SK海力士擬將無錫C2工廠升級為第四代D-ram工藝，并引進(jìn)EUV技術(shù)
據(jù)《首爾經(jīng)濟日報》報道，SK海力士計劃于2024年前完成對其位于中國無錫C2工廠的改造工作，使之成為具備10納米級第四代（1a）D-ram技術(shù)的新生產(chǎn)線。此生產(chǎn)線目前占據(jù)Sk海力士D-RAM總產(chǎn)量的大約40%。
Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程，隨后將芯片運回韓國總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理，最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需一層使用EUV工藝，但公司仍認(rèn)為增加的成本是合理可承受的。
鑒于無錫工廠曾遭遇2013年火災(zāi)導(dǎo)致D-RAM生產(chǎn)停滯，該公司為此積累了豐富的恢復(fù)重建經(jīng)驗。而對于如何實施無錫工廠工藝轉(zhuǎn)型，SK海力士并未透露具體的運營計劃信息。
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