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CSD95377Q4M 20 V 35 A SON 3.5 x 4.5 mm 同步降壓 NexFET? 功率級數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-08-07 10:54 ? 次閱讀
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CSD95377Q4M NexFET? 功率級是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET,以完成功率級開關(guān)功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真功能,可實(shí)現(xiàn)不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)作,提高輕負(fù)載效率。這種組合在小型 3.5 mm × 4.5 mm 外形封裝中產(chǎn)生高電流、高效率和高速開關(guān)能力。此外,PCB封裝也經(jīng)過優(yōu)化,有助于縮短設(shè)計(jì)時(shí)間并簡化整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。
*附件:csd95377q4m.pdf

特性

  • 15 A 時(shí)系統(tǒng)效率高于 94%
  • 最大額定連續(xù)電流 35 A
  • 高頻工作(高達(dá) 2 MHz)
  • 高密度 SON 3.5 mm × 4.5 mm 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號(hào)
  • 具有強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式 (FCCM) 的二極管仿真模式
  • 輸入電壓高達(dá) 16 V
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成自舉二極管
  • 擊穿保護(hù)
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) – 無鉛端子電鍍
  • 無鹵素

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
CSD95377Q4M是德州儀器(TI)設(shè)計(jì)的高性能同步降壓功率級模塊,集成驅(qū)動(dòng)IC與MOSFET,適用于高功率密度應(yīng)用。其核心特點(diǎn)包括:

  • ?高效率?:系統(tǒng)效率>94%(15A負(fù)載),支持最高35A連續(xù)電流輸出。
  • ?高頻操作?:支持高達(dá)2MHz開關(guān)頻率,采用超低電感封裝(SON 3.5mm×4.5mm)。
  • ?靈活模式?:支持二極管仿真模式(DCM)與強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式(FCCM),兼容3.3V/5V PWM信號(hào)。
  • ?保護(hù)功能?:集成欠壓鎖定(UVLO)、三態(tài)PWM輸入、擊穿保護(hù)及自舉二極管。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

  • ?電氣特性?:輸入電壓范圍4.5V-16V,最大輸出電流35A(連續(xù))/70A(峰值),開關(guān)頻率200kHz-2MHz。
  • ?熱性能?:結(jié)溫范圍-40°C至150°C,熱阻RθJC(top) 22.8°C/W。
  • ?封裝?:SON 3.5mm×4.5mm封裝,優(yōu)化PCB布局以減少寄生參數(shù)。

?3. 應(yīng)用場景?

  • 服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和電信系統(tǒng)中的點(diǎn)負(fù)載(POL)同步降壓轉(zhuǎn)換器。
  • 多相核心電壓(Vcore)、DDR內(nèi)存和顯卡供電解決方案。

?4. 設(shè)計(jì)支持?

  • ?布局指南?:強(qiáng)調(diào)輸入電容靠近VIN/PGND引腳以降低噪聲,推薦使用多層PCB和熱過孔散熱。
  • ?性能曲線?:提供功率損耗、SOA(安全操作區(qū))及歸一化曲線,支持用戶根據(jù)實(shí)際條件(如頻率、電壓)調(diào)整設(shè)計(jì)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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