動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-12-30 09:04
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發(fā)布了文章 2025-12-23 18:04
年終盤點(diǎn):英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相
歲末將至,回顧2025年科技領(lǐng)域,英飛凌在碳化硅(SiC)賽道成績斐然,憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù),為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動力,成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊,給大家挑選部分亮點(diǎn)產(chǎn)品,方便各位看官全方位了解,咱們這就開整!01產(chǎn)品發(fā)布:多元布局,精準(zhǔn)覆蓋多領(lǐng)域需求1CoolSiCMOSFETG21200V和1400V單管:多種封 -
發(fā)布了文章 2025-12-22 18:26
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發(fā)布了文章 2025-12-18 17:08
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發(fā)布了文章 2025-12-15 17:17
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發(fā)布了文章 2025-12-13 08:49
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發(fā)布了文章 2025-12-08 17:04
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發(fā)布了文章 2025-12-03 17:07
深入解析IPM器件數(shù)據(jù)手冊中的電流定義:Ic、Icp、Io(peak)和Io(rms)
在設(shè)計(jì)和應(yīng)用IPM器件時,電流參數(shù)是影響性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。然而,不同電流參數(shù)的含義可能會對應(yīng)用設(shè)計(jì)產(chǎn)生重要影響。本文將詳細(xì)解析IPM數(shù)據(jù)手冊中常見的幾種電流定義,包括IC、ICP、IO(peak)和IO(RMS)的具體意義、測試條件及其設(shè)計(jì)建議。為了更清晰地展示各電流參數(shù)的定義及其在實(shí)際應(yīng)用中的差異,下面提供了一張直觀的圖示供參考:1IC:額定連續(xù)集電極電7.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-12-01 12:04
英飛凌與陽光同行,助力第十一屆高校電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)大賽完美收官
2025年11月5-7日,作為中國大學(xué)電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)大賽的一部分,第十一屆“英飛凌杯”先進(jìn)功率轉(zhuǎn)換技術(shù)大賽決賽和“陽光杯”新能源和儲能大賽決賽在廣東深圳市舉行。這項(xiàng)久負(fù)盛名的比賽由英飛凌冠名贊助,自2015年以來由中國電源學(xué)會主辦,是中國電力電子行業(yè)最高級別的學(xué)生比賽。觀看了解活動精彩片段其中,“陽光杯”比賽的核心是使用英飛凌最新的WBG器件設(shè)計(jì)用于儲能的763瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-27 17:29
英飛凌3.3kV SiC XHP2模塊:重新定義高壓牽引系統(tǒng)的性能標(biāo)桿
在軌道交通、風(fēng)電變流器等高壓大功率應(yīng)用中,提升功率密度和系統(tǒng)效率是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)硅基IGBT模塊雖成熟可靠,但受限于材料特性,難以滿足高頻、高效的新需求。英飛凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模塊,結(jié)合創(chuàng)新的“.XT互連技術(shù)”,為高壓牽引系統(tǒng)提供了更高性能的解決方案。模塊核心優(yōu)勢:性能與可靠性01高電流密度與低損耗額定電流1000A,導(dǎo)通電1.5k瀏覽量