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探索意法半導(dǎo)體新型40V STripFET F8功率MOSFET

意法半導(dǎo)體工業(yè)電子 ? 來(lái)源:意法半導(dǎo)體工業(yè)電子 ? 2026-01-13 11:31 ? 次閱讀
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符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、適合汽車(chē)應(yīng)用的低壓MOSFET

STripFET F8技術(shù)可在提供極低導(dǎo)通電阻的同時(shí),有效降低內(nèi)部電容和柵極電荷,堪稱(chēng)功率MOSFET的一次重大突破。該技術(shù)能夠降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,從而提高整體效率。該系列MOSFET可提供40V和100V兩種可選方案,且支持標(biāo)準(zhǔn)電平和邏輯電平兩種驅(qū)動(dòng)功能,是各種汽車(chē)應(yīng)用的理想之選。

如今我們的產(chǎn)品組合包含了采用PowerFLAT(5x6mm)封裝的全新STL325N4F8AG,以及采用創(chuàng)新型PowerLeaded(8x8mm)封裝的STK615N4F8AG。

探索新型40V STripFET F8功率MOSFET

先進(jìn)的STripFET F8技術(shù)能夠在減少輸出電容的同時(shí),最大限度降低尖峰電壓和能量損耗。此外,該低壓MOSFET系列還采用了經(jīng)過(guò)改進(jìn)的體漏極二極管,其開(kāi)關(guān)更軟,且能夠有效降低電磁干擾。這些增強(qiáng)特性可幫助設(shè)計(jì)人員滿足EMC要求,并簡(jiǎn)化低壓汽車(chē)應(yīng)用的合規(guī)驗(yàn)證過(guò)程。

STK615N4F8AG

車(chē)規(guī)級(jí)N溝道40V、0.48mΩ(最大值)

該器件采用全新的PowerLeaded(8x8mm)封裝,不僅占用空間更小,功率密度更高,電流處理能力更強(qiáng),而且可將RDS(on)控制在0.48mΩ的極低水平。

STL325N4F8AG

車(chē)規(guī)級(jí)N溝道40V、0.85mΩ(最大值)

該器件采用高效、可靠的PowerFLAT(5x6mm)緊湊型封裝,通過(guò)將RDS(on)保持在較低水平來(lái)降低功率損耗,并提升汽車(chē)系統(tǒng)的熱性能。

eDSim:快速且功能強(qiáng)大的電氣模擬軟件,用于SMPS和模擬IC

eDSim可為STripFET F8 MOSFET系列提供支持,并為SMPS和模擬IC提供快捷可靠的電氣模擬功能。該工具性能強(qiáng)大,能夠幫助用戶設(shè)計(jì)和優(yōu)化汽車(chē)系統(tǒng),并確保將其無(wú)縫集成并有效應(yīng)用于各個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域。

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原文標(biāo)題:降低損耗+簡(jiǎn)化合規(guī)!STripFET F8功率MOSFET,解鎖汽車(chē)應(yīng)用新可能

文章出處:【微信號(hào):意法半導(dǎo)體工業(yè)電子,微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體工業(yè)電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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