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隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

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2018-06-01 11:33:5670

IGBT驅(qū)動的解決方案詳細資料說明

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種電壓控制型功率器件,它所需驅(qū)動功率小,控制電路簡單,導(dǎo)通壓降低,且具有較大的安全工作區(qū)和短路承受能力。因此,目前IGBT已在中功率以上的電力電子系統(tǒng)中(如變頻器
2019-01-11 11:19:5750

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332

常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動技術(shù)解析

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs,因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:555218

IGBT更好用的功率半導(dǎo)體器件都有哪些?

、全控型器件和不可控型器件,其中晶閘管為半控型器件,承受電壓和電流容量在所有器件中最高;電力二極管為不可控器件,結(jié)構(gòu)和原理簡單,工作可靠;還可以分為電壓驅(qū)動器件和電流驅(qū)動器件,其中GTO、GTR為電流驅(qū)動器件IGBT、電力MOSFET為電壓驅(qū)動器件
2022-12-08 14:48:341906

淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用

本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFETIGBT技術(shù),驅(qū)動器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:024024

什么是IGBT?功率半導(dǎo)體元器件的特點

 除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:0016855

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司 本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動隔離柵的耐受性能。 在高度可靠、高性能的應(yīng)用中,如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413

隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821

IPM如何從可用的IGBT器件中提取最佳性能?

和欠壓檢測是IPM中常見的三種自保護功能。在本文中,我們將研究該技術(shù)的一些基本概念,并了解IPM如何從可用的IGBT器件中提取最佳性能。 功率BJT,MOSFETIGBT 功率BJT具有理想的導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)性能;但是,它們是電流控制的設(shè)備,需要復(fù)雜的基礎(chǔ)驅(qū)動電路。
2021-02-01 16:04:364505

IGBTMOSFET隔離驅(qū)動有哪些類型

IGBTMOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時,驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動集成電路。
2021-02-08 17:38:009125

探究羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器以及超級結(jié)MOSFET PrestoMOS

ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC,還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器,以及分立功率器件IGBT功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器,再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:513305

功率器件驅(qū)動風(fēng)向?qū)⑹?b class="flag-6" style="color: red">隔離柵極驅(qū)動

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)在高功率應(yīng)用中,通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動功率晶體管,不使用專用驅(qū)動器一般都會導(dǎo)致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFETIGBT由柵極驅(qū)動器IC驅(qū)動,尤其是IGBT,幾乎
2021-11-08 09:28:073125

6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

速度比較快,因此關(guān)斷過程中不會產(chǎn)生負壓,但值得一提的是,在干擾較重的情況下,這一現(xiàn)象是有助于提高可靠性的。本文將針對IGBT以及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)進行大致的介紹,幫助大家理解。...
2022-02-11 14:53:527

功率器件Power Cycling測試與數(shù)據(jù)后處理分析

可靠性測試需求和發(fā)展趨勢,分享Siemens MicRed Power Tester功率循環(huán)測試解決方案以及一些案例,并利用專業(yè)的數(shù)據(jù)后處理軟件對這些案例分析和總結(jié)。 主要內(nèi)容: 1,分析功率器件(單管,平面式IGBT模塊,SiC Mosfet模塊)測試需求; 2,Rth熱測試介紹與數(shù)據(jù)后處理分析;
2022-10-21 17:15:544139

隔離式柵極驅(qū)動器:什么、為什么以及如何

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件,用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極,對于IGBT,它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:122921

BJT,MOSFETIGBT的智能功率模塊解析

智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需驅(qū)動電路和保護功能,以及IGBT。這樣,可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:144323

隔離型柵極驅(qū)動器與功率器件

隔離型柵極驅(qū)動器與功率器件
2023-02-08 13:43:24951

什么是IGBT IPM(Intelligent Power Module)?

本文的關(guān)鍵要點?IPM是“Intelligent Power Module”的縮寫,IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件單體(分立產(chǎn)品)與驅(qū)動電路、保護電路等電路的模塊的統(tǒng)稱。
2023-02-13 09:30:154016

IGBT功率半導(dǎo)體器件

IGBTMOSFET基礎(chǔ)上升級,市場空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件,由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng) 管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件,有
2023-02-15 16:26:3241

功率MOSFET手冊-中文版201808-The_Power_MOSFET_漢...

