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龍騰半導體核心產品亮相IC China 2025

龍騰半導體 ? 來源:龍騰半導體 ? 2025-11-28 16:23 ? 次閱讀
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IC China 2025

11月23至25日,為期三天的第二十二屆中國國際半導體博覽會(IC China 2025)在北京國家會議中心圓滿收官!本屆展會以 “凝芯聚力?鏈動未來” 為主題,由中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院聯(lián)合主辦,匯聚了半導體材料、設備、設計、制造、封測全產業(yè)鏈眾多領軍企業(yè)與創(chuàng)新力量。作為陜西省重點產業(yè)鏈(半導體及集成電路)鏈主企業(yè),龍騰半導體在陜西省半導體行業(yè)協(xié)會的帶領下,與西安本地多家優(yōu)秀企業(yè)共同參展,攜核心產品與創(chuàng)新技術精彩亮相,與來自全國各地的行業(yè)同仁、合作伙伴展開面對面深度交流對接。

展會現(xiàn)場,龍騰半導體集中展示了超結MOSFET、IGBT及模塊、中低壓SGT MOSFET、中低壓溝槽MOSFET、高壓平面MOSFET、碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等產品體系,憑借卓越的性能表現(xiàn),廣泛應用于消費電子、工業(yè)制造、汽車電子、新能源發(fā)電、光伏儲能等多元場景。

產品技術層面,超結MOSFET系列采用多次外延工藝技術,能夠實現(xiàn)更高的電壓承受能力、更低的導通電阻及更寬的安全工作區(qū);IGBT產品家族兼具高性能與系列化優(yōu)勢,單管與模塊均采用場截止技術與微溝槽柵結構結合的設計,通過優(yōu)化柵極結構實現(xiàn)低飽和壓降與低開關損耗的平衡;SiC MOSFET依托平面柵小元胞設計與襯底減薄技術,展現(xiàn)高擊穿電壓、低導通損耗與高溫穩(wěn)定工作的優(yōu)勢。

龍騰半導體一直以 “高效、可靠、高性價比” 為產品服務核心導向,憑借全產業(yè)鏈布局與持續(xù)迭代的創(chuàng)新實力,構筑起強勁的產品競爭優(yōu)勢,依托設計、研發(fā)、材料、設備、測試、服務的一體化創(chuàng)新模式,實現(xiàn)工藝自主可控,既保障了產品參數(shù)的高度一致性與穩(wěn)定性,又能快速響應客戶個性定制化需求,為下游應用提供精準適配的功率半導體解決方案。

此次參展是龍騰半導體鏈接全國行業(yè)優(yōu)質資源與踐行推動國產半導體產業(yè)升級的實踐。未來,龍騰半導體將繼續(xù)深化上下游伙伴協(xié)同合作,聚焦核心技術攻關,以更前沿的技術、優(yōu)質的產品、完善的服務,在提升國產功率半導體自給率的道路上穩(wěn)步前行,為中國半導體制造業(yè)高質量發(fā)展注入更多陜西 “芯” 力量!

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:展會回顧 | 龍騰半導體亮相 IC China 2025,彰顯陜西“芯”力量

文章出處:【微信號:xa_lonten,微信公眾號:龍騰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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