FDMS7602S雙N溝道PowerTrench? MOSFET：特性與應(yīng)用解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵元件，其性能對(duì)電路的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來(lái)深入了解一下FDMS7602S雙N溝道PowerTrench? MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。

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一、ON Semiconductor的整合說(shuō)明

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合，部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改以符合ON Semiconductor的系統(tǒng)要求。由于ON Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無(wú)法處理帶有下劃線（）的零件命名法，F(xiàn)airchild零件編號(hào)中的下劃線（）將改為破折號(hào)（-）。大家可以通過(guò)ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）驗(yàn)證更新后的設(shè)備編號(hào)。若對(duì)系統(tǒng)集成有任何疑問(wèn)，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

二、FDMS7602S MOSFET概述

1. 基本信息

FDMS7602S是一款雙N溝道PowerTrench? MOSFET，采用雙MLP封裝，包含兩個(gè)專門(mén)的N溝道MOSFET。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)內(nèi)部連接，便于同步降壓轉(zhuǎn)換器的放置和布線?？刂芃OSFET（Q1）和同步SyncFETTM（Q2）經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，可提供最佳的功率效率。

2. 主要參數(shù)

• Q1：30 V，30 A，最大導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)}) 在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=12 A) 時(shí)為7.5 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)、(I_{D}=10 A) 時(shí)為12 mΩ。
• Q2：30 V，30 A，最大導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)}) 在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=17 A) 時(shí)為5.0 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)、(I_{D}=14 A) 時(shí)為6.8 mΩ。

三、產(chǎn)品特性

1. 電氣特性

（1）關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（(BVDSS)）：Q1和Q2在 (I{D}=250 mu A)、(V{GS}=0 V) 時(shí)均為30 V。
• 溫度系數(shù)（(ABVDSS ATJ)）：Q1和Q2在 (I_{D}=250 mu A) 、參考溫度 (25^{circ}C) 時(shí)為15 mV/°C。
• 零柵壓漏電流：最大為1 aA AA 。
• 柵源泄漏電流（(IGSS)）：在 (V{GS}=20 V)、(V{DS}=0 V) 時(shí)，Q2最大為100 nA。

  （2）導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓（(VGS(th))）：Q1和Q2在 (V{GS}=V{DS})、(I_{D}=250 mu A) 時(shí)，典型值為1.8 V，最大值為3 V。
• 漏源導(dǎo)通電阻（(r_{DS(on)})）：不同條件下有不同取值，如Q1在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=12 A) 時(shí)最大為7.5 mΩ 。

  （3）動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容（(Ciss)）：Q1為1315 - 2690 pF，Q2為2020 - 2690 pF。
• 輸出電容：Q1為445 - 600 pF，Q2為860 - 1145 pF。
• 柵電阻：Q1和Q2均為0.9 Ω。

  （4）開(kāi)關(guān)特性

• 上升時(shí)間（(tr)）：Q1為27 - 43 ns，Q2為2.5 - 10 ns。
• 下降時(shí)間（(tf)）：Q1為2.3 - 3.2 ns。
• 總柵電荷（(Qg)）：不同條件下Q1和Q2有不同取值。

  2. 熱特性

• 結(jié)到環(huán)境熱阻（(R_{θJA})）：有不同情況，如在特定條件下Q1為57 °C/W或125 °C/W，Q2為50 °C/W或120 °C/W。
• 結(jié)到外殼熱阻（(R_{θJC})）：Q1為3.5 °C/W，Q2為2 °C/W。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

FDMS7602S適用于多個(gè)領(lǐng)域，包括計(jì)算、通信、通用負(fù)載點(diǎn)以及筆記本VCORE等。在這些應(yīng)用中，其低導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)特性能夠有效提高電路的效率和性能。

五、注意事項(xiàng)

1. 零件編號(hào)更改

由于整合原因，需注意零件編號(hào)中符號(hào)的變化，及時(shí)通過(guò)官網(wǎng)驗(yàn)證更新后的編號(hào)。

2. 應(yīng)用限制

ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類(lèi)醫(yī)療設(shè)備或類(lèi)似分類(lèi)的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。若買(mǎi)家將產(chǎn)品用于此類(lèi)非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。

3. 參數(shù)驗(yàn)證

“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化，實(shí)際性能也可能隨時(shí)間改變。所有工作參數(shù)，包括“典型值”，都必須由客戶的技術(shù)專家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。

大家在使用FDMS7602S進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，一定要充分考慮上述特性和注意事項(xiàng)，以確保設(shè)計(jì)的電路能夠穩(wěn)定、高效地運(yùn)行。你在使用MOSFET的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。