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英特爾搶下6種ASML HIGH NA光刻機(jī)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2023-12-28 11:31 ? 次閱讀
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HIGH NA無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。

Trendforce 報道稱,英特爾將獲得ASML可能于 2024 年發(fā)貨的 10 種HIGH NA 光刻機(jī)中的6 種。三星副董事長 Kyung Kye-hyun 的話說“三星已經(jīng)獲得了HIGH NA 設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)”。這似乎意味著英特爾獲得了最HIGH NA 光刻機(jī),其次是三星,而且其最近宣布與韓國 ASML 投資 7.55 億美元。

這將使臺積電處于不同尋常的第三位,與目前在 EUV 領(lǐng)域的主導(dǎo)地位(占全球 EUV 光刻機(jī)的 70%)形成鮮明對比。

2024 年 ASML 北美銷售額將達(dá)到 3.5 至 40 億美元?

如果我們假設(shè)光刻機(jī)成本為 3.5 億至 4 億美元,并且 2024 年 10 個光刻機(jī)的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。

我們認(rèn)為,ASML 的HIGH NA 帶來的潛在上漲空間并未體現(xiàn)在股價中,因?yàn)閷τ诖蠖鄶?shù)人來說,十種光刻機(jī)聽起來有點(diǎn)夸張,但如果能做到這一點(diǎn),那就意味著強(qiáng)勁的上漲空間。

蔡司是看門人

如果 ASML 確實(shí)在 2024 年交付了 10 種光刻機(jī),那么這種增長將意味著在 2025 年輕松增加到 15 種或更多光刻機(jī),并可能在 2026 年增加到 20 種以上。

與常規(guī) EUV 光刻機(jī)一樣,蔡司的鏡頭可用性將再次成為限制因素,因?yàn)镠IGH NA 鏡頭比當(dāng)前已經(jīng)很困難的 EUV 鏡頭復(fù)雜得多。

鑒于 EUV 光源將保持一定程度的不變,并且階段增量實(shí)際上完全取決于鏡頭。

誰會得到它們?何時何地?

如果我們假設(shè)英特爾確實(shí)按照建議獲得了前 6 個HIGH NA 光刻機(jī),我們可以想象英特爾將至少獲得前兩個光刻機(jī),其他光刻機(jī)將在 2024 年前往亞利桑那州或俄亥俄州。

在其他四種光刻機(jī)中,三星可能至少有兩到三種光刻機(jī),而臺積電則獲得一到兩種光刻機(jī)。

我們猜測臺積電可能會更加努力地推動當(dāng)前 EUV 的多重圖案化,而不是立即跳到HIGH NA。

許多業(yè)界人士認(rèn)為,與現(xiàn)有的多圖案 EUV 光刻機(jī)相比,高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)將難以在成本上證明其合理性。時間會證明一切。從英特爾的角度來看,他們別無選擇,只能大力推進(jìn),因?yàn)樗麄冞^去在 EUV 上的緩慢是臺積電在摩爾定律中超越他們的原因之一。

很明顯,英特爾不希望重蹈最初的 EUV 光刻機(jī)的覆轍,因此很早就向 ASML 承諾獲得一年多前宣布的第一批HIGH NA 光刻機(jī)。

如果HIGH NA 確實(shí)成功,這將是英特爾需要迎頭趕上的“重要一躍”。

如果我們對 2025 年 15 種光刻機(jī)的猜測靠譜的話,預(yù)計英特爾、三星和臺積電之間的份額會更加均勻,而歐洲 IMEC 的一款光刻機(jī)與 ASML 密切合作,很可能也會獲得一款用于研發(fā)。

到 2026 年,三大晶圓代工/邏輯制造商之間可能會出現(xiàn) 20 種光刻機(jī)的情況,很可能會像最近宣布的那樣為紐約增加一款用于研發(fā)的HIGH NA 光刻機(jī)。

我們預(yù)計存儲器制造商在最初幾年不會采用高數(shù)值孔徑,因?yàn)樗麄儸F(xiàn)在才剛剛開始采用常規(guī) EUV,并且仍落后于 EUV 光刻技術(shù)的代工/邏輯需求 4 到 6 年。

不會感到驚訝的是,經(jīng)過 3 年的HIGH NA 出貨量,英特爾擁有大部分HIGH NA 光刻機(jī),就像臺積電擁有當(dāng)前 EUV 技術(shù)的最大份額一樣。

對英特爾來說這是一個重大但必要的賭注

如果英特爾在 2024 年購買 6 個HIGH NA 光刻機(jī),則意味著HIGH NA 光刻機(jī)資本支出將達(dá)到 21億至24億美元。這是一個相當(dāng)大的賭注……但如果它有助于追趕臺積電,那么這筆錢花得值。別無選擇,因?yàn)槿绻贿@樣做,英特爾就會落后于臺積電,如果幸運(yùn)的話,最好的情況是與臺積電處于同等地位。

高數(shù)值孔徑將比標(biāo)準(zhǔn) EUV 更快投入生產(chǎn)

盡管 EUV 和高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)之間存在顯著差異,但基本概念是相同的。EUV 與 ARF 沉浸式技術(shù)相比并不是巨大的飛躍。芯片制造商將需要盡快讓這些新光刻機(jī)投入使用。他們還必須集中精力在單一圖案HIGH NA 與多圖案標(biāo)準(zhǔn) EUV 上獲得經(jīng)濟(jì)回報。

這一消息如果屬實(shí),甚至接近屬實(shí),對于 ASML 和英特爾來說都是一個重大利好。然而,我們還不認(rèn)為這對臺積電來說是負(fù)面的,因?yàn)樗麄兛赡茉?EUV 領(lǐng)域總體上保持強(qiáng)勢地位。

假設(shè)生產(chǎn)沒有出現(xiàn)問題,ASML 及其股票可能會在 2024 年經(jīng)歷HIGH NA EUV 浪潮。

審核編輯:黃飛

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原文標(biāo)題:英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)?

文章出處:【微信號:ICViews,微信公眾號:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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