5.2.2變壓器設(shè)計

　　首先確定初級電感量，電感的大小與最小開關(guān)頻率的確定有關(guān)，最小開關(guān)頻率發(fā)生在輸入電壓最小且滿載的時候，由公式推導(dǎo)有：

　　其中Ko 定義為輸入電壓峰值與反射電壓的比值，即

　　一般說來Ko越大PF 值會越低，總的THD%會越高。

　　確定初級電感量LP后，就該選擇變壓器磁芯了，可以參考公式AP=AE×AW選取，然后根據(jù)選定的磁芯，確定初級最小繞線圈數(shù)Npmin來避免變壓器飽和，參考公式：

　　然后確定次級繞組匝數(shù)，初次級的匝比由VRO決定：

　　同理推導(dǎo)并根據(jù)規(guī)格書定義的Vcc電壓可以得出Vcc繞組的匝數(shù)，LD7830的Vcc典型值設(shè)定在16V。

　　定義：

　　LP：初級電感量

　　NP：初級匝數(shù)

　　IPKP：初級峰值電流

　　BM：最大磁通飽和密度

　　AE：磁芯截面積

　　Po：輸出功率

　　5.2.3 初級吸收回路設(shè)計

　　當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，由于變壓器漏感的存在，在MOSFET的漏端會出現(xiàn)一個電壓尖峰，過大的電壓加到MOS管的D極會引起MOS擊穿，而且會對EMI造成影響，所以要增加吸收回路來限制漏感尖峰電壓。典型的RCD吸收回路如圖三所示：

　　圖三

　　RCD回路的工作原理是：當(dāng)MOSFET的漏端電壓大于吸收回路二極管D1陰極電壓時，二極管D1導(dǎo)通，吸收漏感的電流從而限制漏感尖峰電壓。設(shè)計中，緩沖電容C1兩端的電壓Vsn要設(shè)定得比反射電壓VRO高50--100V，如圖四所示，稱為漏感電壓ΔV， Vsn不能設(shè)計太低，設(shè)計太低將增加RCD吸收回路功耗。緩沖電容C1的設(shè)計根據(jù)能量平衡，

　　圖四

　　IPKPMAX為全電壓范圍內(nèi)IPKP的最大值，緩沖電容C1SN要承受大電流尖峰，要求其等效串聯(lián)電阻ESR很小，R1根據(jù)功耗選擇合適的W數(shù)，阻值一般在47K-120K之間，

　　，吸收回路二極管D1通常選擇快恢復(fù)二極管，且導(dǎo)通時間也要求快，反向擊穿電壓要求大于選擇的MOSFET 的擊穿電壓BVDSS，一般在65W以下應(yīng)用場合選用額定電流1A的快恢復(fù)二極管作為吸收回路二極管。