功率MOSFET手冊-中文版201808-The_Power_MOSFET_漢...
2023-02-20 19:30:510

IGBT和SiC MOSFET驅(qū)動參數(shù)的計算方法

MOSFET之間驅(qū)動參數(shù)的實際差異。 參考資料:《IGBT以及MOSFET驅(qū)動參數(shù)的計算方法》concept 1.模塊所需驅(qū)動功率的計算2.門級電荷說明3.峰值驅(qū)動電流公式4.輸出電壓擺幅的變化5.最大開
2023-02-22 14:45:3918

開關(guān)功率器件(MOSFET IGBT)損耗仿真方法

說明:IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān),比如工作電流,電壓,驅(qū)動電阻。在出設(shè)計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件驅(qū)動參數(shù)后(驅(qū)動電阻大小,驅(qū)動電壓等),開關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:5411

SLM27517能驅(qū)動MOSFETIGBT功率開關(guān)

SLM27517 單通道,高速,低側(cè)柵極驅(qū)動器件可以有效地驅(qū)動MOSFETIGBT功率開關(guān)。使用設(shè)計其固有地最小化擊穿電流,可以源匯高峰值電流脈沖轉(zhuǎn)換為電容性負載軌對軌驅(qū)動能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222

IGBTMOSFET該用誰?你選對了嗎?

半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFETIGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型
2023-05-18 09:51:586137

森國科推出大功率IGBT分立器件

森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:131041

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān),今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:524889

隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧

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2023-11-14 14:21:591

常用IGBTMOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)匯總

IGBT具有電流拖尾效應(yīng),在關(guān)斷時要求更好的抗干擾性,需要負壓驅(qū)動。MOSFET速度比較快,關(guān)斷時可以沒有負壓,但在干擾較重時,負壓關(guān)斷對于提高可靠性有很大好處。
2023-11-14 15:07:325

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150

功率驅(qū)動芯片的作用是什么

的電能轉(zhuǎn)換為所需功率輸出,以驅(qū)動各種負載。功率驅(qū)動芯片通常由功率晶體管、功率MOSFET功率IGBT等功率器件組成,具有高效率、高可靠性、高集成度等特點。 工作原理 功率驅(qū)動芯片的工作原理主要包括以下幾個方面: (1)輸入
2024-07-17 14:44:502496

IGBT功率器件功耗

IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個,一是功率器件導(dǎo)通時,產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過程中產(chǎn)生的開關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:001921

igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件

柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降。IGBT的柵極驅(qū)動是其正常工作的關(guān)鍵,因為IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷都依賴于柵極電壓。 二、
2024-07-25 10:48:102970

N531 推挽電路,可以直接驅(qū)動IGBT, 功率MOSFET

N531是一款通用的功率開關(guān)控制器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,可以直接驅(qū)動IGBT,功率MOSFET,繼電器等功率開關(guān)。TO-94/SOT23-5封裝,簡單小巧特點可推 1200V 20A
2024-07-25 15:40:0316

納芯微推出智能隔離柵極驅(qū)動器NSI67X0系列

納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動 NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動 SiC、IGBTMOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(滿足 AEC-Q100 標(biāo)準)和工規(guī)等級,可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。
2024-12-09 14:02:441721

IGBT驅(qū)動光耦:功率轉(zhuǎn)換的控制樞紐

。IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗特性和BJT的高電流承載能力,使其在功率控制領(lǐng)域脫穎而出。IGBT驅(qū)動光耦是一種基于光信號實現(xiàn)輸入與輸出電氣隔離的半導(dǎo)體器件。
2024-12-26 14:50:501152

高壓護航,性能領(lǐng)先!納芯微推出智能隔離驅(qū)動NSI67X0系列

納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動 NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動 SiC、IGBTMOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(滿足 AEC-Q100 標(biāo)準)和工規(guī)等級,可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。
2025-01-24 15:44:06873

電機控制中IGBT驅(qū)動為什么需要隔離?

結(jié)構(gòu)與雙極性晶體管特性的復(fù)合型功率開關(guān)器件,兼具功率MOSFET的高速、高輸入阻抗與雙極性晶體管的低導(dǎo)通電阻性能。這使得IGBT在高壓、大電流功率變換應(yīng)用中成為主要的功率半導(dǎo)體器件。在電機控制器中,IGBT的主要作用是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動
2025-04-15 18:27:451076

高性能隔離型門極驅(qū)動器 BTD5350x:開啟高效功率控制新維度

隔離型門極驅(qū)動器,以卓越的電氣性能、多元的功能配置及廣泛的行業(yè)適用性,成為驅(qū)動 MOSFETIGBT、SiC MOSFET 等功率器件的理想選擇。本文將深入解析其技術(shù)特性與應(yīng)用價值。 一、產(chǎn)品概述:高集成度與高可靠性的完美融合 BTD5350x 系列是專為高壓隔離場景設(shè)計的
2025-06-10 09:00:57628

用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35

MOSFETIGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

功率電子系統(tǒng)中,MOSFETIGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點,適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景,能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192440

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

充電樁中后級LLC用SiC MOSFET方案可用隔離驅(qū)動BTD25350

(典型值),采用SOW-18(寬體)封裝, 高達5000Vrms的隔離電壓,適用于于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42:59

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