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SiC+Si混碳融合逆變器 · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析

向欣電子 ? 2025-08-15 08:32 ? 次閱讀
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以下內容發(fā)表在「SysPro電力電子技術」知識星球- 關于SiC+Si多變量融合逆變器 · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析- 原創(chuàng)文章,僅用于SysPro內部使用,非授權不得轉載

- 本篇節(jié)選,完整內容在知識星球發(fā)布,歡迎學習、交流

導語:在電動汽車技術飛速發(fā)展的當下,功率器件的創(chuàng)新與優(yōu)化成為了推動行業(yè)進步的關鍵因素。SiC(碳化硅)與Si(硅)多變量融合逆變器技術作為一項極具前瞻性的創(chuàng)新成果,正逐漸在電動汽車領域嶄露頭角。

本文結合知識星球中關SiC+Si混碳專欄的幾十篇原創(chuàng)內容,同時,綜合了英飛凌、意法、匯川、舍弗勒知名企業(yè)的技術方案調研成果,加之相關的實踐經驗,從多個維度對SiC+Si多變量融合逆變器進行了全面且深入的解析。

從器件概念的提出,到系統(tǒng)方案的落地,本文詳細闡述了這一技術如何從理論設想逐步走向實際應用?無論是對于半導體器件特性的深入分析,還是對逆變器系統(tǒng)設計的探討,亦或是實際應用中面臨的挑戰(zhàn)與解決方案的研究,都進行了系統(tǒng)的梳理和解讀。

通過本文,讀者將能夠全面了解SiC+Si多變量融合逆變器技術的發(fā)展脈絡、技術要點以及未來趨勢,為從事電動汽車及相關領域的技術研發(fā)和應用提供有價值的參考。

5111109e-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png

圖片來源:YOLE


目錄

1. 市場需要什么樣的逆變器?

1.1 中國電動汽車發(fā)展趨勢

1.2 電動汽車細分市場情況

1.3 消費者對電動汽車需求變化

1.4 逆變器關鍵性能指標發(fā)展探討

2. 逆變器KPI發(fā)展路線圖

2.1 逆變器核心KPI發(fā)展趨勢

2.2 影響逆變器KPI變化的因素

3. SiC+Si融合 · 適配EV牽引逆變器的底層邏輯詳解

3.1 動力總成的工況需求與矛盾

3.2 SiC與Si · 特性的互補優(yōu)勢說明(知識星球發(fā)布)

3.2.1 低電流工況:SiC MOSFET的"輕載王者"

3.2.2 高電流工況:IGBT的“重載守護者”

3.2.3 SiC+Si動態(tài)適配特性的核心邏輯

4. SiC+Si融合逆變器的工程設計:從特性優(yōu)化到系統(tǒng)落地全路徑解析(知識星球發(fā)布)

4.1 靜態(tài)特性:效率優(yōu)勢的底層支撐

4.2 柵極驅動方案:動態(tài)性能的核心控制

4.2.1 共同驅動方案:低成本的基礎適配

4.2.2 獨立驅動方案:高性能的精準調控

4.3 電磁兼容EMC)性能:意外的成本優(yōu)勢

4.4 效率與經濟性:量化收益驗證

5. 總結:SiC+Si,成本效益與工程挑戰(zhàn)并存(知識星球發(fā)布)

5.1 成本效益解決方案

5.2 SiC+Si融合帶來的挑戰(zhàn)

5.3 SiC+Si融合的工程實踐要點


01

市場需要什么樣的逆變器?

