RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2012-09-27 09:17:24
5423 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出完整、經(jīng)濟(jì)高效的 Ka 波段砷化鎵 (GaAs) 射頻芯片組
2012-10-17 15:10:462424 目前正在研發(fā)、將來終將成為主流射頻收發(fā)器的CMOS射頻電路的體系結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)實(shí)例將展示CMOS射頻電路的良好性能，并預(yù)示CMOS射頻集成電路取代砷化鎵和SiGe電路實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成。
2014-10-09 14:02:552245 
盡管存在硅的競(jìng)爭(zhēng)，但無線通信的需求將繼續(xù)推動(dòng)砷化鎵市場(chǎng)發(fā)展。
2016-01-07 08:19:552343 氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。本文聚焦于 Ga2O3射頻器件
2025-06-11 14:30:062164 
全球無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體的市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)，從2011年的大約2.05億美元達(dá)到2015年約為3.2億美元。
2011-08-30 08:53:081270 手機(jī)上還不現(xiàn)實(shí)，但業(yè)界還是要關(guān) 注射頻氮化鎵技術(shù)的發(fā)展?！芭c砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性
2016-08-30 16:39:28
組件策略轉(zhuǎn)向砷化鎵制程，將使得宏捷科、穩(wěn)懋等代工廠有機(jī)會(huì)受益，至于對(duì)臺(tái)積電的影響則有待觀察。
高通CEO Steve Mollenkopf回應(yīng)時(shí)表示，與TDK合作推出的“gallium arsenide
2019-05-27 09:17:13
SiC器件的50%至70%?？捎眯?–砷化鎵作為一種材料已經(jīng)在射頻應(yīng)用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導(dǎo)體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個(gè)來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術(shù)的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，都是用來偵測(cè)故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達(dá) 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率
2025-08-25 10:06:43
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
°C常規(guī)芯片F(xiàn)HC30LG砷化鎵晶體管FHC40LG砷化鎵晶體管FHX04LG砷化鎵晶體管FHX04X砷化鎵晶體管FHX06X砷化鎵晶體管FHX13LG砷化鎵晶體管FHX13X砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產(chǎn)品介紹FHX45X詢價(jià)熱FHX45X現(xiàn)貨王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
耗盡型半導(dǎo)體技術(shù)為碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、硅基氮化鎵（GaN on Si）、砷化鎵（GaAs）射頻功率晶體管或模塊提供準(zhǔn)確的柵極電壓和脈沖漏極電壓。射頻功率 - 硅雙極單元和模塊
2017-08-14 14:41:32
Higham表示：“一旦高功率射頻半導(dǎo)體產(chǎn)品攻破0.04美元/瓦難關(guān)，射頻能量市場(chǎng)將會(huì)迎來大量機(jī)會(huì)。在商用微波爐、汽車照明和點(diǎn)火、等離子照明燈等設(shè)備市場(chǎng)，射頻能量器件出貨量可能在數(shù)億規(guī)模，銷售額可達(dá)
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
大批量生產(chǎn)并交付其他七種RFeIC。這將使RFaxis的供貨范圍拓展到更廣的無線/射頻領(lǐng)域。RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2020-06-04 17:20:31
SGK1314-30A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1314-30A報(bào)價(jià)SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨詢熱SGK1314-30A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK5254-120A-R報(bào)價(jià)SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨詢熱SGK5254-120A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-08-13 10:23:05
SGM6901VU砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGM6901VU報(bào)價(jià)SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
TGF2040砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2040報(bào)價(jià)TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報(bào)價(jià)TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對(duì)10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動(dòng)汽車充電
