絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開關(guān)損耗的同時(shí)，還要同時(shí)具備一定的抗短路能力。短路時(shí)，如果發(fā)生短路振蕩（SCOs）現(xiàn)象，IGBT的抗
2025-08-07 17:09:25
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在基區(qū)N-進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，從而降低IGBT在大電流條件下的導(dǎo)通壓降。 IGBT通過其FET結(jié)構(gòu)控制在基區(qū)的載流子（電子和空穴），從而控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷。
2023-01-17 13:59:2922077 
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。
2023-03-15 09:23:392765 ? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時(shí)的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個(gè)換流回路（條紋區(qū)域內(nèi)）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:185629 
在IGBT模塊的使用過程中，關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓，特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 10:15:162706 
至此，我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲(chǔ)變化，而電荷對(duì)時(shí)間的變化率即對(duì)應(yīng)電流。
2023-12-01 14:06:371397 
BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí)，熱關(guān)斷電路將啟動(dòng)，會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號(hào)。
2025-03-06 14:14:191464 
。所以用戶最好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)要求 對(duì)于大功率IGBT，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路
2012-07-25 09:49:08
，還有一個(gè)時(shí)間為開通延遲時(shí)間td.on:td.on=Ton-Tr.i IGBT在關(guān)斷過程 IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。第一段是按照MOS管關(guān)斷的特性的 第二段是在MOSFET關(guān)斷
2011-08-17 09:26:02
IGBT關(guān)斷尖峰電壓抑制方法的研究
2013-06-11 16:00:20
關(guān)斷波形如下所示，然后管子就壞了，求解
2017-07-14 13:41:21
6us內(nèi)關(guān)斷，不過驅(qū)動(dòng)芯片有DESAT腳，無IGBT下測試，生效時(shí)間6us內(nèi)。)于是想先在低壓下同樣操作看異常波形在哪。目前在50V母線電壓情況下做關(guān)斷，測出有下面這樣的波形，從C極關(guān)斷時(shí)候的高壓看
2019-07-04 21:27:32
器件，在這里可以理解為一種利用電信號(hào)（電流/電壓）控制開關(guān)斷的開關(guān)器件，不同于機(jī)械開關(guān)，它的開關(guān)速度非?？?。三個(gè)修飾詞“絕緣、柵、雙極性”的核心關(guān)鍵詞在“柵極”和“雙極性”上?！皷艠O”意味著IGBT是個(gè)
2023-02-10 15:36:04
）；2、通過觀察IGBT的柵極波形，評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板是否能為IGBT開啟提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流；3、獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon與Rgoff的選擇是否合適；4、觀察開通、關(guān)斷
2019-09-11 09:49:33
90kW變頻器，當(dāng)電流達(dá)到110A以上時(shí)，IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，出現(xiàn)這個(gè)波形，請(qǐng)問是怎么回事？在110A以下就不出現(xiàn)。這是IGBT Vce的電壓波形，當(dāng)關(guān)斷的時(shí)候還要再開通一下，這樣不就很容易上下橋直通了嗎？這是怎么回事呢？是米勒效應(yīng)導(dǎo)致的嗎？如何解決呢？
2017-07-24 10:06:32
上次我們討論了IGBT關(guān)斷過程中門極電壓對(duì)載流子的控制過程，得出結(jié)論：通過門極電阻改善IGBT關(guān)斷特性并不理想，主要因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT是雙極性器件，我們控制門極電壓實(shí)際上控制的是注入到N-基區(qū)的電子電流
2023-02-13 16:20:01
和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT失效機(jī)理：IGBT由于上述原因發(fā)生短路，將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流——在關(guān)斷時(shí)電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在，將導(dǎo)致IGBT集電極
2020-09-29 17:08:58