——中國電動汽車發(fā)展趨勢與功率半導體需求

中國電動汽車市場已進入爆發(fā)式增長階段,成為全球新能源轉型的核心驅動力。從下圖可以看出,從2013到2024年,10年+時間,銷量從幾萬輛飆升至1287萬輛,這得益于政策扶持、消費者環(huán)保意識提升和技術進步。乘用車在電動汽車市場占比持續(xù)攀升,2024年電動汽車在新車銷量中占比達40.9%,市場從政策推動轉向需求驅動,消費者接受度大幅提高。

512fda06-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png

圖片來源:IA prediction,Inovance

在細分市場中,PHEV與REEV近兩年增速達84.69%。其“柔性補能”特性,如城市通勤用純電模式降低成本、長途出行用燃油補能消除續(xù)航焦慮,適配了用戶多元出行場景。在電壓平臺方面,800V高壓平臺市場份額從2022年的2%快速提升至2025年的15%,快充能力(功率可達300kW以上)和能效提升優(yōu)勢明顯,適配高端車型需求。

5141994e-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png

圖片來源:YOLE

我們能感知到:消費者對電動汽車需求日益多樣,偏好“大空間”和“強動力”,動力總成需向“更小、更強勁、更高效、更便宜”演進。在了解市場趨勢后,逆變器作為電驅系統(tǒng)的核心部件,其關鍵性能指標又是如何發(fā)展的呢?接下來我們詳細探討逆變器KPI發(fā)展路線圖。


02

逆變器KPI發(fā)展路線圖:率半導體創(chuàng)新方向

牽引逆變器作為電動汽車的關鍵部件,其性能直接影響著整車的動力輸出、能源利用效率和駕駛體驗,其性能優(yōu)化已然成為了車企和供應商提升競爭力的重要手段。我們聚焦于逆變器的核心KPI:成本、功率密度、循環(huán)效率,來看看TA們的發(fā)展趨勢是怎樣的?

下圖所展示為逆變器從2019年到2027年,在上述核心KPI指標上的變化趨勢。通過“Inverter KPI Roadmap”,我們可以清晰地捕捉到:

成本:自2019年以來,Si IGBT的價格下降了65%,SiC的價格有一定程度下降,但目前仍比Si IGBT貴約2.5 - 3倍

功率密度:逆變器功率密度曲線呈上升趨勢,從2019年的37 kW/L預計到2027年達到100 kW/L,有助于實現(xiàn)更緊湊、高效的逆變器設計。

CLTC-P效率:SiC的效率曲線從2019年的95.8%預計提升至2027年的99.2%;Si的效率也有提升,但始終低于SiC。

5176152a-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png

圖片來源:Inovance

那么,究竟是什么因素影響著上述這些KPI的變化呢?主要有這么幾個方面(后續(xù)的著力點):

集成技術的發(fā)展:包括IC集成、機械集成、減少連接等→有助于簡化系統(tǒng)結構,減少不必要的能量損耗和信號干擾,從而降低成本,提高系統(tǒng)的可靠性和功率密度

供應鏈的穩(wěn)定和優(yōu)化:規(guī)模效應和內部設計、本地化供應等因素→有效控制成本,確保器件的穩(wěn)定供應;

通過擴大生產規(guī)模和優(yōu)化供應鏈布局,可以降低SiC和Si器件的成本

創(chuàng)新手段:芯片嵌入PCB構型、軟件功能算法(如DPWM、方波控制、載波頻率優(yōu)化、斜率控制)、新一代Si/SiC芯片技術、低雜散電感的封裝和布局、融合功率器件、三級拓撲→ 提高器件的性能和可靠性,為逆變器的性能提升提供堅實的技術支撐

因此,我們可以感知到,逆變器的性能躍遷,核心是功率器件技術從“單點突破”到“系統(tǒng)協(xié)同”的結果:Si基IGBT的規(guī)?;当尽iC的高效突圍、各種創(chuàng)新技術的協(xié)同,共同構建起逆變器技術的“三維競爭力”。在這場變革中,誰能在成本、效率、集成度上實現(xiàn)“三重優(yōu)化”,誰就能掌握電動汽車電驅系統(tǒng)的先機,引領行業(yè)邁向更高維的舞臺。


03

SiC+Si融合 · 適配EV牽引逆變器的底層邏輯詳解

3.1 動力總成的工況需求與矛盾

(知識星球發(fā)布)

從上面我們可以看出,電動汽車及動力總成的核心KPI需求可以簡潔地概括為“三高一低”即追求更長的續(xù)航里程、更強的加速性能、更高的效率以及更低的成本。

這一系列需求對牽引逆變器提出了極為嚴苛的要求,需要其同時具備兩大關鍵特性:大電流降本能力+輕載提效。下面我解釋這是什么意思?以及為什么?

