日前，據(jù)消息人士稱(chēng)，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為減少美國(guó)制裁威脅，已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。

近日，媒體報(bào)道稱(chēng)合肥長(zhǎng)鑫公司計(jì)劃在今年底量產(chǎn)首款內(nèi)存芯片，是8Gb LPDDR4顆粒，預(yù)計(jì)Q4季度產(chǎn)能約為2萬(wàn)片晶圓/月，不過(guò)產(chǎn)能最終會(huì)擴(kuò)大到12.5萬(wàn)片晶圓/月。

在國(guó)內(nèi)布局的三大存儲(chǔ)芯片基地中，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)240億美元的投資主要是NAND閃存，DRAM內(nèi)存有福建晉華以及合肥長(zhǎng)鑫，前者跟聯(lián)電合作，因?yàn)楦拦猱a(chǎn)生了專(zhuān)利糾紛被美國(guó)制裁，發(fā)展前景并不樂(lè)觀，那長(zhǎng)鑫公司會(huì)不會(huì)面臨美國(guó)的打壓？

對(duì)于這個(gè)問(wèn)題，合肥長(zhǎng)鑫一開(kāi)始也注意到了產(chǎn)權(quán)的問(wèn)題，日經(jīng)新聞亞洲版日前報(bào)道稱(chēng)合肥長(zhǎng)鑫重新設(shè)計(jì)了DRAM內(nèi)存芯片，盡可能減少美國(guó)技術(shù)的使用。

不過(guò)在這方面，長(zhǎng)鑫暫時(shí)還無(wú)法完全擺脫美國(guó)公司的限制，美國(guó)應(yīng)用材料（Applied Materials）、Lam Research及科磊KLA-Tencor等公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備、材料以Cadence和Synopsys等公司的EDA工具是全球半導(dǎo)體行業(yè)都繞不開(kāi)的。

此前上海舉辦的GSA峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)兼CEO朱一明發(fā)表了《中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，其中就提到了長(zhǎng)鑫DRAM內(nèi)存的技術(shù)來(lái)源。|中國(guó)半導(dǎo)體論壇公眾號(hào)|朱一明表示長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)通過(guò)與其合作，將一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是公司最初的技術(shù)來(lái)源之一。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在所接收技術(shù)和國(guó)際合作的基礎(chǔ)上，利用專(zhuān)用研發(fā)線(xiàn)，展開(kāi)世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過(guò)15000片。

根據(jù)長(zhǎng)鑫公司之前公布的計(jì)劃，合肥長(zhǎng)鑫的一廠(chǎng)廠(chǎng)房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開(kāi)始安裝。根據(jù)計(jì)劃，長(zhǎng)鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬(wàn)片一個(gè)月。從2020年開(kāi)始，公司則開(kāi)始規(guī)劃二廠(chǎng)，2021年則完成17nn的研發(fā)。