電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)在高功率應(yīng)用中,通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動功率晶體管,不使用專用驅(qū)動器一般都會導(dǎo)致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFET和IGBT由柵極驅(qū)動器IC驅(qū)動,尤其是IGBT,幾乎
2021-11-03 09:33:56
5407 IGBT驅(qū)動光耦TLP250功率驅(qū)動模塊在IRF840 MOSFET中的應(yīng)用
2012-06-06 11:56:59
9500 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:57
2639 
、功率MOSFET、功率IGBT等功率器件組成,具有高效率、高可靠性、高集成度等特點。 ? 顧名思義,其工作原理主要為電能接收與轉(zhuǎn)換、功率放大、負載驅(qū)動以及保護與控制四個步驟。功率驅(qū)動芯片接收來自電源或其他電子設(shè)備的電能,通過內(nèi)部的功率器件(如功
2024-11-29 01:12:00
5003 描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的加強版隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用反激式隔離型控制拓撲,提供符合 IEC61800-5 標(biāo)準
2018-09-25 10:21:35
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR
2012-07-25 09:49:08
`大家一起上傳IGBT并聯(lián)應(yīng)用 功率器件交流群:215670829(500人) `
2013-03-25 11:19:45
隔離措施,以提高系統(tǒng)抗干擾措施,可采用帶光電隔離的MOSFET驅(qū)動芯片TLP250。光耦TLP250是一種可直接驅(qū)動小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦,由日本東芝公司生產(chǎn),其最大驅(qū)動能力達1.5A
2012-06-14 20:30:08
IGBT的特點可以從其全稱中了解一二:絕緣柵雙極晶體管。所謂絕緣柵,是指IGBT與MOSFET類似,作為控制的門級和功率電路部分是絕緣的,之間沒有通過導(dǎo)體或半導(dǎo)體電氣連接。門級只要出現(xiàn)一定的電壓,在
2023-02-16 15:36:56
引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷
2021-09-09 09:02:46
Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇,即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題,但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗
2025-03-25 13:43:17
,逆變器,變頻器,電鍍電解電源,超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。開關(guān)電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇,即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題,但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT,必須對柵極驅(qū)動電路進行調(diào)節(jié)?! 鲗?dǎo)損耗需謹慎 在比較額定值為600V的器件時,IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極
2020-06-28 15:16:35
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效應(yīng),過載,短路等條件所造成的損害。本在線
2018-11-05 15:38:56
以適合更高功率的驅(qū)動器。此參考設(shè)計還利用推挽式拓撲的另一個優(yōu)點,即可以從單個控制器并行控制多個變壓器,從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后,用于更高功率驅(qū)動器的更大 IGBT
2015-03-23 14:35:34
以適合更高功率的驅(qū)動器。此參考設(shè)計還利用推挽式拓撲的另一個優(yōu)點,即可以從單個控制器并行控制多個變壓器,從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后,用于更高功率驅(qū)動器的更大 IGBT
2015-04-27 17:31:57
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對
2018-11-01 11:35:35
利用3525做一個24v的隔離電源,為igbt驅(qū)動供電,驅(qū)動用3120來隔離,mc33153來做保護,請各位大神給講講原理,不太懂電源的推挽輸出,還有mc33153和3120的連接部分
2016-05-08 21:02:46
控人機界面方案商的工程師(熟悉通信互聯(lián),并不熟悉執(zhí)行部分和元器件構(gòu)成),本文提供IGBT和MOSFET基礎(chǔ)知識和工程選型要領(lǐng)。一般認為IGBT個大功率大,MOSFET適合開關(guān)和小電流驅(qū)動,其實IGBT
2022-06-28 10:26:31
智能功率模塊 (IPM) 是一種功率半導(dǎo)體模塊,它將運行 IGBT 所需的所有電路集成到單個封裝中。它包括所需的驅(qū)動電路和保護功能,以及IGBT。通過這種方式,可以從現(xiàn)有的IGBT技術(shù)中獲得最佳
2023-02-24 15:29:54
概述:IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器,它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34
,SiC-MOSFET在25℃時的變動很小,在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品,差距變大,溫度增高時SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別:關(guān)斷損耗特性前面多次提到過,SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異,可處理
2018-12-03 14:29:26
,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動,從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
;IGBT集中應(yīng)用于焊機,逆變器,變頻器,電鍍電解電源,超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域 開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇,即