的均衡措施。用相關(guān)的試驗(yàn)證實(shí)一些分析結(jié)論。關(guān)鍵詞：IGBT并聯(lián)、靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電流、均衡措施1 引言隨著市場對(duì)兆瓦級(jí)大功率變流器的需求與日俱增，IGBT并聯(lián)方案目前已成為一種趨勢。 這主要源于IGBT并聯(lián)
2018-12-03 13:50:08
管并聯(lián)方案的時(shí)候也很好用?！ Gext：由工程師設(shè)置，包含Rgon（開通電阻）和Rgoff（關(guān)斷電阻），一般在設(shè)計(jì)時(shí)通過不同的充放電回路來設(shè)置不同的Rgon和Rgoff；柵極電阻對(duì)IGBT的開關(guān)
2021-02-23 16:33:11
電感上的尖峰，實(shí)際上此時(shí)IGBT真實(shí)的門極電壓Vge為0。開通的時(shí)候存在電壓尖峰，關(guān)斷的時(shí)候也會(huì)存在，道理同上。大家仔細(xì)看一下圖1b中綠色的門極關(guān)斷波形，也會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)下垂的小尖峰。
2021-04-26 21:33:10
關(guān)斷IGBT的觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。 IGBT散熱器模塊的過流檢測 (2)、驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有保護(hù)功能。如日本英達(dá)公司的HR065、富士電機(jī)的EXB840～844、三菱公司的M57962L等，是集驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
2012-06-19 11:26:00
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)
2021-09-09 07:16:43
=0或者負(fù)電壓時(shí)（負(fù)電壓作用：可靠關(guān)斷），IGBT斷開?！ 〕Ｒ姷挠?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管和IGBT模塊兩種結(jié)構(gòu)。 2.IGBT主要參數(shù) ?、偌姌O—射極電壓（VCE）：截止?fàn)顟B(tài)下集電極與發(fā)射極之間
2021-01-20 16:16:27
。在額定電壓下關(guān)斷箝位電感電流的能力強(qiáng)于PT型IGBT。因此，PT型IGBT不適用于電感負(fù)載電路和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等電路，而且短路持續(xù)時(shí)間TSC較短，一般不給出短路安全工作區(qū)。所以，NPT型IGBT的可靠性高于
2017-03-16 21:43:31
電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N 一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+基極
2018-10-18 10:53:03
開啟IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級(jí)和電流大小，那么IGBT的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是否相同，如果不相同，哪個(gè)時(shí)間更長一些？并且，在設(shè)計(jì)IGBT
2024-02-25 11:06:01
、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡單、熱溫度性好的優(yōu)點(diǎn)，又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)．是取代GTR的理想開關(guān)器件。IGBT目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。IGBT的工作
2012-07-18 14:54:31
，在第二個(gè)尖峰達(dá)到最大點(diǎn)之后CE電壓快速下降至母線電壓的一半，因?yàn)槭巧舷聵虻?b class="flag-6" style="color: red">IGBT各分擔(dān)一半電壓。請(qǐng)問CE的電壓波形為什么會(huì)有兩個(gè)尖峰，是由什么造成的，是驅(qū)動(dòng)電壓的原因還是什么，如果是驅(qū)動(dòng)電壓關(guān)斷時(shí)的原因，那么是關(guān)斷時(shí)的密勒效應(yīng)影響的嗎？
2024-02-25 11:31:12
逆變器，用的一個(gè)橋臂IGBT模塊，IGBT驅(qū)動(dòng)波形下管負(fù)壓關(guān)斷時(shí)有上升尖峰，請(qǐng)問有沒有辦法可以抑制？圖中黃色是下管驅(qū)動(dòng)波形，藍(lán)色是上管驅(qū)動(dòng)波形。
2024-04-03 11:20:11
給輸入側(cè)，以便于采取相應(yīng)的解決措施。在IGBT關(guān)斷時(shí)，其C～E極兩端的電壓必定是超過7V的，但此時(shí)，過流檢測電路失效，HCPL-316J芯片不會(huì)報(bào)故障信號(hào)。實(shí)際上，由于二極管的管壓降，在IGBT的C～E
2009-09-04 11:37:02
耦反饋給輸入側(cè)，以便于采取相應(yīng)的解決措施。在IGBT關(guān)斷時(shí)，其C～E極兩端的電壓必定是超過7V的，但此時(shí)，過流檢測電路失效，HCPL-316J芯片不會(huì)報(bào)故障信號(hào)。實(shí)際上，由于二極管的管壓降，在IGBT
2012-09-09 12:22:07
VCE為15V，IGBT導(dǎo)通。當(dāng)HCPL-316J輸出端VOUT輸出為低電平時(shí)，上管(T1)截止，下管(T1)導(dǎo)通，VCE為-9V，IGBT關(guān)斷。以上就是IGBT的開通關(guān)斷過程。
2008-10-21 09:38:53
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外
2018-08-27 20:50:45