2023-02-21 16:27:41
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
請(qǐng)問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機(jī)和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導(dǎo)體的摻雜溝道導(dǎo)電，而是通過在兩個(gè)帶隙不同的半導(dǎo)體
2023-02-27 15:46:36
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
納秒級(jí)脈寬砷化鎵激光器陳列:報(bào)導(dǎo)砷化鎵激光器陣列的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。該陣列光束的脈寬約0.7~5ns，近場(chǎng)光斑面積約100mm×6mm;已被用于觸發(fā)高功率電磁脈沖發(fā)生器中的半導(dǎo)體
2009-10-27 10:05:34
11 高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件-JM8630 替代HG-166A 產(chǎn)品描述：JM8630是一款高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件，可替代旭化成HG-166A。砷化鎵（GaAs
2023-03-09 17:42:14
本文在LabVIEW 8.2 開發(fā)環(huán)境下，通過對(duì)反射式高能電子衍射儀(RHEED)原理及樣品砷化鎵GaAs(001)_ａ(2×4)結(jié)構(gòu)模型的表面原子結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入探究，編程設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了理論情況下的GaAs(001)_
2009-12-14 15:48:5811 SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關(guān)
2023-04-18 15:19:22
本文介紹目前正在研發(fā)、將來終將成為主流射頻收發(fā)器的CMOS射頻電路的體系結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)實(shí)例將展示CMOS射頻電路的良好性能，并預(yù)示CMOS射頻集成電路取代砷化鎵和SiGe電路
2010-06-05 11:43:1819 Strategy Analytics：砷化鎵和磷化銦支撐光纖網(wǎng)絡(luò)高增長(zhǎng)，模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至4.92億美元
Strategy Analytics 發(fā)布最新研究報(bào)告“光纖模擬芯片市場(chǎng)機(jī)會(huì)：2
2009-08-11 08:30:401063 模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十八節(jié):砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
4.2 砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
砷化鎵（G
2009-09-17 10:43:251376 
1、什么是砷化鎵三五族太陽能電池
太陽能電池(Solar Cell)可大致分為三代，第一代為硅晶電池，又可大致分為單晶硅與多晶硅兩種，商業(yè)應(yīng)用之歷史最悠久，已被廣泛應(yīng)用
2010-09-14 18:17:546079 文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)
2011-04-20 11:55:501539 文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。
2011-06-29 09:34:372392 美國(guó)伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法
2012-01-07 11:47:281882 類似矽制程技術(shù)中的BJT與CMOS，砷化鎵制程技術(shù)主要區(qū)分為HBT（異質(zhì)接面雙極性晶體管）與pHEMT（異質(zhì)接面高電子遷移率晶體管）兩大主軸，并被廣泛應(yīng)用于商用與先進(jìn)無線通訊中的關(guān)鍵零組件。以下針對(duì)
2017-09-20 15:03:246 （二）砷化鎵單晶制備方法及原理 從20世紀(jì)50年代開始，已經(jīng)開發(fā)出了多種砷化鎵單晶生長(zhǎng)方法。目前主流的工業(yè)化生長(zhǎng)工藝包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直
2017-09-27 10:30:4244 砷化鎵射頻（RF）元件憑藉著優(yōu)異的雜訊處理及高線性等特色，成為高效能通訊設(shè)備開發(fā)人員長(zhǎng)久以來的首選方案；然而，近來隨著絕緣層覆矽（SOI）制程技術(shù)的突破，以矽材料為基礎(chǔ)的RF元件性能已大幅突破，成為
2017-11-08 15:46:540 和射頻收發(fā)等關(guān)鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的單芯片手機(jī)的最后堡壘。
2017-12-11 16:05:026334 
砷化鎵射頻（RF）元件憑藉著優(yōu)異的雜訊處理及高線性等特色，成為高效能通訊設(shè)備開發(fā)人員長(zhǎng)久以來的首選方案；然而，近來隨著絕緣層覆矽（SOI）制程技術(shù)的突破，以矽材料為基礎(chǔ)的RF元件性能已大幅突破，成為替代砷化鎵方案的新選擇。
2018-04-22 11:51:002661 PA/MMPA) ,使得出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)替代危機(jī)。 但到了2013年后，壓抑產(chǎn)業(yè)的不利因子逐漸消失淡化(因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">高通與Skyworks推出Si制程MMPA , CMOS PA , 主打高性價(jià)比策略) 。
2018-03-09 18:08:0025741 
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料