2017-04-15 15:48:51
Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇,即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題,但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進行
2019-03-06 06:30:00
描述TIDA-00195 參考設(shè)計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器 ISO5852S(適用于各種應(yīng)用中的電機控制)。此設(shè)計可對三相逆變器(其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率
2023-02-10 15:33:01
的問題,如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結(jié)出以下幾點:詳細的講解,見附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驅(qū)動電路對比講解1、MOSFE作為大功率器件的驅(qū)動方案 2、IGBT作為大功率器件的驅(qū)動方案`
2021-03-02 13:47:10
結(jié)合 GTR 和功率 MOSFET 而產(chǎn)生的功率絕緣柵控雙極晶體管(IGBT)。在這些開關(guān)器件中,功率 MOSFET 由于開關(guān)速度快,驅(qū)動功率小,易并聯(lián)等優(yōu)點成為開關(guān)電源中最常用的器件,尤其在為計算機
2025-03-27 14:48:50
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的加強版隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用反激式隔離型控制拓撲,提供符合 IEC61800-5 標(biāo)準
2015-04-27 18:16:34
電機驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高。 為滿足市場需求,意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù),例如, IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?! ”疚脑趯嶋H
2018-11-20 10:52:44
電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件,因此如何安全可靠地驅(qū)動igbt工作,也成為越來越多的設(shè)計工程師面臨需要解決的課題?! ≡谑褂?b class="flag-6" style="color: red">igbt構(gòu)成的各種主回路之中,大功率
2012-12-08 12:34:45
測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫,是一個不可或缺的過程,功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
描述 TIDA-00448 參考設(shè)計是帶有雙極性閘極電壓的隔離式 IGBT 閘極驅(qū)動程序,旨在用于驅(qū)動所需高峰值閘極電流高達 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 電源塊就在此范圍內(nèi)
2018-09-04 09:20:51
電源? 低噪聲燈絲電源? IGBT 柵極驅(qū)動電源3 說明VPS8703 是一款專門為小體積、低待機功耗的微功率隔離電源而設(shè)計的變壓器驅(qū)動器,其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流
2022-11-11 14:44:13
電動汽車、風(fēng)能/太陽能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡介圖 1 功率MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)示意圖IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構(gòu)成的,其理想等效電路如下圖所示:圖 2
2015-12-24 18:13:54
適合更高功率的驅(qū)動器。此參考設(shè)計還利用推挽式拓撲的另一個優(yōu)點,即可以從單個控制器并行控制多個變壓器,從而生成三相 IGBT 逆變器所需的所有隔離式電壓軌。最后,用于更高功率驅(qū)動器的更大 IGBT 需要
2018-09-20 08:49:06
將減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中,如電動/混合動力汽車,隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進,現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
選取最小值,以提高其耐短路能力)。1.2 對電源的要求 對于全橋或半橋電路來說,上下管的驅(qū)動電源要相互隔離,由于IGBT是電壓控制器件,所需要的驅(qū)動功率很小,主要是對其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容
2016-11-28 23:45:03
選取最小值,以提高其耐短路能力)。1.2 對電源的要求 對于全橋或半橋電路來說,上下管的驅(qū)動電源要相互隔離,由于IGBT是電壓控制器件,所需要的驅(qū)動功率很小,主要是對其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容
2016-10-15 22:47:06
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
的效率。要做到這一點,電機控制電路必須很快地開關(guān)流向電機線圈的電流,在開關(guān)上面需要達到最小的切換時間或?qū)щ娖陂g的損失。 要滿足這些需求需要使用MOSFET和IGBT。這兩種半導(dǎo)體器件都可以用于電機驅(qū)動
2016-01-27 17:22:21
IGBT的驅(qū)動與保護電路研究:對電力電子功率器件IGBT的開關(guān)特性、驅(qū)動波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護方法進行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅(qū)動電路和一種典
2009-05-31 12:33:15
64 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動技術(shù)以及當(dāng)前市場上的各類成品驅(qū)動器的性能特點。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動電路
2009-04-02 23:36:18
2475 
PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件,都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動