......

所以,這種大電流降本輕載提效之間的矛盾,成為了電動汽車動力系統(tǒng)發(fā)展中的一個關鍵問題。那么,如何解決這一矛盾呢?這就催生了Si與SiC的融合技術。


3.2 SiC與Si · 特性的互補優(yōu)勢說明

我們知道到,Si-IGBT與SiC-MOSFET特性上存在顯著差異,而這些差異恰好形成了一種互補關系。這種互補性,可以推動電動汽車牽引逆變器技術從“單一優(yōu)化”邁向“動態(tài)適配”。我們具體從下面幾方面來闡述下這背后的底層邏輯。


3.2.1 低電流工況:SiC MOSFET的"輕載王者"

(知識星球發(fā)布)

在CLTC-P/WLTC主流區(qū)間(即低電流工況),SiC MOSFET憑借三大核心優(yōu)勢

1. 無拐點電壓損耗:導通特性的“直線優(yōu)勢”...

2. 極速開關與零拖尾電流...

3. 175℃高溫穩(wěn)定性...

51c6ce98-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png

圖片來源:英飛凌


3.2.2 高電流工況:IGBT的“重載守護者”

(知識星球發(fā)布)

當車輛進入急加速、爬坡等高電流工況時,IGBT憑借三大特性,成為重載效率與可靠性的“壓艙石”...

1. 電導調制效應:導通電阻的“低谷優(yōu)勢”...

2. 成本與量產優(yōu)勢:大規(guī)模應用的“經濟基石”...

3. 3μs短路耐受:異常工況的“安全護盾”...

51e5fd90-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png

圖片來源:網絡


3.2.3 SiC+Si動態(tài)適配特性的核心邏輯

(知識星球發(fā)布)

通過上述對于SiC-Mosfet和Si-IGBT的特性說明,可以看出混碳技術可以更好地滿足電動汽車的工況需求,其核心特性用一句話概述就是:"低電流用SiC、高電流用Si"的動態(tài)適配特性。其核心邏輯主要在于三方面:

......

可以看出,通過在不同工況下合理地選擇使用SiC-Mosfet或Si-IGBT,融合技術成功地在效率與成本之間找到了最優(yōu)解,為電動汽車牽引逆變器的性能提升提供了一種創(chuàng)新的解決方案。

那么,在了解融合技術的底層邏輯后,其在工程設計方面又是如何實現(xiàn)從特性優(yōu)化到系統(tǒng)落地的呢?接下來我們詳細介紹。

51fb2f26-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.jpg

圖片來源:Inovance


04

SiC+Si融合逆變器的工程設計

——從特性優(yōu)化到系統(tǒng)落地全路徑解析

(知識星球發(fā)布)

SiC+Si融合技術的優(yōu)勢需通過系統(tǒng)工程的思維和方法論才能轉化為實際性能。其落地路徑可簡單分為三個層級:器件級 -> 模塊級 -> 系統(tǒng)級。下面我們先概述下整條鏈路,然后逐一展開講講。

4.1 靜態(tài)特性:效率優(yōu)勢的底層支撐(知識星球發(fā)布)

4.2 柵極驅動方案:動態(tài)性能的核心控制(知識星球發(fā)布)

4.2.1 共同驅動方案:低成本的基礎適配...

4.2.2 獨立驅動方案:高性能的精準調控...