2018-03-01 14:55:4545808 TrimQuT TGL2207是一種高功率、寬帶MMIC砷化鎵VPIN限幅器，能夠保護(hù)敏感的接收通道組件不受高功率入射信號(hào)的影響。該TGL2207不需要直流偏置，并實(shí)現(xiàn)了低插入損耗都在一個(gè)小的形狀因子。這些特性允許簡(jiǎn)單的集成，對(duì)系統(tǒng)性能的影響最小。
2018-07-30 11:30:005 TrimQuT TGL2205是一種高功率、寬帶MMIC砷化鎵VPIN限幅器，能夠保護(hù)敏感的接收信道部件不受高功率入射信號(hào)的影響。該TGL2205不需要直流偏置，并實(shí)現(xiàn)了低插入損耗都在一個(gè)小的形狀因子。這些特性允許簡(jiǎn)單的集成，對(duì)系統(tǒng)性能的影響最小。
2018-07-27 11:30:004 據(jù)悉，近日，漢能砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國(guó)弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）認(rèn)證，漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到29.1%，再次刷新世界紀(jì)錄。
2018-11-19 15:31:477945 公司主要從事砷化鎵微波集成電路 （GaAs MMIC）晶圓之代工業(yè)務(wù)，提供HBT、pHEMT微波集成電路／離散元件與后端制程的晶圓代工服務(wù)，應(yīng)用于高功率基地臺(tái)、低雜訊放大器（LNA）、射頻切換器（RF Switch）、手機(jī)及無線區(qū)域網(wǎng)路用功率放大器 （ PA ）與雷達(dá)系統(tǒng)上。
2018-12-27 17:48:3112318 EV集團(tuán)與中芯寧波攜手，實(shí)現(xiàn)砷化鎵射頻前端模組晶圓級(jí)微系統(tǒng)異質(zhì)集成 中芯寧波特有的晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成技術(shù)(uWLSI)與EV集團(tuán)的晶圓鍵合和光刻系統(tǒng)相結(jié)合，為4G/5G手機(jī)提供最緊湊的射頻前端芯片組
2019-03-20 14:00:412493 近日消息，研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告指出，由于現(xiàn)行射頻前端元件制造商依手機(jī)通信元件功能需求，逐漸以砷化鎵（GaAs）晶圓作為元件的制造材料，加上5G布建逐步展開，射頻元件使用量較4G時(shí)代倍增，預(yù)期GaAs射頻元件市場(chǎng)將自2020年起進(jìn)入新一波成長(zhǎng)期。
2019-07-09 11:37:234289 我們現(xiàn)在之所以能夠通過Wi-Fi或移動(dòng)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)無線上網(wǎng)，就是因?yàn)槭謾C(jī)上的無線通訊模組，而其中關(guān)鍵的射頻元件，則是以砷化鎵材料所制作的功率放大器（PA），甚至連發(fā)射到太空中的人造衛(wèi)星上，也都裝配著穩(wěn)懋半導(dǎo)體生產(chǎn)的砷化鎵芯片。
2020-08-31 10:45:578280 根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，2019年下游GaAs元件的市場(chǎng)總產(chǎn)值為88.7億美元，預(yù)計(jì)到2023年，全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到142.9億美元，2019-2024年GAGR為10%。 此處下游GaAs
2020-10-09 10:34:425020 實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪
2020-12-30 10:27:582922 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供氮化鎵、砷化鎵和LDMOS將共存嗎？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:42:117 HMC788A：0.01千兆赫至10千兆赫，單片集成電路，砷化鎵，PHEMT射頻增益擋路數(shù)據(jù)表
2021-04-23 14:53:3910 半導(dǎo)體合格測(cè)試報(bào)告：砷化鎵SD-A(QTR：2014-00094)
2021-04-24 19:00:0310 砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述
2021-08-09 16:39:520 、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鎵、銦、鋁、磷或砷。在這一點(diǎn)上，作為我們?nèi)A林科納研究的重點(diǎn)，GaAs晶圓是一個(gè)很好的候選，它可以成為二極管等各種技術(shù)器件中最常見的襯底之一。 襯底表面對(duì)實(shí)現(xiàn)高性能紅外器件和高質(zhì)量薄膜層起著重要作用
2022-01-19 11:12:222382 
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣，氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)未來的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨大作用。不過，它并不是一劑“靈丹妙藥”，其他技術(shù)仍然可以發(fā)揮重要作用。
2022-03-22 13:01:546364 在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過外延生長(zhǎng)的手段長(zhǎng)出不同的材料膜層結(jié)構(gòu)。
2022-04-07 15:32:577548 
砷化鎵集成單刀雙擲開關(guān)AS179-92LF英文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-04-12 15:00:575 砷化鎵可在一塊芯片上同時(shí)處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計(jì)算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314398 對(duì)于做激光應(yīng)用的砷化鎵基板，晶向有很重要的應(yīng)用。關(guān)乎了激光芯片的成品質(zhì)量和合格率，通過在wafer上劃片，劈裂
