SK海力士高管近日在一場電話會中坦言：“今年我們無法滿足所有客戶的需求?！边@家全球存儲三巨頭之一的庫存僅剩四周，2026年HBM產(chǎn)能已提前售罄。這不是單一公司的困境，而是整個存儲產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷的“15年來最嚴重短缺”。

2026年開年，存儲市場就進入了前所未有的漲價通道。TrendForce最新數(shù)據(jù)顯示，第一季度通用DRAM合約價漲幅從最初預(yù)估的55%-60%上修至90%-95%，NAND Flash從33%-38%上調(diào)至55%-60%。服務(wù)器DRAM漲幅接近90%，PC DRAM更是超過100%，雙雙創(chuàng)下歷史新高。

價格飆漲的背后，是一場由AI主導(dǎo)的供需重構(gòu)。高盛報告指出，2026年全球DRAM將出現(xiàn)約4.9%的供需缺口，為近15年來最緊張水平。需求增長26%，供應(yīng)僅增21%，這一剪刀差正在改寫存儲產(chǎn)業(yè)的游戲規(guī)則。

01 趨勢：AI“虹吸效應(yīng)”打破傳統(tǒng)周期

過去存儲產(chǎn)業(yè)的周期性波動，往往遵循“產(chǎn)能過剩—降價去庫存—減產(chǎn)—漲價—擴產(chǎn)—再過?！钡难h(huán)。但這一輪行情，路徑變了。

變化的起點是AI。HBM作為AI服務(wù)器標配內(nèi)存，價格一度達傳統(tǒng)DRAM數(shù)倍，訂單排期超過一年。高盛預(yù)計，2026年HBM市場規(guī)模將達540億美元，2027年進一步攀升至750億美元。

更關(guān)鍵的是，HBM的需求正在產(chǎn)生強烈的“產(chǎn)能虹吸效應(yīng)”。SK海力士新增產(chǎn)能多被HBM占據(jù)，三星P5廠量產(chǎn)要等到2027年下半年。與此同時，DDR5的高獲利又吸引供應(yīng)商將傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)向DDR5，進一步壓縮成熟制程產(chǎn)能。

這就形成了一個前所未有的局面：三大產(chǎn)品線——DRAM、NAND、HBM——同步告急。供給端沒有喘息空間，而需求端，北美、中國各大云服務(wù)商仍在積極洽談年度長期供貨合約，買方競爭激烈。

長江證券在一份研報中將此定義為“超級周期”——其特點是需求剛性強、持續(xù)時間長，由AI算力爆發(fā)驅(qū)動，而非傳統(tǒng)的庫存回補。

02 挑戰(zhàn)：產(chǎn)能擠壓下的“隱形受害者”

當所有人的目光都聚焦在HBM和DDR5的暴漲時，一個容易被忽視的問題正在浮現(xiàn)：產(chǎn)能向高端產(chǎn)品傾斜，正在擠壓中低端存儲的供給。

SK海力士將部分產(chǎn)線轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM，壓縮了NAND Flash新增產(chǎn)能；三星、美光加速退出DDR3、MLC NAND等舊世代產(chǎn)品，導(dǎo)致這些“非熱點”市場供給缺口擴大。摩根士丹利測算，2026年DDR4供給缺口由原估20%擴大至26%，MLC NAND缺口超過30%。

這意味著，哪怕你的產(chǎn)品不需要HBM、不需要DDR5，只要你還用得上存儲芯片，就躲不開這輪漲價。

另一個深層挑戰(zhàn)是：價格暴漲正在扭曲終端市場的成本結(jié)構(gòu)。集邦咨詢測算，以當前主流的8GB內(nèi)存+256GB存儲配置為例，其預(yù)估合約價較2025年同期上漲近200%。存儲器在智能手機整體成本中的占比，已從過往的10%-15%攀升至30%-40%。這將直接抑制終端需求，2026年全球手機產(chǎn)量可能下降10%以上。