5211aa4e-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.jpg圖片來源:Infineon

4.3 電磁兼容(EMC)性能:意外的成本優(yōu)勢(知識星球發(fā)布)

4.4 效率與經濟性:量化收益驗(知識星球發(fā)布)

522030be-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png

圖片來源:Inovance


05 總結

SiC+Si,成本效益與工程挑戰(zhàn)并存

以上是本次關于SiC+Si融合技術逆變方案的全部內容,我們從成本效益解決方案、面臨的挑戰(zhàn)、工程實踐要點三方面做下總結。

5.1 成本效益解決方案(知識星球發(fā)布)

5.2SiC+Si融合帶來的挑戰(zhàn)(知識星球發(fā)布)

5.3 SiC+Si融合的工程實踐要點

關于Si和SiC融合的工程實踐,需要更多的專業(yè)知識。用戶需要建立系統(tǒng)的工程方法來設計基于融合的逆變器系統(tǒng),以下方面需重點考慮:

1. 開關電阻與延遲設計原則:設計開關電阻開關延遲的原則是確保逆變器系統(tǒng)高效穩(wěn)定運行的基礎。合理的開關電阻設計可以減少能量損耗,而精確的開關延遲控制則有助于提高系統(tǒng)的響應速度和控制精度。

5236205e-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png圖片來源:Inovance

|SysPro備注,關于混碳技術開關策略,感興趣的可以查閱星球中相關文章,相關文章:

2.1 SiC+Si混合功率器件的4種拓撲

2.2SiC+Si導通特性

2.3SiC+Si開關特性

2.6 同步開關中的驅動強度控制策略上篇:開關過程詳解

2.13 柵極控制策略在逆變器中的應用:調節(jié)驅動電壓結合時序控制

2.14 柵極控制策略在逆變器中的應用:時序控制結合可變開關頻率控制


2. 驅動模式切換策略:根據(jù)電流、結溫、電壓、工作模式以及EMC要求等因素切換驅動模式,是優(yōu)化系統(tǒng)性能的關鍵。例如,在不同負載條件下,選擇合適的驅動模式可以提高能源轉換效率,降低損耗。

524f89fe-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png圖片來源:ST

|SysPro備注,關于驅動模式切換策略,感興趣的可以查閱星球中相關文章,這里做個引導:

1.采用動態(tài)延時校準,基于損耗模型(開通損耗Eon=Es_on + ΔEc_on、關斷損耗Eoff=ΔEc_off+Es_off),實時調整開通/關斷延遲,實現(xiàn)損耗最小化;通過實時監(jiān)測逆變器的工作狀態(tài),根據(jù)損耗模型計算出當前工況下的最優(yōu)開通和關斷延遲時間,并及時調整驅動信號,從而降低開關損耗、提高逆變器的效率。相關文章:

2.9混碳損耗模型(上/下)

2.10 基于損耗模型的混碳動態(tài)延時控制策略

2.可通過自適應電流分配結合結溫反饋修正電流分配方程(IMOS = Rce + RdsRceIF + Rce + RdsVknee),使電流能夠根據(jù)器件的實際特性進行合理分配,避免因電流分配不均導致的器件過熱或損壞。相關文章:

2.4 混合開關電流分配特性

2.12 柵極控制策略在逆變器中的應用:基于負載電流大小的混合開關時序控制


3. 熱保護策略:在不同復雜工作條件和冷卻系統(tǒng)故障情況下,準確估算結溫對于保護器件至關重要。有效的熱保護策略可以防止器件因過熱而損壞,提高系統(tǒng)的可靠性和壽命。

526cf61a-796f-11f0-9080-92fbcf53809c.png

圖片來源:Inovance

|SysPro備注,關于熱保護策略,感興趣的可以查閱星球中相關文章,這里做個引導:

建立損耗 - 熱阻 - 結溫閉環(huán)模型,基于Tj=Tc+Zth(j?c)?Ploss,結合瞬態(tài)熱阻抗曲線,實時監(jiān)控結溫,冷卻系統(tǒng)故障時通過降頻、限流保護器件。實施結溫平衡控制動態(tài)調整損耗分配,使SiC與IGBT結溫差控制在5℃以內,避免單一器件老化加速。相關文章:

2.5 異步開關中的最佳損耗

2.8/2.9 混碳損耗模型(上/下)

