雙色調顯影（DTD）最早是由Asano提出的。DTD通過兩次單獨的顯影去除最高和最低曝光劑量區(qū)域的光....

有一些光學分辨率增強技術是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過合適方向的二極照明來增強密集線空圖形的....

目前，基于模型的 OPC已成為先進半導體制造的標準程序。圖4-15 表明現(xiàn)代 OPC模型包含了考慮光....

通過觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規(guī)則。

可靠性的定義是系統(tǒng)或元器件在規(guī)定的條件下和規(guī)定的時間內，完成規(guī)定的功能的能力 (the abilit....

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。

現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結或肖特基勢壘結而構建的。在未來的幾年里，隨著CMOS制造技術的進步，器....

CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicondu....

本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎知識，重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟....

在高k金屬柵之外，另一種等效擴充的方法是增加通過器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高....

源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準硅化物(salicide)工藝....

源漏擴展結構（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應....

為了有效抑制短溝道效應，提高柵控能力，隨著MOS結構的尺寸不斷降低，就需要相對應的提高柵電極電容。提....

隨著集成電路技術節(jié)點的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效....

圖2.2是現(xiàn)代CMOS 器件剖面的示意圖。一般來說，水平方向的尺寸微縮幅度比垂直方向的幅度更大，這將....

2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應....

當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN....

MESFET 熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容....

結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....

一對N溝道和P溝道 MOS 管以推挽形式工作，構成互補的金屬氧化物半導體器件（Complementa....

在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優(yōu)化制程達到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VC....

上述實驗結果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結果，一直到2008年，作者實驗室首次在77....

在氮化鎵藍光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮....

在氮化鎵發(fā)光二極體的發(fā)展過程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、....

東京大學荒川泰彥教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子點結構的概念，在1994年柏林工業(yè)大....

由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，要制作全磊晶結構的長波長面射型雷射難度較高，因此在1....

為了應用在光纖通訊上有效提升訊號傳輸距離，對于發(fā)光波長1310nm?與1550nm的面射型雷射需求也....

在完成選擇性氧化制程后，通常會將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護層的?SiO2或?SiNx....

采用氧化局限技術制作面射型雷射元件最關鍵的差異在于磊晶成長時就必須在活性層附近成長鋁含量莫耳分率高于....

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結構一樣都需要先將磊晶片進行蝕刻，以便暴露出側向蝕刻表面（etc....