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企業(yè)號(hào)介紹

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái),包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享,在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2026-03-23 17:05

    新品 | 英飛凌XHP™ 2系列新增2300V IGBT模塊

    新品英飛凌XHP2系列新增2300VIGBT模塊英飛凌XHP2系列新增2300V產(chǎn)品,順應(yīng)可再生能源等應(yīng)對(duì)更高直流母線電壓的趨勢(shì)。該模塊額定值為2300V/1400A,采用TRENCHSTOPIGBT7芯片技術(shù),在6kV電氣隔離電壓下,為高功率應(yīng)用提供了卓越的功率密度和效率??蛇x預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料TIM版本,以簡(jiǎn)化組裝并優(yōu)化散熱性能。產(chǎn)品型號(hào):■FF1400R
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  • 發(fā)布了文章 2026-03-19 17:04

    新品 | 英飛凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驅(qū)動(dòng)器

    新品英飛凌600VCoolGaNDriveHBG5集成驅(qū)動(dòng)器CoolGaNDriveHB600VG5系列產(chǎn)品,在一個(gè)小巧的6x8TFLGA-27封裝中,集成了一個(gè)由兩個(gè)600VCoolGaNG5晶體管構(gòu)成的半橋功率級(jí)、一個(gè)電平移位柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)自舉二極管。產(chǎn)品型號(hào):■IGI60L1414B1M■IGI60L2727B1M■IGI60L5050B1M產(chǎn)品特
  • 發(fā)布了文章 2026-03-18 17:06

    英飛凌第二代1200V CoolSiC™ MOSFET品質(zhì)因數(shù)(FOM)介紹

    品質(zhì)因數(shù)FOM是半導(dǎo)體性能的量化指標(biāo)之一。MOSFET的FOM由漏-源導(dǎo)通電阻與器件的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的乘積得出。FOM值越低,器件性能越好。如下是對(duì)SiCMOSFET具有重要意義的品質(zhì)因數(shù):RDS(on)*Area:這是最常用的FOM,它代表了MOSFET技術(shù)的進(jìn)步RDS(ON)×Qg:綜合反映靜態(tài)導(dǎo)通損耗與柵極驅(qū)動(dòng)損耗,是器件選型與代際對(duì)比的基礎(chǔ)指標(biāo)RDS
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  • 發(fā)布了文章 2026-03-16 17:07

    直播報(bào)名丨2026年寬禁帶開發(fā)者論壇邀請(qǐng)函

    多年來(lái),英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇始終是碳化硅與氮化鎵領(lǐng)域?qū)<揖奂惶玫哪甓仁?huì)。2026年3月17日(中國(guó)時(shí)間16點(diǎn)開始),我們將在慕尼黑演播室為您全程直播專業(yè)演講內(nèi)容。我們的部門總裁Dr.PeterWawer(零碳工業(yè)功率事業(yè)部)和AdamWhite(電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部)的歡迎演講將為活動(dòng)拉開帷幕,并就市場(chǎng)發(fā)展和英飛凌寬禁帶戰(zhàn)略提供深刻洞見。掃碼報(bào)名,預(yù)約
  • 發(fā)布了文章 2026-03-13 17:09

    新品 | 采用頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 產(chǎn)品擴(kuò)展

    新品CoolSiCG21200VMOSFET采用頂部散熱Q-DPAK封裝第二代CoolSiC1200VMOSFET,采用頂部散熱Q-DPAK封裝,提供4mΩ和5mΩ兩種導(dǎo)通電阻規(guī)格,廣泛適用于的工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)汽車充電、光伏逆變器、不間斷電源、固態(tài)斷路器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、人工智能以及商用電動(dòng)車等。Q-DPAK封裝憑借其卓越的熱性能簡(jiǎn)化了組裝流程,降低系統(tǒng)成本。與
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  • 發(fā)布了文章 2026-03-12 17:07

