英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離

采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。

第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMZC120R012M2H

■IMZC120R017M2H

■IMZC120R022M2H

■IMZC120R026M2H

■IMZC120R034M2H

■IMZC120R040M2H

■IMZC120R053M2H

■IMZC120R078M2H

產(chǎn)品特點(diǎn)

RDS(on)=12-78mΩ，VGS=18V，Tvj=25°C

開關(guān)損耗極低

更大的最大VGS范圍，-10V至+25V

過(guò)載運(yùn)行溫度最高可達(dá)Tvj=200°C

最大短路耐受時(shí)間2μs

基準(zhǔn)柵極閾值電壓4.2V

應(yīng)用價(jià)值

更高的能源效率

優(yōu)化散熱

更高的功率密度

新的穩(wěn)健性性能

高可靠性

容易并聯(lián)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

性能增強(qiáng)：開關(guān)損耗更低，效率更高

.XT互連技術(shù)：熱阻更低，MOSFET溫度更低

市場(chǎng)上同類最佳的最低RDS(on）

數(shù)據(jù)手冊(cè)上保證的短路最大承受時(shí)間

獨(dú)特的堅(jiān)固性

應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)汽車充電

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制

不間斷電源(UPS)

三相組串逆變器