本人最近利用Multisim軟件在做一個(gè)全橋逆變電路，用到里面自帶的IGBT模塊，按說明文檔驅(qū)動(dòng)電壓為±20V，然而給定驅(qū)動(dòng)脈沖，IGBT并未正常開通、關(guān)斷，本人用到的脈沖發(fā)生模塊為Sources下
2012-12-08 10:24:05
開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些
2017-04-15 15:48:51
不間斷電源中IGBT關(guān)斷吸收電路資料，給大家分享一下！
2013-04-06 02:13:12
畫出了IGBT一個(gè)橋臂的典型結(jié)構(gòu)。在正常運(yùn)行時(shí)，兩個(gè)IGBT將依次開通和關(guān)斷。如果兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通，則電流急劇上升，此時(shí)的電流將僅由直流環(huán)路的雜散電感決定。圖1 電壓源逆變器的典型結(jié)構(gòu)當(dāng)然， 沒有誰故意使兩個(gè)
2019-04-23 08:00:00
`如題這是IR芯片的HO的控制信號(hào)這是我用一個(gè)2K電阻串IGBT后接5v電壓測試電阻電壓圖IGBT關(guān)斷時(shí)間差不多200個(gè)us了IGBT手冊(cè)里給的 關(guān)斷總的時(shí)間不超過500ns `
2015-11-30 17:22:32
幾種IGBT短路保護(hù)電路圖7是利用IGBT過流時(shí)Vce增大的原理進(jìn)行保護(hù)的電路，用于專用驅(qū)動(dòng)器EXB841。EXB841內(nèi)部電路能很好地完成降柵及軟關(guān)斷，并具有內(nèi)部延遲功能，以消除干擾產(chǎn)生的誤動(dòng)作
2009-01-21 13:06:31
IGBT的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路IGBT在電磁振蕩中的應(yīng)用
2021-04-08 06:35:30
降低相關(guān)的開關(guān)損耗，以獲得較高的有效輸出電流。因此，需要對(duì)IGBT的關(guān)斷特性進(jìn)行優(yōu)化，達(dá)到適用于較低損耗的快速dIc/dt。但系統(tǒng)很容易會(huì)發(fā)生振蕩，并且硬開關(guān)行為會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的電磁干擾問題，因此需將換向
2018-12-06 10:05:40
開關(guān)電源MOS管關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的阻尼振蕩該如何降低呢？
2023-05-09 14:54:06
， 功率大于5kW的應(yīng)用場合具有很大優(yōu)勢。在全橋逆變電路中， IGBT是核心器件， 它可在高壓下導(dǎo)通， 并在大電流下關(guān)斷， 故在硬開關(guān)橋式電路中， 功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用
2011-09-08 10:12:26
IGBT的對(duì)比 雖然NPT（非穿通）IGBT通過減少關(guān)斷過渡期間少數(shù)載流子注入量并提高復(fù)合率而提高了開關(guān)速度，但由于VCE（sat）較高而不適合某些大功率應(yīng)用，因?yàn)槠鋘-襯底必須輕度摻雜，結(jié)果在關(guān)斷狀態(tài)
2018-09-30 16:10:52
）的開通損耗。IGBT（右側(cè)）和續(xù)流二極管的關(guān)斷損耗會(huì)隨著雜散電感的升高而增大。IGBT和二極管的軟度和電流突變行為前文已經(jīng)表明寄生電感可能對(duì)總體損耗平衡有益。但是雜散電感還可能導(dǎo)致振蕩，比如由電流突變
2018-12-10 10:07:35
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-11-28 23:45:03
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-10-15 22:47:06
16A，電壓600V，我的直流側(cè)電壓只有48V，檢測的電流也只有2A左右，但是斷電后IGBT都很燙。 是不是在關(guān)斷的瞬間的尖峰電壓擊穿了GE，有什么措施呢？我門極只加了個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻50歐，還要不要加什么電路呢？（開關(guān)頻率10K， 死區(qū)2us）
2017-07-17 21:19:30
我在做軟開關(guān)，使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大負(fù)載時(shí)驅(qū)動(dòng)波形會(huì)有振蕩現(xiàn)象，有個(gè)別大神說可能是IGBT問題，有用過這個(gè)信號(hào)的大神嗎？這個(gè)管子怎么樣？
2019-03-14 16:50:48
不是研究半導(dǎo)體的，很多參數(shù)也不知道！下面從內(nèi)部機(jī)理層面再來描述一下IGBT的關(guān)斷過程：首先看一下IGBT關(guān)斷之前內(nèi)部載流子的分布情況，圖5對(duì)應(yīng)圖4 中t0時(shí)刻以前，即通態(tài)下IGBT內(nèi)部載流子的分布情況
2023-02-13 16:11:34
% Inom（IC=300A）電流關(guān)斷時(shí)，600V IGBT3會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的過沖電壓VCE,max 和階躍振蕩。相反，特別為這種高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)的650V IGBT4，即使典型直流電壓達(dá)到300V
2018-12-07 10:16:11
igbt工作原理
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。
2007-12-22 10:36:06
118 硬開關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
2010-02-17 23:08:172291 
