作為技術(shù)壁壘最高的半導(dǎo)體設(shè)備零部件之一，射頻電源的國(guó)產(chǎn)化率一直較低。

射頻電源，即用來(lái)產(chǎn)生射頻電功率的電源，主要通過(guò)產(chǎn)生高頻電磁場(chǎng)，將在低壓或常壓下的氣體進(jìn)行電離，形成等離子體。不同氣體產(chǎn)生的等離子體具有不同的化學(xué)性能，在腔體內(nèi)部可以實(shí)現(xiàn)不同的工藝需求。

隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠新增擴(kuò)產(chǎn)和存量替換需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體薄膜沉積、刻蝕機(jī)等核心設(shè)備的市場(chǎng)空間打開(kāi)，射頻電源也迎來(lái)新的增長(zhǎng)空間，并為國(guó)產(chǎn)射頻電源廠商帶來(lái)發(fā)展機(jī)遇。

兩大需求帶動(dòng)國(guó)內(nèi)射頻電源市場(chǎng)增長(zhǎng)

射頻電源被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備、LED 與太陽(yáng)能光伏設(shè)備等領(lǐng)域。

在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，射頻電源是薄膜沉積、刻蝕、離子注入、清洗等前道工藝機(jī)臺(tái)的關(guān)鍵零部件之一，直接影響腔體中的等離子體濃度、均勻度和穩(wěn)定度。

射頻電源的主要增長(zhǎng)點(diǎn)，一是來(lái)源于晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)薄膜沉積、刻蝕機(jī)等半導(dǎo)體設(shè)備新增需求，進(jìn)而帶動(dòng)射頻電源新增需求，二是來(lái)源于存量市場(chǎng)替換需求，射頻電源使用壽命約為5-6年，短于半導(dǎo)體腔體的使用壽命，需要定期進(jìn)行維?；蚋鼡Q，部分晶圓廠有直接備存射頻電源的需求。

根據(jù)共研產(chǎn)業(yè)咨詢(xún)的統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，2022年中國(guó)半導(dǎo)體射頻電源市場(chǎng)規(guī)模為0.97億美元，約占全球的13.31%，預(yù)計(jì)2023年達(dá)到1.10億美元，約占全球的14.23%。

審核編輯 黃宇