1，瑞聯(lián)新材擬4.91億元投建光刻膠及高端新材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

近日，瑞聯(lián)新材發(fā)布公告稱，公司擬投建光刻膠及高端新材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。根據(jù)公告，該項(xiàng)目的實(shí)施主體為公司的全資子公司大荔海泰新材料有限責(zé)任公司，項(xiàng)目選址位于渭南市大荔縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，計(jì)劃總投資金額為4.91億元，首期項(xiàng)目投資為8310.96萬元。

項(xiàng)目擬分期建設(shè)完成，首期新建綜合辦公樓1棟、生產(chǎn)車間1棟及其配套的輔助工程和服務(wù)設(shè)施，用于光刻膠、醫(yī)藥中間體及其它電子精細(xì)化學(xué)品等產(chǎn)品的生產(chǎn)。

瑞聯(lián)新材表示，光刻膠作為半導(dǎo)體、平板顯示及PCB行業(yè)制造環(huán)節(jié)的關(guān)鍵材料，近年來，伴隨國(guó)內(nèi)外晶圓廠商產(chǎn)能擴(kuò)張逐步落地，半導(dǎo)體相關(guān)材料需求旺盛，呈穩(wěn)步上升趨勢(shì)。在PCB、顯示面板和集成電路產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速、產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求迫切的背景下，作為上游關(guān)鍵材料的光刻膠呈現(xiàn)明顯的進(jìn)口替代趨勢(shì)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體用光刻膠將迎來快速發(fā)展的機(jī)遇。

瑞聯(lián)新材稱，通過本項(xiàng)目的建設(shè)，公司將有效擴(kuò)大電子化學(xué)品產(chǎn)能規(guī)模，匹配下游日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，加快國(guó)產(chǎn)替代市場(chǎng)占有步伐，培育新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)。

2，晶能首款SiC半橋模塊試制成功

今日，據(jù)晶能官微消息，近日，晶能首款SiC半橋模塊試制成功，初測(cè)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際一流水平。

■晶能SiC半橋模塊

據(jù)悉，該模塊電氣設(shè)計(jì)優(yōu)異，寄生電感5nH；采用雙面銀燒結(jié)與銅線鍵合工藝，配合環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封工藝，持續(xù)工作結(jié)溫達(dá)175℃，在800V電池系統(tǒng)中輸出電流有效值高達(dá)700Arms。

此次SiC半橋模塊是為應(yīng)對(duì)新能源汽車主牽引驅(qū)動(dòng)器的高功率密度、高可靠性等需求研發(fā)的重要產(chǎn)品。涵蓋750V/1200V耐壓等級(jí)，至多并聯(lián)10顆SiC芯片，可應(yīng)對(duì)純電及混動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)景下的不同需求挑戰(zhàn)。

晶能微電子是吉利孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于Si IGBT和SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì)+模塊制造+車規(guī)認(rèn)證”的綜合能力，為新能源汽車、電動(dòng)摩托車、光伏、儲(chǔ)能、新能源船舶等客戶提供功率解決方案。

編輯：黃飛