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安森美三款產(chǎn)品入圍2025年度全球電子成就獎(jiǎng)與亞洲金選獎(jiǎng)

安森美 ? 來源:安森美 ? 2025-08-21 10:16 ? 次閱讀
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由Aspencore發(fā)起的全球電子成就獎(jiǎng) (World Electronics Achievement Awards) 和亞洲金選獎(jiǎng)(EE Awards Asia)正在火熱評(píng)選中。安森美(onsemi)的Hyperlux ID iToF 先進(jìn)深度傳感器、采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S、先進(jìn)模擬和混合信號(hào)平臺(tái)Treo成功入圍兩個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。

全球電子成就獎(jiǎng)作為電子領(lǐng)域極具分量的榮譽(yù),獎(jiǎng)項(xiàng)專注于從眾多參與者中甄選具備頂尖技術(shù)實(shí)力與商業(yè)潛力的標(biāo)桿,以此引導(dǎo)和激勵(lì)電子企業(yè)不斷精進(jìn),持續(xù)提升自身核心競(jìng)爭(zhēng)力。

亞洲金選獎(jiǎng)的誕生來自于工程師信賴的選擇,在《EE Times》及《EDN》專業(yè)技術(shù)媒體與科技人士的共同見證下,發(fā)布半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)界年度應(yīng)用產(chǎn)品推薦榜單,以及最佳設(shè)計(jì)解決方案,同時(shí)將表彰對(duì)電子創(chuàng)新與發(fā)展做出重要貢獻(xiàn)的人士。

Hyperlux ID iToF 先進(jìn)深度傳感器

Hyperlux ID 系列使用安森美全新專有全局快門像素架構(gòu)且自帶存儲(chǔ),可以捕捉整個(gè)場(chǎng)景,同時(shí)實(shí)時(shí)進(jìn)行深度測(cè)量,突破標(biāo)準(zhǔn) iToF 傳感器的局限性,實(shí)現(xiàn)最遠(yuǎn) 30 米的深度感知。

規(guī)格:

Hyperlux ID 系列包括120 萬像素全局快門、3.5μm背照式(BSI)像素傳感器。AF0130型號(hào)還自帶處理功能,令集成更簡(jiǎn)單并降低系統(tǒng)成本。對(duì)于那些希望集成自有深度檢測(cè)算法的客戶,AF0131可以提供這一特性,為客戶增加了選擇靈活性。

應(yīng)用領(lǐng)域:

Hyperlux ID適用于面部識(shí)別、手勢(shì)檢測(cè)和 3D 視頻會(huì)議等消費(fèi)應(yīng)用場(chǎng)景,以及各種工業(yè)環(huán)境,例如自動(dòng)化與機(jī)器人、制造與質(zhì)量控制、物流與物料處理、農(nóng)業(yè)與種植、訪問控制系統(tǒng)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì):

傳統(tǒng)的iToF傳感器由于測(cè)距范圍有限、在惡劣光線條件下性能不佳以及無法對(duì)移動(dòng)物體計(jì)算深度,其應(yīng)用受到了限制。Hyperlux ID 系列能夠?qū)σ苿?dòng)物體和高分辨率圖像進(jìn)行精確測(cè)量,有助于減少錯(cuò)誤和停機(jī)時(shí)間,優(yōu)化制造系統(tǒng)的流程,從而降低運(yùn)營(yíng)成本。Hyperlux ID深度感知距離是標(biāo)準(zhǔn) iToF 傳感器的四倍,而且外形尺寸更小。 此外,該傳感器系列還能同時(shí)生成黑白圖像和深度信息。 通過結(jié)合這兩種輸出,該傳感器系列可以提供全面的環(huán)境視圖,而無需為視覺和深度數(shù)據(jù)分別配置傳感器。

采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

安森美的UG4SC075005L8S在AI PSU設(shè)計(jì)中非常受歡迎,有助于實(shí)現(xiàn)下一代20 kW系統(tǒng),以創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性,解決了AI領(lǐng)域大電流、高功率場(chǎng)景的核心痛點(diǎn)。

關(guān)鍵特性與優(yōu)勢(shì)包括:

Combo JFET的設(shè)計(jì)旨在讓用戶能夠分別獨(dú)立控制MOSFET和SiC JFET的柵極。

超低導(dǎo)通電阻Rds(on):采用SiC JFET技術(shù),UG4SC075005L8S的導(dǎo)通電阻低至5mOhm,顯著降低導(dǎo)通損耗,提高能效。

更高的峰值電流Idm:峰值電流對(duì)于電路保護(hù)應(yīng)用至關(guān)重要,而高 Idm的UG4SC075005L8S正是實(shí)現(xiàn)這一目的的理想選擇。電路保護(hù)應(yīng)用因其特定的工作條件而要求穩(wěn)健性和大電流穿越能力。

低熱阻RθJC:安森美的UG4SC075005L8S采用銀燒結(jié)裸片貼裝技術(shù),與大多數(shù)焊接材料相比,界面導(dǎo)熱性能提高了六倍,從而在更小的裸片尺寸下實(shí)現(xiàn)相同甚至更低的結(jié)至外殼熱阻RθJC。低RθJC有助于保持較低的結(jié)溫,并確保更高的可靠性。

速度可控性:電路保護(hù)和多路并聯(lián)應(yīng)用的理想選擇。通過降低關(guān)斷速度來減少電壓過沖,可加強(qiáng)電路保護(hù),尤其是短路保護(hù)。易于并聯(lián),出色地平衡了開關(guān)損耗和動(dòng)態(tài)電流平衡之間的性能。

結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用壽命長(zhǎng),無參數(shù)漂移

柵極驅(qū)動(dòng)兼容性:支持使用成熟的硅基晶體管驅(qū)動(dòng)器,無需專用驅(qū)動(dòng)電路,簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì),加快開發(fā)速度。

先進(jìn)模擬和混合信號(hào)平臺(tái)Treo

Treo 平臺(tái)是先進(jìn)的模擬和混合信號(hào)平臺(tái),基于 65nm 節(jié)點(diǎn)的BCD(Bipolar–CMOS -DMOS)工藝技術(shù)構(gòu)建,為安森美廣泛的電源和感知解決方案奠定了強(qiáng)大的基礎(chǔ),包括高性能和低功耗感知、高效電源管理和專用通信器件,用于汽車、工業(yè)和AI數(shù)據(jù)中心等各種應(yīng)用。該平臺(tái)采用模塊化架構(gòu),擁有一套用于構(gòu)成計(jì)算、電源管理、感知和通信子系統(tǒng)的不斷演進(jìn)且穩(wěn)健的 IP 構(gòu)建模塊,支持業(yè)界領(lǐng)先的 1-90V 寬電壓范圍和高達(dá) 175°C 的工作溫度,使客戶能夠集成從低功耗到高功耗的一系列功能。

這些功能增強(qiáng)了安森美交付優(yōu)化解決方案和定制產(chǎn)品組合的能力,使客戶能夠以前所未有的速度將產(chǎn)品推向市場(chǎng)?;?Treo 平臺(tái)制造的產(chǎn)品可在精度、性能和能效方面實(shí)現(xiàn)顯著提升,從而改善功能、安全性和整個(gè)生命周期的質(zhì)量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:實(shí)力入圍!安森美三款創(chuàng)新產(chǎn)品角逐2025 年度全球電子成就獎(jiǎng)與亞洲金選獎(jiǎng)

文章出處:【微信號(hào):onsemi-china,微信公眾號(hào):安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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