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三星HBM芯片遇阻英偉達(dá)測(cè)試

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-24 14:10 ? 次閱讀
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近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未能達(dá)標(biāo),影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。

HBM3芯片作為當(dāng)前AI GPU中最常用的第四代HBM標(biāo)準(zhǔn),此次測(cè)試失敗無(wú)疑給三星帶來(lái)了不小的壓力。三星在聲明中表示,HBM作為定制產(chǎn)品,會(huì)根據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化,并強(qiáng)調(diào)正在與客戶緊密合作,以期盡快解決問(wèn)題。

然而,此次測(cè)試未達(dá)標(biāo)無(wú)疑增加了業(yè)界和投資者的擔(dān)憂。有分析認(rèn)為,三星在HBM領(lǐng)域可能進(jìn)一步落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士和美光。如何迅速解決發(fā)熱和功耗問(wèn)題,成為三星當(dāng)前面臨的重大挑戰(zhàn)。

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    行業(yè)芯事行業(yè)資訊
    電子發(fā)燒友網(wǎng)官方
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