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領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布其碳化硅仿真工具獲全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)AspenCore頒發(fā)2023全球電子成就獎(jiǎng)(以下簡(jiǎn)稱“WEAA”)之年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)獎(jiǎng)，其1200 V EliteSiC M3S碳化硅器件獲AspenCore亞洲金選獎(jiǎng)（以下簡(jiǎn)稱“EE Awards Asia”）之年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)。此兩大獎(jiǎng)項(xiàng)不僅是對(duì)安森美在碳化硅領(lǐng)域領(lǐng)先地位的認(rèn)可，更突顯了其在推動(dòng)智能電源創(chuàng)新方面的實(shí)力。 ? ?

滑動(dòng)查看更多 >>安森美的Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具是針對(duì)其EliteSiC產(chǎn)品系列及其應(yīng)用推出，適用于軟/硬開關(guān)應(yīng)用、邊界建模和自定義寄生環(huán)境，可創(chuàng)建虛擬原型，使工程師在開發(fā)周期的早期階段，通過對(duì)復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真，獲得有價(jià)值的參考信息。這些工具提供精確的仿真數(shù)據(jù)，從而讓客戶根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行EliteSiC產(chǎn)品選型，無需耗費(fèi)成本和時(shí)間進(jìn)行硬件制造和測(cè)試，為電力電子工程師節(jié)省時(shí)間。

1200V EliteSiC M3S碳化硅器件系列包括EliteSiC MOSFET和模塊，專為高速開關(guān)應(yīng)用而開發(fā)，具有領(lǐng)先同類產(chǎn)品的開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)如超低Rds（on）和高功率密度，廣泛應(yīng)用于800V電動(dòng)汽車車載充電器 (OBC)、電動(dòng)汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲(chǔ)存等領(lǐng)域，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更卓越的能效和更低系統(tǒng)成本。

碳化硅對(duì)于提高電動(dòng)汽車、充電樁、光伏和儲(chǔ)能等應(yīng)用的能效至關(guān)重要，也是實(shí)現(xiàn)脫碳的一個(gè)重要助力。除了先進(jìn)的技術(shù)創(chuàng)新外，安森美還是少數(shù)具有垂直整合能力的端到端碳化硅方案供應(yīng)商，提供可靠的供應(yīng)和品質(zhì)保障，推動(dòng)碳化硅技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，賦能可持續(xù)的未來。

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