引言

　　隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)損耗低及工作頻率高等特點(diǎn)，而越來(lái)越多地應(yīng)用到工作頻率為幾十kHz以下，輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環(huán)節(jié)就是高性能的過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。專用驅(qū)動(dòng)模塊都帶有過(guò)流保護(hù)功能。一些分立的驅(qū)動(dòng)電路也帶有過(guò)電流保護(hù)功能。在工業(yè)應(yīng)用中，一般都是利用這些瞬時(shí)過(guò)電流保護(hù)信號(hào)，通過(guò)觸發(fā)器時(shí)序邏輯電路的記憶功能，構(gòu)成記憶鎖定保護(hù)電路，以避免保護(hù)電路在過(guò)流時(shí)的頻繁動(dòng)作，實(shí)現(xiàn)可取的過(guò)流保護(hù)。本文分析了大功率可控整流電壓型逆變器中封鎖驅(qū)動(dòng)及整流拉逆變式雙重保護(hù)電路結(jié)構(gòu)。

　　IGBT失效原因和保護(hù)方法

　　IGBT失效原因分析

　　引起IGBT失效的原因有：

　　1）過(guò)熱損壞集電極電流過(guò)大引起的瞬時(shí)過(guò)熱及其它原因，如散熱不良導(dǎo)致的持續(xù)過(guò)熱均會(huì)使IGBT損壞。如果器件持續(xù)短路，大電流產(chǎn)生的功耗將引起溫升，由于芯片的熱容量小，其溫度迅速上升，若芯片溫度超過(guò)硅本征溫度（約250℃），器件將失去阻斷能力，柵極控制就無(wú)法保護(hù)，從而導(dǎo)致IGBT失效［1］。實(shí)際運(yùn)行時(shí)，一般最高允許的工作溫度為130℃左右。

　　2）超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)，其等效電路如圖1所示。體內(nèi)存在一個(gè)寄生晶閘管，在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間并有一個(gè)體區(qū)擴(kuò)展電阻Rs，P型體內(nèi)的橫向空穴電流在Rs上會(huì)產(chǎn)生一定的電壓降，對(duì)NPN基極來(lái)說(shuō)，相當(dāng)于一個(gè)正向偏置電壓。在規(guī)定的集電極電流范圍內(nèi)，這個(gè)正偏置電壓不大，對(duì)NPN晶體管不起任何作用。當(dāng)集電極電流增大到一定程度時(shí)，該正向電壓足以使NPN晶體管開(kāi)通，進(jìn)而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài)。于是，寄生晶閘管導(dǎo)通，門極失去控制作用，形成自鎖現(xiàn)象，這就是所謂的靜態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后，集電極電流增大，產(chǎn)生過(guò)高功耗，導(dǎo)致器件失效。動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)主要是在器件高速關(guān)斷時(shí)電流下降太快，dvCE/dt很大，引起較大位移電流，流過(guò) Rs，產(chǎn)生足以使NPN晶體管開(kāi)通的正向偏置電壓，造成寄生晶閘管自鎖［2］。

　　3）瞬態(tài)過(guò)電流IGBT在運(yùn)行過(guò)程中所承受的大幅值過(guò)電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過(guò)電流雖然持續(xù)時(shí)間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負(fù)擔(dān)，也可能會(huì)導(dǎo)致IGBT失效。

　　4）過(guò)電壓造成集電極發(fā)射極擊穿。

　　5）過(guò)電壓造成柵極發(fā)射極擊穿。整流拉逆變式組合保護(hù)方案

　　IGBT保護(hù)方法

　　當(dāng)過(guò)流情況出現(xiàn)時(shí)，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)（SCSOA）內(nèi)。IGBT承受短路的時(shí)間與電源電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障造成IGBT損壞，必須有完善的故障檢測(cè)與保護(hù)環(huán)節(jié)。一般的檢測(cè)方法分為電流傳感器和IGBT欠飽和式保護(hù)。

　　1）封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)

　　在逆變電源的負(fù)載過(guò)大或輸出短路的情況下，通過(guò)逆變橋輸入直流母線上的電流傳感器進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)檢測(cè)電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí)，保護(hù)動(dòng)作封鎖所有橋臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這種保護(hù)方法最直接，但吸收電路和箝位電路必須經(jīng)特別設(shè)計(jì)，使其適用于短路情況。這種方法的缺點(diǎn)是會(huì)造成IGBT關(guān)斷時(shí)承受應(yīng)力過(guò)大，特別是在關(guān)斷感性超大電流時(shí)，必須注意擎住效應(yīng)。

　　2）減小柵壓

　　IGBT的短路電流和柵壓有密切關(guān)系，柵壓越高，短路時(shí)電流就越大。在短路或瞬態(tài)過(guò)流情況下若能在瞬間將vGS分步減少或斜坡減少，這樣短路電流便會(huì)減小下來(lái)，當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)，di/dt也減小。集成驅(qū)動(dòng)電路如EXB841或M579xx系列都有檢測(cè)vCES電路，當(dāng)發(fā)現(xiàn)欠飽和時(shí)，柵壓箝位到10V左右，增大vCES，限制過(guò)電流幅值，延長(zhǎng)允許過(guò)流時(shí)間。短路允許時(shí)間tsc和短路電流Isc同柵極電壓vG的關(guān)系如圖2所示。