2017-10-26 16:52:46
14 本文主要對逆變器等功率裝置的IGBT驅(qū)動電路進行研究,從門極驅(qū)動電壓、門極驅(qū)動電阻、驅(qū)動電路功率與IGBT的關(guān)系以及驅(qū)動保護等方面分析了驅(qū)動電路的設(shè)計。最后設(shè)計了以基于光電耦合器HCPL316J的驅(qū)動電路,計算了電路的參數(shù)。通過驅(qū)動實驗和短路保護實驗,驗證了設(shè)計的正確性。
2018-06-01 11:33:56
70 IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種電壓控制型功率器件,它所需驅(qū)動功率小,控制電路簡單,導(dǎo)通壓降低,且具有較大的安全工作區(qū)和短路承受能力。因此,目前IGBT已在中功率以上的電力電子系統(tǒng)中(如變頻器
2019-01-11 11:19:57
50 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:39
6332 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs,因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:55
5218 
、全控型器件和不可控型器件,其中晶閘管為半控型器件,承受電壓和電流容量在所有器件中最高;電力二極管為不可控器件,結(jié)構(gòu)和原理簡單,工作可靠;還可以分為電壓驅(qū)動型器件和電流驅(qū)動型器件,其中GTO、GTR為電流驅(qū)動型器件,IGBT、電力MOSFET為電壓驅(qū)動型器件
2022-12-08 14:48:34
1906 本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù),驅(qū)動器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:02
4024 
除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:00
16855 
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中,如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:24
13 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:38
21 和欠壓檢測是IPM中常見的三種自保護功能。在本文中,我們將研究該技術(shù)的一些基本概念,并了解IPM如何從可用的IGBT器件中提取最佳性能。 功率BJT,MOSFET和IGBT 功率BJT具有理想的導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)性能;但是,它們是電流控制的設(shè)備,需要復(fù)雜的基礎(chǔ)驅(qū)動電路。
2021-02-01 16:04:36
4505 
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時,驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動集成電路。
2021-02-08 17:38:00
9125 
ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC,還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器,再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:51
3305 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)在高功率應(yīng)用中,通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動功率晶體管,不使用專用驅(qū)動器一般都會導(dǎo)致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFET和IGBT由柵極驅(qū)動器IC驅(qū)動,尤其是IGBT,幾乎
2021-11-08 09:28:07
3125 速度比較快,因此關(guān)斷過程中不會產(chǎn)生負壓,但值得一提的是,在干擾較重的情況下,這一現(xiàn)象是有助于提高可靠性的。本文將針對IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)進行大致的介紹,幫助大家理解。...
2022-02-11 14:53:52
7 可靠性測試需求和發(fā)展趨勢,分享Siemens MicRed Power Tester功率循環(huán)測試解決方案以及一些案例,并利用專業(yè)的數(shù)據(jù)后處理軟件對這些案例分析和總結(jié)。 主要內(nèi)容: 1,分析功率器件(單管,平面式IGBT模塊,SiC Mosfet模塊)測試需求; 2,Rth熱測試介紹與數(shù)據(jù)后處理分析;
2022-10-21 17:15:54
4139 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件,用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極,對于IGBT,它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:12
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智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需的驅(qū)動電路和保護功能,以及IGBT。這樣,可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:14
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非隔離型柵極驅(qū)動器與功率元器件
2023-02-08 13:43:24
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本文的關(guān)鍵要點?IPM是“Intelligent Power Module”的縮寫,IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件單體(分立產(chǎn)品)與驅(qū)動電路、保護電路等電路的模塊的統(tǒng)稱。
2023-02-13 09:30:15
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IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級,市場空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件,由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)
管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,有
2023-02-15 16:26:32
41 功率MOSFET手冊-中文版201808-The_Power_MOSFET_漢...
