電源。這兩種模塊都屬于半橋模塊,非常適合用于雙向DC-DC
    的頭像 發(fā)表于 08-25 18:09 ?816次閱讀
    基于62mm<b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)模塊的大功率雙向<b class='flag-5'>DC-DC</b>隔離<b class='flag-5'>電源</b>

    DC-DC電源基礎(chǔ)知識(PPT版)

    目錄 1、DC-DC電源分類及工作原理 2、DC-DC電源典型電路分析 3、PWM控制原理 4、關(guān)鍵器件
    發(fā)表于 06-19 16:03

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實現(xiàn)低碳經(jīng)濟的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇,特別是在能源
    的頭像 發(fā)表于 04-27 14:13 ?866次閱讀

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?2次下載

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37