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      英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點

      儒卓力 ? 來源：儒卓力 ? 2024-03-22 14:08 ? 次閱讀
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      CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。

      產(chǎn)品型號：

      IMYH200R012M1H

      IMYH200R024M1H

      IMYH200R050M1H

      IMYH200R075M1H

      IMYH200R0100M1H

      產(chǎn)品特點

      VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)

      開關(guān)損耗極低

      創(chuàng)新的HCC封裝

      針腳間爬電距離為14毫米

      5.4毫米電氣間隙

      柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V

      用于硬換流的堅固體二極管

      .XT互聯(lián)技術(shù)可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

      高耐濕性

      應(yīng)用價值

      市場上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻斷電壓高達(dá)2000V

      1500V的DC的變流器可以用兩電平實現(xiàn)

      與1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系統(tǒng)具有足夠的過壓裕量

      創(chuàng)新的TO-247封裝，具有高爬電距離和間隙

      應(yīng)用領(lǐng)域

      光伏逆變器

      儲能系統(tǒng)

      電動汽車充電



      審核編輯：劉清

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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      原文標(biāo)題：英飛凌新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

      文章出處：【微信號：儒卓力，微信公眾號：儒卓力】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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