2.12 柵極控制策略在逆變器中的應用:基于負載電流大小的混合開關時序控制

2.11 柵極控制策略在逆變器中的應用:高負載下時序控制和驅動強度控制的對比

4. 系統(tǒng)化工程方法:采用系統(tǒng)化的工程方法可以減少開發(fā)和驗證的工作量,提高開發(fā)效率,降低成本。通過建立標準化的設計流程和測試規(guī)范,可以確保系統(tǒng)的質量和性能。

|SysPro備注,關于混碳的系統(tǒng)工程方法,感興趣的可以查閱星球中相關文章,這里做個引導:

通過參數(shù)決策矩陣,明確不同工況下的驅動電阻、延遲時間限制因素,降低定制化項目工作量。例如,在不同的工況和溫度條件下,根據(jù)參數(shù)決策矩陣可以快速確定驅動電阻和延遲時間的合適范圍,減少設計過程中的調試和優(yōu)化時間。開發(fā)通用功率模塊平臺,兼容不同Si/SiC配比(如20%SiC + 80%Si、33%SiC + 67%Si),快速適配不同車型需求。相關文章:

2.4 混合開關電流分配特性

2.8/2.9 混碳損耗模型(上/下)

2.12 柵極控制策略在逆變器中的應用:基于負載電流大小的混合開關時序控制

SiC+Si混合驅動技術全解析:器件特征對比、拓撲分析、WLTP能耗分析、Si SiC選擇原則

以上SiC+Si多變量融合逆變器 · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析節(jié)選,完整內容、相關產品技術方案資料、深度解讀、視頻解析已在在知識星球「SysPro電力電子技術EE」中發(fā)布,全文12500字+,歡迎進一步查閱、學習,希望有所幫助!

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    的頭像 發(fā)表于 09-06 17:21 ?1088次閱讀
    功率芯片PCB內埋式封裝:<b class='flag-5'>從</b><b class='flag-5'>概念到</b>量產的全鏈路<b class='flag-5'>解析</b>(中篇)

    SiC+Si,全球8大技術方案揭秘

    知識星球,歡迎學習交流導語:在2025年上海車展上,混合碳化硅(SiC)與硅(Si)基器件的方案多次出現(xiàn)在我們的視野。這一技術通過巧妙的
    的頭像 發(fā)表于 08-16 07:00 ?2577次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC+Si</b>,全球8大<b class='flag-5'>混</b><b class='flag-5'>碳</b>技術<b class='flag-5'>方案</b>揭秘

    SiSiC與GaN,誰更適合上場?| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術解析

    ,完整內容會在知識星球發(fā)布,歡迎學習、交流-1400+最新全球汽車動力系統(tǒng)相關的報告與解析已上傳知識星球導語:在半導體產業(yè)的競技場上,Si、SiC與GaN正上演一
    的頭像 發(fā)表于 08-07 06:53 ?1856次閱讀
    <b class='flag-5'>Si</b>、<b class='flag-5'>SiC</b>與GaN,誰更適合上場?| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術<b class='flag-5'>解析</b>

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅動逆變器設計的關鍵要素

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅動逆變器設計的關鍵要素
    的頭像 發(fā)表于 06-06 08:25 ?3201次閱讀
    <b class='flag-5'>Si-IGBT+SiC</b>-MOSFET并聯(lián)混合驅動<b class='flag-5'>逆變器</b>設計的關鍵要素

    對比三款主驅逆變器,SiCSi IGBT差距巨大!

    電子發(fā)燒友網報道(文/梁浩斌)去年開始,20萬價位以上的純電車型,基本已經在主驅電機逆變器上使用了SiC功率模塊。甚至在2025年,SiC主驅已經被下放到10萬元價位的車型上,
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:08 ?2477次閱讀
    對比三款主驅<b class='flag-5'>逆變器</b>,<b class='flag-5'>SiC</b>和<b class='flag-5'>Si</b> IGBT差距巨大!

    曙光超智融合解決方案落地30多個行業(yè)

    近日,“超智融合”技術成行業(yè)新熱點,而曙光超智融合解決方案已在氣象、石油、生物醫(yī)藥等30多個行業(yè)落地,支持前沿AI應用創(chuàng)新。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 09:13 ?1108次閱讀