9月21日，英特爾大連非易失性存儲二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。省委副書記、省長唐一軍出席啟動儀式。

活動期間，唐一軍饒有興致地參觀了二期項目辦公樓和生產(chǎn)車間，了解項目投產(chǎn)運行情況。他指出，英特爾大連非易失性存儲二期項目的合作建設過程，是遼寧擴大對外開放的寫照和縮影，新項目優(yōu)質(zhì)高效建成投產(chǎn)，讓我們看到了“大連效率”，創(chuàng)造了“大連速度”，是英特爾公司建設發(fā)展的奇跡，也是遼寧對外經(jīng)貿(mào)合作的典范。今年是中國改革開放40周年，遼寧將以更寬廣的胸襟、更寬闊的視野，在更寬的領(lǐng)域、更高的層次，深化改革、擴大開放、推動創(chuàng)新。希望以此次英特爾二期項目投產(chǎn)為新起點，進一步深化拓展雙方合作，繼續(xù)擴大在遼投資規(guī)模，實現(xiàn)互利共贏發(fā)展。

英特爾公司是全球知名的集成電路領(lǐng)軍企業(yè)。2006年7月，英特爾亞洲控股有限公司與大連市政府簽署了總發(fā)展協(xié)議，在大連出口加工區(qū)B區(qū)建設了占地面積60公頃的英特爾半導體(大連)有限公司，用于邏輯芯片的研發(fā)生產(chǎn)。2015年10月，英特爾二期項目落戶大連，生產(chǎn)非易失性存儲器芯片。經(jīng)過不到三年時間，二期項目順利實現(xiàn)了建成投產(chǎn)，創(chuàng)造了英特爾工廠建設歷史的新紀錄。啟動儀式上，英特爾宣布新投產(chǎn)的非易失性存儲二期項目將采用世界最先進的96層3D NAND存儲芯片制造技術(shù)實現(xiàn)量產(chǎn)。

省及大連市領(lǐng)導譚作鈞、崔楓林、譚成旭、肖盛峰，英特爾全球副總裁、全球非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理凱文·埃斯法亞尼，英特爾全球副總裁、英特爾半導體(大連)有限公司總經(jīng)理梁志權(quán)出席啟動儀式。