兩個(gè)反向阻斷型IGBT反向并聯(lián)時(shí)的電路和關(guān)斷波形電路
2010-02-18 10:47:482381 
具有軟柵壓、軟關(guān)斷保護(hù)功能的IGBT驅(qū)動(dòng)電路
2010-03-14 18:58:016082 
IGBT的保護(hù)措施，主要包括過壓保護(hù)和過流保護(hù)兩類。使用中，對(duì)于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓，可以采用適
2010-11-09 18:01:181837 
高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機(jī)理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流子存在，IGBT關(guān)斷是電流會(huì)拖尾，關(guān)斷速度會(huì)
2017-05-14 10:09:4255704 
IGBT柵極負(fù)偏電壓—UGE直接影響其可靠運(yùn)行，負(fù)偏電壓升高時(shí)集電極的浪涌電流明顯下降，對(duì)關(guān)斷能耗無顯著的影響?！猆GE與集電極浪涌電流和關(guān)斷能耗Eoff的關(guān)系分別如圖2（a）和（b）所示。柵極電阻
2017-05-16 09:05:377255 
IGBT就是一個(gè)開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時(shí)IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時(shí)，IGBT關(guān)斷，加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。
2017-06-05 15:43:4818321 
出增加門極阻容補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)后串聯(lián)IGBT動(dòng)態(tài)電壓不均衡度和關(guān)斷時(shí)間影響的計(jì)算公式，并提出門極阻容網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的選取原則。建立基于Lumped Charge方法的IGBT半物理數(shù)值模型，對(duì)IGBT門極阻容補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行仿真驗(yàn)證。給出了實(shí)際測試工況下的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，建立IGBT串聯(lián)
2018-03-08 11:29:4022 BJT 是一種電流控制型器件, 發(fā)射極e和集電極c傳導(dǎo)的工作電流受基極b引入的較小電流的控制, 如等效電路所示, BJT受MOSFET漏極電流控制. 在IGBT關(guān)斷td(off)和Δt 程中
2018-12-22 12:41:5541292 
IGBT由柵極（G）、發(fā)射極（E）和集電極（C）三個(gè)極控制。如圖1，IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。
2019-04-24 15:38:2388601 ，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。 由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實(shí)際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動(dòng)波形較為理想化，集電極電流以及集電極-發(fā)射極電壓的波形大致上是實(shí)際波形，只有細(xì)節(jié)被理想化。
2021-02-19 09:31:1219643 
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。
2021-05-06 10:06:019694 
有源鉗位電路的目標(biāo)是鉗住IGBT的集電極電位，使其不要到達(dá)太 高的水平，如果關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰太高 如果關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰太高，或者太陡，都會(huì)使 IGBT受到威脅。 IGBT在正常情況關(guān)斷時(shí)會(huì)
2022-05-09 17:39:115 IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。
2023-01-10 09:05:474942 上一篇，我們寫了基于感性負(fù)載下，IGBT的開通過程，今天，我們就IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行一個(gè)敘述。對(duì)于IGBT關(guān)斷的可以基于很對(duì)方面進(jìn)行分析，而今
天我們從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析。
2023-02-22 15:21:3314 （一）IGBT雙脈沖測試的意義 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩； 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 ，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。 由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實(shí)際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動(dòng)波形較為理想化，集
2023-02-22 15:08:431 , 同時(shí)還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關(guān)速度快的特點(diǎn)。很多情況，由
于對(duì)IGBT關(guān)斷機(jī)理認(rèn)識(shí)不清, 對(duì)關(guān)斷時(shí)間隨電壓和電流的變化規(guī)律認(rèn)識(shí)不清, 導(dǎo)致無法解釋在使用過程中出現(xiàn)的電流拖尾長、
