符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、適合汽車(chē)應(yīng)用的低壓MOSFET

STripFET F8技術(shù)可在提供極低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，有效降低內(nèi)部電容和柵極電荷，堪稱(chēng)功率MOSFET的一次重大突破。該技術(shù)能夠降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，從而提高整體效率。該系列MOSFET可提供40V和100V兩種可選方案，且支持標(biāo)準(zhǔn)電平和邏輯電平兩種驅(qū)動(dòng)功能，是各種汽車(chē)應(yīng)用的理想之選。

如今我們的產(chǎn)品組合包含了采用PowerFLAT（5x6mm）封裝的全新STL325N4F8AG，以及采用創(chuàng)新型PowerLeaded（8x8mm）封裝的STK615N4F8AG。

探索新型40V STripFET F8功率MOSFET

先進(jìn)的STripFET F8技術(shù)能夠在減少輸出電容的同時(shí)，最大限度降低尖峰電壓和能量損耗。此外，該低壓MOSFET系列還采用了經(jīng)過(guò)改進(jìn)的體漏極二極管，其開(kāi)關(guān)更軟，且能夠有效降低電磁干擾。這些增強(qiáng)特性可幫助設(shè)計(jì)人員滿足EMC要求，并簡(jiǎn)化低壓汽車(chē)應(yīng)用的合規(guī)驗(yàn)證過(guò)程。

STK615N4F8AG

車(chē)規(guī)級(jí)N溝道40V、0.48mΩ（最大值）

該器件采用全新的PowerLeaded（8x8mm）封裝，不僅占用空間更小，功率密度更高，電流處理能力更強(qiáng)，而且可將RDS(on)控制在0.48mΩ的極低水平。

STL325N4F8AG

車(chē)規(guī)級(jí)N溝道40V、0.85mΩ（最大值）

該器件采用高效、可靠的PowerFLAT（5x6mm）緊湊型封裝，通過(guò)將RDS(on)保持在較低水平來(lái)降低功率損耗，并提升汽車(chē)系統(tǒng)的熱性能。

eDSim：快速且功能強(qiáng)大的電氣模擬軟件，用于SMPS和模擬IC

eDSim可為STripFET F8 MOSFET系列提供支持，并為SMPS和模擬IC提供快捷可靠的電氣模擬功能。該工具性能強(qiáng)大，能夠幫助用戶設(shè)計(jì)和優(yōu)化汽車(chē)系統(tǒng)，并確保將其無(wú)縫集成并有效應(yīng)用于各個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域。