供需失衡的傳導(dǎo)鏈條，比表面看起來復(fù)雜得多。

03 破局：從“搶產(chǎn)能”到“挖效率”

面對持續(xù)全年的漲價預(yù)期和供給緊張，下游廠商該如何應(yīng)對？

短期來看，鎖定長期供貨協(xié)議（LTA）成為共識。SK海力士透露，產(chǎn)業(yè)鏈已啟動長期合約談判以鎖定未來供應(yīng)。但長期合約只能解決“有沒有”的問題，解決不了“貴不貴”和“好不好用”的問題。

中期來看，提高每一顆芯片的利用效率，成為比搶產(chǎn)能更現(xiàn)實的策略。這就回到了半導(dǎo)體制造后端一個常被低估的環(huán)節(jié)——測試與燒錄。

一顆存儲芯片從晶圓到成品，要經(jīng)歷CP測試（晶圓測試）、FT測試（最終測試）、老化篩選等多道關(guān)卡。在供給寬松的時代，這些環(huán)節(jié)被視為“必要成本”；在產(chǎn)能緊缺的當下，它們直接決定良率和產(chǎn)出效率。

測試環(huán)節(jié)的精度，決定了你能否把一顆接近規(guī)格邊界的芯片判定為合格品。測量單元的分辨率、信號完整性、抗干擾能力，直接影響測試結(jié)果的可信度。測試誤差大一個數(shù)量級，就可能把良品誤判為壞品——在產(chǎn)能緊張的當下，這種浪費是不可接受的。

燒錄環(huán)節(jié)同樣關(guān)鍵。UFS、eMMC、LPDDR……不同接口、不同協(xié)議的存儲芯片，需要不同的燒錄算法和時序配置。燒錄穩(wěn)定性直接關(guān)系最終產(chǎn)品的可靠性，一次燒錄失敗，整顆芯片報廢；一批數(shù)據(jù)錯亂，可能導(dǎo)致批量召回。

這正是HiloMax持續(xù)深耕的方向。四十年來，我們從燒錄設(shè)備起步，逐步構(gòu)建起覆蓋芯片測試系統(tǒng)、光學(xué)檢測系統(tǒng)的完整產(chǎn)品線。面對存儲市場的結(jié)構(gòu)性變化，我們的價值主張很清晰：幫客戶把每一顆芯片的價值發(fā)揮到極致。

在測試端，我們的高精度測量單元和智能功耗管理算法，能夠在高速、高密度的存儲芯片測試中實現(xiàn)精準篩選，最大限度減少誤判帶來的產(chǎn)能浪費。在燒錄端，我們自主研發(fā)的UFS4.1燒錄核心，已實現(xiàn)對新一代高速接口存儲芯片的穩(wěn)定支持，為客戶端到端的量產(chǎn)效率提供保障。

更重要的是，我們在徐州設(shè)立了集研發(fā)、制造于一體的核心基地，在臺灣、越南布局了代工燒錄服務(wù)中心。這種“自主研發(fā)+本地化制造+完整代工配套”的模式，讓我們能夠以更短的交付周期、更快的服務(wù)響應(yīng)，陪伴客戶穿越這輪超級周期。

高盛將2026年稱為“15年來最緊張的年份”，SK海力士判斷“漲價將貫穿全年”。無論你是芯片設(shè)計公司、模組廠，還是終端品牌，這輪存儲風(fēng)暴都繞不開。

當產(chǎn)能成為稀缺資源，誰能把既有產(chǎn)能的利用效率提到最高，誰就能在競爭中多一分底氣。而測試與燒錄，正是那個決定“效率”的關(guān)鍵變量。

您所在的企業(yè)如何應(yīng)對這輪存儲漲價？是加大備貨、鎖定長約，還是在生產(chǎn)端精打細算？歡迎在評論區(qū)分享您的實戰(zhàn)經(jīng)驗與思考。

審核編輯 黃宇