    英飛凌繼續(xù)登頂全球微控制器市場(chǎng)榜首,進(jìn)一步鞏固領(lǐng)先地位

    在整體市場(chǎng)小幅下滑的背景下,2025年市場(chǎng)份額達(dá)到23.2%(2024年為21.4%)集成汽車以太網(wǎng)以進(jìn)一步強(qiáng)化面向軟件定義汽車的微控制器業(yè)務(wù),并為人形機(jī)器人領(lǐng)域開辟增長(zhǎng)機(jī)遇英飛凌為微控制器產(chǎn)品組合做好前瞻布局,以滿足未來(lái)網(wǎng)絡(luò)安全需求,如后量子加密全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司進(jìn)一步鞏固其在全球微控制器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。根據(jù)Omdia
  • 發(fā)布了文章 2026-03-11 17:08

    巧妙分離電氣通路與散熱通路的碳化硅Q-DPAK頂部散熱封裝,實(shí)現(xiàn)極致功率密度

    英飛凌CoolSiCMOSFET1200VG2系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的Q-DPAK頂部冷卻封裝,針對(duì)高功率密度與高溫運(yùn)行場(chǎng)景優(yōu)化設(shè)計(jì),適用于電動(dòng)汽車充電、光伏、UPS、固態(tài)斷路器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及AI等領(lǐng)域。我們現(xiàn)推出IMCQ120R017M2H與IMCQ120R034M2H兩款器件免費(fèi)樣品試用活動(dòng),誠(chéng)邀工程師、研發(fā)團(tuán)隊(duì)及行業(yè)小伙伴們親身體驗(yàn)!為什么選擇Q-DPAK封裝
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  • 發(fā)布了文章 2026-03-09 17:09

    新品 | 適用于300kW+集中式光伏逆變器的EconoPACK™ 3系列模塊

    新品適用于300kW+集中式光伏逆變器的EconoPACK3系列模塊產(chǎn)品描述:■EconoPACK3B950V,600A,IGBT模塊,采用三電平NPC1拓?fù)?,集成CoolSiC肖特基二極管■EconoPACK3B950V,400A,IGBT模塊,采用三電平Boost升壓拓?fù)?,集成CoolSiC肖特基二極管產(chǎn)品型號(hào):■F3L600R10N3S7F■F3L40
  • 發(fā)布了文章 2026-03-03 17:34

    英飛凌215kW PCS方案實(shí)驗(yàn)室實(shí)景直播全解析,demo板免費(fèi)送!

    近年來(lái),隨著光伏、風(fēng)能等新能源快速發(fā)展,其波動(dòng)性和大規(guī)模接入對(duì)電網(wǎng)穩(wěn)定運(yùn)行的影響已不容忽視。儲(chǔ)能系統(tǒng)由于可以平滑和穩(wěn)定電壓,參與峰值功率調(diào)節(jié),有利于減少新能源帶來(lái)的電力波動(dòng)和改善電能質(zhì)量,因此在源網(wǎng)側(cè)得到了廣泛應(yīng)用和快速發(fā)展。目前應(yīng)用于儲(chǔ)能系統(tǒng)的電芯技術(shù)正在快速發(fā)展,儲(chǔ)能PCS的功率也隨之不斷提升。IGBT器件作為PCS系統(tǒng)的核心部件,應(yīng)用中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)和輸出
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  • 發(fā)布了文章 2026-03-02 17:01

    新品 | CoolSiC™ MOSFET M1H共源配置62mm模塊

    新品CoolSiCMOSFETM1H共源配置62mm模塊英飛凌推出1200V和2000VCoolSiCMOSFET62mm半橋模塊,結(jié)合M1H芯片技術(shù),推出共源配置版本產(chǎn)品型號(hào):■FF1MR12KM1H■FF3MR12KM1H■FF5MR20KM1H產(chǎn)品特性可靠的集成體二極管,提升熱性能極高的耐濕性卓越的柵極氧化物可靠性高宇宙射線耐受強(qiáng)度應(yīng)用價(jià)值惡劣工況下性
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