2022-11-10 10:54:544756 砷化鎵是發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長(zhǎng)的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計(jì)，典型代表是VCSEL（垂直腔表面發(fā)射激光器），廣泛應(yīng)用在短距離數(shù)據(jù)中心光纖通信，TOF人臉識(shí)別等。
2022-11-30 09:35:3814208 HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關(guān)，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
2023-01-31 16:50:481591 砷化鎵太陽能電池最大效率預(yù)計(jì)可以達(dá)到23%～26%，它是目前各種類型太陽能電池中效率預(yù)計(jì)最高的一種。砷化鎵太陽能電池抗輻射能力強(qiáng)，并且能在比較高的溫度環(huán)境中工作。
2023-02-08 16:02:0718194 
砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導(dǎo)體材料。砷化鎵（化學(xué)式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導(dǎo)體材料，用來制作微波集成電路、紅外線發(fā)光二極管
2023-02-14 16:07:3810056 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，因此在電子器件的制造中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-02-14 17:14:473761 砷化鎵二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由砷化鎵（GaAs）材料制成，具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應(yīng)速度。砷化鎵二極管的原理是，當(dāng)電壓施加到砷化鎵二極管的兩個(gè)極性時(shí)，電子和空穴就會(huì)在砷化鎵材料中遷移，從而產(chǎn)生電流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化鎵（GaAs）是一種半導(dǎo)體材料，它是由鎵（Ga）和砷（As）組成的化合物，具有較高的電子遷移率和較低的漏電流，因此在電子器件中有著廣泛的應(yīng)用。
2023-02-16 15:28:514881 砷化鎵是第三代半導(dǎo)體，它是在第二代半導(dǎo)體的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，具有更高的電子遷移率、更高的熱導(dǎo)率、更高的光學(xué)性能、更高的熱穩(wěn)定性、更高的電磁屏蔽性能和更高的耐腐蝕性。
2023-02-16 15:59:542891 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量。
2023-02-20 16:32:248892 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 占據(jù)強(qiáng)勢(shì)地位的IDM公司，比如Qorvo和Skyworks，持續(xù)丟失中國(guó)國(guó)內(nèi)和三星的射頻前端份額，必然會(huì)導(dǎo)致這類美系IDM公司縮小砷化鎵晶圓廠產(chǎn)出規(guī)模。
2023-02-22 15:03:181958 砷化鎵晶圓的材料特性砷化鎵(GaAs)是國(guó)際公認(rèn)的繼“硅”之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，作為第二代半導(dǎo)體材料中價(jià)格昂貴的一種，被
2022-10-27 11:35:396453 
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810908 砷化鎵芯片的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長(zhǎng)技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對(duì)成熟和簡(jiǎn)單，可以使用大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)進(jìn)行批量制造。
2023-07-03 16:19:5310675 目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應(yīng)用于軍事、無線和空間通信系統(tǒng)。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔，這些MMICs的性能顯著提高。
2023-07-13 15:55:021320 
上海伯東美國(guó) Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運(yùn)輸以及儲(chǔ)存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
2023-12-14 16:30:151648 首期項(xiàng)目斥資15億人民幣，致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)在2025年7月開始試運(yùn)行，此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)，年產(chǎn)量設(shè)置為6萬片。
2024-02-28 16:38:562860 氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二元對(duì)立問題，因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)
2024-09-02 11:37:167233 CHA5659-98F/CHA5659-QXG是法國(guó)UMS公司推出的四級(jí)單片砷化鎵（GaAs）高功率放大器，專為36-43.5GHz毫米波頻段設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的0.15μm pHEMT工藝制造，在K波段衛(wèi)星通信和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電系統(tǒng)中展現(xiàn)卓越性能。
2025-03-07 16:24:081114 
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