死區(qū)時(shí)間長等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT的性能; 導(dǎo)致IGBT因使用不當(dāng), 燒毀。今天我們就IGBT關(guān)斷時(shí)的
2023-02-22 14:57:546 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
米勒電容對(duì)IGBT關(guān)斷時(shí)間的影響? IGBT，即絕緣柵雙極性晶體管，是一種高效、高穩(wěn)定性的半導(dǎo)體器件。它是一種功率開關(guān)元件，能夠控制大電流和高電壓的開關(guān)。IGBT的關(guān)斷時(shí)間是非常重要的一個(gè)參數(shù)，它
2023-09-05 17:29:423352 IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:135359 
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底、N型漏源
2023-10-19 17:08:0226499 IGBT的工作原理 IGBT一定要加負(fù)壓才能關(guān)斷嗎？IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種？ 一、IGBT的工作原理 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即增強(qiáng)型
2023-10-19 17:08:088896 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)；
評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適；
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:328494 
其從關(guān)斷狀態(tài)到通態(tài)狀態(tài)的時(shí)間和性能。以下是開通特性測試的參數(shù)： 1.1 開通時(shí)間（Turn-on time）：指的是從關(guān)斷狀態(tài)開始，IGBT完全進(jìn)入
2023-11-10 15:33:513139 GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的？ GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件，它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">關(guān)斷過程中確實(shí)需要負(fù)電壓。 首先，讓我們了解一下GTO和IGBT的工作原理。 GTO
2024-02-20 11:28:493594 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開關(guān)過程中，上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。
2024-05-29 17:18:5417197 IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí)，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:3117234 
振蕩的原因 寄生參數(shù)的影響 寄生電容 ：IGBT的寄生電容包括柵極-發(fā)射極電容（C_{GE}）、柵極-集電極電容（C_{GC}）和發(fā)射極-集電極電容（C_{EC}）。這些電容在開關(guān)過程中會(huì)產(chǎn)生充電和放電，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)振蕩。 寄生電感 ：IGBT的寄生電感主要來自于驅(qū)動(dòng)電路
2024-07-25 10:38:5110022 性能的影響。 驅(qū)動(dòng)電壓 驅(qū)動(dòng)電壓是IGBT驅(qū)動(dòng)波形中最基本的參數(shù)之一，它決定了IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電壓通常分為正向驅(qū)動(dòng)電壓和反向驅(qū)動(dòng)電壓兩種。 1.1 正向驅(qū)動(dòng)電壓 正向驅(qū)動(dòng)電壓是指在IGBT導(dǎo)通時(shí)，柵極相對(duì)于發(fā)射極的電壓。正向驅(qū)動(dòng)電壓的大小直
2024-07-25 10:40:383113 柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管（BJT）優(yōu)點(diǎn)于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降。IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)是其正常工作的關(guān)鍵，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷都依賴于柵極電壓。 二、
2024-07-25 10:48:102970 在光伏逆變器等大功率應(yīng)用場合，主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。IGBT關(guān)斷時(shí)，集電極電流下降率較高，即存在較高的dioff/dt，在雜散電感兩端感應(yīng)出電動(dòng)勢，方向與直流母線電壓一致，并與直流母線一起疊加在IGBT兩端。
2024-07-26 10:03:157970 
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件，其關(guān)斷過程的分析對(duì)于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的優(yōu)勢，具有導(dǎo)通特性好
2024-07-26 18:03:566876 
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