安森美與Entegris達成碳化硅半導體供應協(xié)議
近日，工業(yè)材料領域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導體簽署了一項長期供應協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Entegris將為安森美提供制造碳化硅（SiC）半導體的專業(yè)技術解決方案，標志著雙方在高科技材料供應領域的深度合作邁入新階段。
Entegris總部位于美國馬薩諸塞州的比勒里卡，是全球半導體及其他高科技行業(yè)的重要材料供應商。其業(yè)務覆蓋廣泛，包括化學機械平坦化（CMP）等關鍵技術，這些技術在芯片制造過程中起著至關重要的作用，能有效去除硅晶片表面的不規(guī)則性，確保產(chǎn)品質(zhì)量。
此次與安森美的合作，不僅彰顯了Entegris在碳化硅半導體材料領域的深厚實力，也體現(xiàn)了安森美對高質(zhì)量原材料供應的高度重視。雙方的合作將有力推動碳化硅半導體技術的發(fā)展，為全球芯片產(chǎn)業(yè)的進步貢獻力量。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
338文章
30599瀏覽量
263452 -
安森美
+關注
關注
33文章
1897瀏覽量
95535 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3447瀏覽量
52238
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊：電源拓撲與解析
SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊：電源拓撲與解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源
簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級
安森美650V碳化硅MOSFET：NTH4L075N065SC1的技術剖析
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天，我們就來深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應用分析
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天，我們就來詳細解析這款
安森美10A、1200V碳化硅肖特基二極管NDSH10120C-F155解析
作為電子工程師，我們在電源設計領域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了
SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關鍵材料之一。圖片來源：Pixabay、Pexels單晶方面，碳化硅
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關鍵器件
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突
基本半導體碳化硅（SiC）MOSFET低關斷損耗（Eoff）特性的應用優(yōu)勢
BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳
除了安森美CREE等還有哪些在美國境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌
根據(jù)搜索結果，除了安森美（onsemi）、CREE（Wolfspeed）和Microchip之外，以下品牌在美國境內(nèi)涉及碳化硅（SiC）器件流片或代工合作，X-FAB作為美國境內(nèi)的SiC代工廠，其
?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊
安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
全球功率半導體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
國內(nèi)碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果
器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務動態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產(chǎn)能競賽：頭部企業(yè)構建護城河 技術門檻高企 ：碳化硅
工商網(wǎng)監(jiān)
評論