FDMS6673BZ P - Channel PowerTrench? MOSFET深度解析

一、引言

在電子設備的設計中，MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來詳細探討一下Fairchild（現(xiàn)已并入ON Semiconductor）的FDMS6673BZ P - Channel PowerTrench? MOSFET。

文件下載：FDMS6673BZ-D.pdf

二、產(chǎn)品背景與整合說明

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改，原編號中的下劃線（_）將改為破折號（ - ）。大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實更新后的器件編號。

三、FDMS6673BZ MOSFET的特點

3.1 低導通電阻

• 在(V{GS}=-10 V)，(I{D}=-15.2 A)時，最大(r{DS(on)} = 6.8 mΩ)；在(V{GS}=-4.5 V)，(I{D}=-11.2 A)時，最大(r{DS(on)} = 12.5 mΩ)。先進的封裝和硅技術結合，有效降低了導通電阻，減少了負載開關應用中的損耗。

  3.2 ESD保護

  HBM ESD保護等級典型值為8 kV，能有效防止靜電對器件造成損害，提高了器件的可靠性。

  3.3 穩(wěn)健的封裝設計

  MSL1級封裝設計，具有良好的防潮性能，并且符合RoHS標準，環(huán)保又可靠。

四、應用領域

4.1 筆記本和服務器的負載開關

可用于控制筆記本和服務器中的電源通斷，低導通電阻能減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。

4.2 筆記本電池組電源管理

在電池組的充放電管理中發(fā)揮重要作用，確保電池的安全和穩(wěn)定供電。

五、電氣特性

5.1 最大額定值

5.2 電氣參數(shù)

• 截止特性：如(BVDSS)（漏源擊穿電壓）在(I{D}=-250 A)，(V{GS}=0 V)時為 - 30 V ，其溫度系數(shù)為 - 18 mV/°C 。
• 導通特性：(V{GS(th)})（柵源閾值電壓）在不同條件下有不同取值，靜態(tài)漏源導通電阻(r{DS(on)})也隨(V{GS})和(I{D})變化。
• 動態(tài)特性：包括輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)、反向傳輸電容(Crss)等。
• 開關特性：如開通延遲時間(td(on))、上升時間(tr)、關斷延遲時間(td(off))和下降時間(tf)等。
• 漏源二極管特性：源漏二極管正向電壓(VSD)在不同電流下有不同表現(xiàn)，反向恢復時間(trr)和反向恢復電荷(Qrr)也是重要參數(shù)。

六、典型特性曲線分析

6.1 導通區(qū)域特性

從“On Region Characteristics”曲線可以看出，不同(V_{GS})下，漏極電流(-ID)隨漏源電壓(-VDS)的變化情況，有助于我們了解器件在不同工作條件下的導通性能。

6.2 歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系

“Normalized On - Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage”曲線直觀地展示了導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化規(guī)律，為工程師在設計中選擇合適的工作點提供了參考。

6.3 歸一化導通電阻與結溫的關系

“Normalized On Resistance vs. Junction Temperature”曲線表明了導通電阻隨結溫的變化情況，在高溫環(huán)境下，導通電阻會有所增加，這在實際應用中需要考慮。

七、封裝與訂購信息

FDMS6673BZ采用Power 56封裝，卷盤尺寸為13英寸，膠帶寬度為12 mm，每卷數(shù)量為3000個。器件標記為FDMS6673BZ 。

八、注意事項

• ON Semiconductor保留對產(chǎn)品進行更改而不另行通知的權利。
• 產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備或類似分類的醫(yī)療設備以及人體植入設備。
• 買家需對使用ON Semiconductor產(chǎn)品的自身產(chǎn)品和應用負責，包括遵守所有法律法規(guī)和安全要求。

作為電子工程師，在使用FDMS6673BZ MOSFET時，我們需要充分了解其各項特性和參數(shù)，結合實際應用場景進行合理設計，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在實際應用中遇到過哪些關于MOSFET的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。