2023-02-20 19:30:51
0 MOSFET之間驅(qū)動參數(shù)的實際差異。 參考資料:《IGBT以及MOSFET的驅(qū)動參數(shù)的計算方法》concept 1.模塊所需驅(qū)動功率的計算2.門級電荷說明3.峰值驅(qū)動電流公式4.輸出電壓擺幅的變化5.最大開
2023-02-22 14:45:39
18 說明:IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān),比如工作電流,電壓,驅(qū)動電阻。在出設(shè)計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動參數(shù)后(驅(qū)動電阻大小,驅(qū)動電壓等),開關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:54
11 SLM27517 單通道,高速,低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以有效地驅(qū)動MOSFET和IGBT功率開關(guān)。使用設(shè)計其固有地最小化擊穿電流,可以源匯高峰值電流脈沖轉(zhuǎn)換為電容性負載軌對軌驅(qū)動能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:22
2 半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型
2023-05-18 09:51:58
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森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:13
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功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān),今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:52
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費下載
2023-11-14 14:21:59
1 因IGBT具有電流拖尾效應(yīng),在關(guān)斷時要求更好的抗干擾性,需要負壓驅(qū)動。MOSFET速度比較快,關(guān)斷時可以沒有負壓,但在干擾較重時,負壓關(guān)斷對于提高可靠性有很大好處。
2023-11-14 15:07:32
5 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:15
0 的電能轉(zhuǎn)換為所需的功率輸出,以驅(qū)動各種負載。功率驅(qū)動芯片通常由功率晶體管、功率MOSFET、功率IGBT等功率器件組成,具有高效率、高可靠性、高集成度等特點。 工作原理 功率驅(qū)動芯片的工作原理主要包括以下幾個方面: (1)輸入
2024-07-17 14:44:50
2496 IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個,一是功率器件導(dǎo)通時,產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過程中產(chǎn)生的開關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:00
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柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降。IGBT的柵極驅(qū)動是其正常工作的關(guān)鍵,因為IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷都依賴于柵極電壓。 二、
2024-07-25 10:48:10
2970 N531是一款通用的功率開關(guān)控制器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,可以直接驅(qū)動IGBT,功率MOSFET,繼電器等功率開關(guān)。TO-94/SOT23-5封裝,簡單小巧特點可推 1200V 20A
2024-07-25 15:40:03
16 納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動 NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(滿足 AEC-Q100 標(biāo)準)和工規(guī)等級,可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。
2024-12-09 14:02:44
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。IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗特性和BJT的高電流承載能力,使其在功率控制領(lǐng)域脫穎而出。IGBT驅(qū)動光耦是一種基于光信號實現(xiàn)輸入與輸出電氣隔離的半導(dǎo)體器件。
2024-12-26 14:50:50
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納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動 NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(滿足 AEC-Q100 標(biāo)準)和工規(guī)等級,可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。
2025-01-24 15:44:06
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結(jié)構(gòu)與雙極性晶體管特性的復(fù)合型功率開關(guān)器件,兼具功率MOSFET的高速、高輸入阻抗與雙極性晶體管的低導(dǎo)通電阻性能。這使得IGBT在高壓、大電流功率變換應(yīng)用中成為主要的功率半導(dǎo)體器件。在電機控制器中,IGBT的主要作用是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動
2025-04-15 18:27:45
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隔離型門極驅(qū)動器,以卓越的電氣性能、多元的功能配置及廣泛的行業(yè)適用性,成為驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率器件的理想選擇。本文將深入解析其技術(shù)特性與應(yīng)用價值。 一、產(chǎn)品概述:高集成度與高可靠性的完美融合 BTD5350x 系列是專為高壓隔離場景設(shè)計的
2025-06-10 09:00:57
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35

在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點,適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景,能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:19
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2025-07-09 18:30:34

(典型值),采用SOW-18(寬體)封裝, 高達5000Vrms的隔離電壓,適用于于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42:59
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