用于提高系統(tǒng)效率的工業(yè)級40V和100V STripFET F8 MOSFET

STripFET F8與上一代產(chǎn)品相比，品質(zhì)因數(shù) (FoM) 提高了40%，有助于工程師設(shè)計出更緊湊、功率密度更高的功率級，適用于計算機(jī)和外設(shè)應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、電信、太陽能、電源、電池充電器、家用和專業(yè)電器、游戲、無人機(jī)等領(lǐng)域。

STL300N4F8就此挺進(jìn)工業(yè)領(lǐng)域40V標(biāo)準(zhǔn)級STripFET F8 MOSFET的市場。

為什么選擇工業(yè)級STripFET F8 MOSFET？

STripFET F8系列具有多種電壓選項和量身定制的功能級別，可滿足各種工業(yè)應(yīng)用需求?？商峁?/p>

40V選件：是所有由12V電池供電的應(yīng)用的理想之選100V選件：專為需要更高電源電壓的電信和服務(wù)器解決方案定制

此外，該系列還提供標(biāo)準(zhǔn)電平和邏輯電平兩種驅(qū)動功能。

效率

經(jīng)過優(yōu)化的柵極電荷可實現(xiàn)更高的換向速度

可靠性

更高的抗寄生導(dǎo)通能力

性能

更低的RDS(on)實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率

靈活的電壓選擇

選擇40V和100V選件，以滿足您的特定要求

了解新型40V標(biāo)準(zhǔn)級STripFET F8 MOSFET

STL300N4F8：工業(yè)級N溝道40V，1.1mΩ，采用PowerFLAT (5x6mm) 封裝

MSL 1級

最高工作結(jié)溫達(dá)175°C

經(jīng)過100%雪崩測試

低柵極電荷Qg

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40V和100V功率MOSFET用于提高整體系統(tǒng)效率

意法半導(dǎo)體先進(jìn)的STripFET F8技術(shù)通過更低的器件電容，最大限度地減少動態(tài)參數(shù)和開關(guān)損耗，從而實現(xiàn)比以往技術(shù)更高的開關(guān)頻率。